三菱電機(jī)今天宣布,將與安世半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片,安世半導(dǎo)體將使用該芯片來開發(fā)SiC分立器件。

合作方面,前不久,Coherent、電裝和三菱電機(jī)已達(dá)成協(xié)議,將向Coherent的SiC業(yè)務(wù)投資,投資金額總計(jì)10億美元(各5億美元)。 這筆投資將使電裝和三菱各換取12.5%的非控股股權(quán),Coherent將持有剩余75%的股權(quán)。交易完成之前,Coherent將把SiC業(yè)務(wù)分離出來,并將其投入一家子公司,子公司將繼續(xù)由Coherent的新風(fēng)險(xiǎn)投資與寬帶隙電子技術(shù)執(zhí)行副總裁Sohail Khan領(lǐng)導(dǎo)。
該SiC子公司將與電裝和三菱電機(jī)達(dá)成長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,以滿足電裝和三菱對(duì)150 mm和200 mm的SiC襯底和外延片的需求。
近年來,Coherent投資擴(kuò)大了150 mm和200 mm襯底的生產(chǎn)規(guī)模,以應(yīng)對(duì)這一市場(chǎng)。此次對(duì)SiC業(yè)務(wù)進(jìn)行10億美元的合并投資,將為擴(kuò)產(chǎn)該業(yè)務(wù)的襯底和外延片提供資金,另一方面,結(jié)合同時(shí)簽訂的供應(yīng)協(xié)議,還可增強(qiáng)SiC業(yè)務(wù)在市場(chǎng)中的地位。預(yù)計(jì)2024年第一季度完成此次交易。
而今年5月,三菱電機(jī)就與Coherent簽署了一份諒解備忘錄(MOU),雙方合作開展一項(xiàng)計(jì)劃,在200mm技術(shù)平臺(tái)上大規(guī)模制造SiC電力電子器件。
根據(jù)公告,為了滿足快速增長(zhǎng)的需求,三菱電機(jī)宣布在截至2026年3月的五年內(nèi)投資約2600億日元。投資的主要部分(約1000億日元)將用于建設(shè)一個(gè)基于200mm技術(shù)平臺(tái)的SiC功率器件的新工廠,并加強(qiáng)相關(guān)生產(chǎn)設(shè)施。根據(jù)諒解備忘錄,Coherent公司將為三菱電機(jī)未來在新工廠生產(chǎn)的SiC功率器件開發(fā)供應(yīng)200mm n型4H SiC襯底片。
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體合作,旨在開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體
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