IGBT器件的靈魂
根據(jù)施敏教授的拆分理論，器件由4個基本單元組成。
根據(jù)該理論，IGBT用到了3個基本單元：（a）金屬-半導(dǎo)體界面，（b）pn結(jié)（d）金屬-氧化層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
以下僅對（b）pn結(jié)進行展開。
pn結(jié)最重要的參數(shù)為 內(nèi)建電勢 （built-in potential）Vbi，公式如下：
其中，KT/q=0.0259（300K），NA/ND分別為P/N型摻雜濃度，ni為本征摻雜濃度。
耗盡層寬度公式如下（當(dāng)NA＞＞ND時）：
當(dāng)增加電壓偏執(zhí)V后，耗盡層寬度公式如下：
PN處最高場強公式如下：
全文完，客官們輕拍！
并沒有達到想到的目的，待后續(xù)更新；
pn結(jié)作為基本單元，是玩器件的基礎(chǔ)。花點功夫，費點心思在上面是很值得的！?。?/p>
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31238瀏覽量
266576 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1291文章
4452瀏覽量
264394 -
PN結(jié)
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
499瀏覽量
51921
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
onsemi AFGH4L25T120RWD IGBT器件深度解析
onsemi AFGH4L25T120RWD IGBT器件深度解析 在電子工程領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為功率半導(dǎo)體器件，在眾多應(yīng)用場景中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。今天我們就來深入探
onsemi AFGHL25T120RWD IGBT器件深度解析
onsemi AFGHL25T120RWD IGBT器件深度解析 在電子工程領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是功率電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)等眾多領(lǐng)域。今天，我們來深入探討
onsemi AFGHL25T120RW IGBT器件深度剖析
onsemi AFGHL25T120RW IGBT器件深度剖析 在電子工程領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是功率電子設(shè)備中至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換和控制電路。今天，我們就來深入
onsemi AFGHL40T120RWD IGBT器件解析
onsemi AFGHL40T120RWD IGBT器件解析 在電子工程領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中。今天我們來詳細探
安森美FGA40N65SMD場截止IGBT：性能卓越的功率器件
安森美FGA40N65SMD場截止IGBT：性能卓越的功率器件 在電子工程師的日常設(shè)計工作中，功率器件的選擇至關(guān)重要，它直接影響到整個電路的性能和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入了解一下安森美
onsemi FGH40N60SMD-F085 IGBT 器件詳細解析
onsemi FGH40N60SMD-F085 IGBT 器件詳細解析 在電子工程領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直是功率電子設(shè)備中的關(guān)鍵組件。今天，我們將深入剖析 onsemi 公司
onsemi FGH40T65SHDF IGBT器件深度解析
onsemi FGH40T65SHDF IGBT器件深度解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是至關(guān)重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中。今天，我們就來深入
FGHL60T120RWD IGBT：高效能功率器件的技術(shù)剖析
FGHL60T120RWD IGBT：高效能功率器件的技術(shù)剖析 在如今的電子設(shè)備中，功率器件的性能直接影響著設(shè)備的效率、可靠性和穩(wěn)定性。FGHL60T120RWD 作為一款采用新型場截止第 7 代
FGHL75T65LQDTL4 IGBT：高性能功率器件的卓越之選
FGHL75T65LQDTL4 IGBT：高性能功率器件的卓越之選 在電子工程師的設(shè)計工作中，選擇合適的功率器件至關(guān)重要。今天，讓我們深入了解一款性能出色的 IGBT
FGY100T120SWD IGBT：高效能功率器件的技術(shù)剖析
FGY100T120SWD IGBT：高效能功率器件的技術(shù)剖析 在電子工程領(lǐng)域，功率器件的性能對于各種應(yīng)用的效率和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們來深入剖析一款備受關(guān)注的IGBT（
電子工程師必看：HGTG10N120BN等IGBT器件深度剖析
電子工程師必看：HGTG10N120BN等IGBT器件深度剖析 在電子工程領(lǐng)域，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）作為一種重要的功率
奧特IGBT光耦A(yù)T314，輕松實現(xiàn)IGBT驅(qū)動隔離電路耐壓可達5000Vrms
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在電機控制、逆變電源等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。為了實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的IGBT驅(qū)動，AT314光耦作為一種優(yōu)秀的隔離器件，在IGBT驅(qū)動
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)
HUSTEC華科智源 HUSTEC-1600A-MT IGBT功率器件測試儀 一：IGBT功率器件測試儀主要特點 華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的
功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析：以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接技術(shù)中，銀燒結(jié)技術(shù)憑借其獨特的優(yōu)勢逐漸
IGBT器件的防靜電注意事項
IGBT作為功率半導(dǎo)體器件，對靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細闡述使用過程中防靜電的具體注意事項與防護措施，確保其安全穩(wěn)定運行。
評論