(1)MOSFET器件結(jié)構(gòu)將根據(jù)要求的耐受電壓來選擇。確定導通電阻RDS(ON)的因素如圖3-7和方程式3-(1)所示。根據(jù)器件的結(jié)構(gòu)，決定導通電阻的因素比例將發(fā)生變化。

(2)例如，許多中高壓MOSFET(250V及以上)具有平面MOS(π-MOS)結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS(U-MOS)結(jié)構(gòu)。因此，當耐受電壓VDSS=600V時，Rdrift成為主導因素，當耐受電壓是30V時，因素Rch的比例較高。

圖3-7(a)D-MOS的導通電阻決定因素

圖3-7(b)溝槽MOS的導通電阻決定因素

RDS(ON)=Rsub+Rdrift+RJ-FET+Rch+RN+

RDS(ON)=Rsub+Rdrift+Rch+RN+???方程式3-(1)

如果是VDSS=600V，順序為Rdrift >> Rch > RJ-FET，RN+，Rsub和RDS(ON)取決于Rdrift

如果是VDSS=30V，順序為Rch >> Rdrift > RN+，Rsub。溝槽MOS結(jié)構(gòu)的精細圖形化可以最大限度降低RDS(ON)對Rch的依賴性

文章來源：東芝半導體

審核編輯：湯梓紅