當前，第三代化合物半導體應用廣泛，化合物半導體材料在電子器件制造中扮演著重要角色。其中半導體襯底和外延層的質(zhì)量對器件性能至關重要，檢測這些材料中的缺陷是確保高性能器件制造成功的關鍵一步，有助于確保產(chǎn)品質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率，同時也為材料研究和新技術的發(fā)展提供了關鍵的支持。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間在“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，清軟微視（杭州）科技有限公司總經(jīng)理周繼樂帶來了“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”的主題報告。

清軟微視是清華大學知識產(chǎn)權轉(zhuǎn)化的高新技術企業(yè)，專注于化合物半導體視覺領域量檢測軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無損檢測裝備Omega系列產(chǎn)品，可以檢測碳化硅和氮化鎵晶片在生產(chǎn)制造過程中產(chǎn)生的表面缺陷和內(nèi)部晶格缺陷，支持BF/DIC/DF/PL 多種成像方式，已經(jīng)通過五家主流廠商的六大類數(shù)千塊量產(chǎn)片測試驗證。

報告顯示，Omega系列化合物襯底和外延檢測設備，應用于多尺寸SiC/GaN 等襯底/外延生產(chǎn)過程。支持DIC/明場/多角度暗場/PL成像方式的自由配置組合。適用于透明/半透明/不透明襯底/外延片 表面/側(cè)邊/背面缺陷檢測。

其Omega 9880是針對碳化硅襯底和外延的檢測設備。多配置DY預估結(jié)果同時輸出，使用直方圖、Wafer Map、Charts等形式對單次或批量檢測結(jié)果進行分析，數(shù)據(jù)庫存儲時間超過兩年，可隨時檢索。兼容主流廠商Mapping數(shù)據(jù)交換格式。檢測結(jié)果數(shù)據(jù)支持 FTP、HTTP、共享目錄等多種方式上傳，可合并不同功能檢測設備、不同產(chǎn)商檢測設備的 Mapping結(jié)果。報告指出，Omega 9880與對標機臺成像方案均為集成了 DIC明場與PL的顯微成像方式，算法檢測基于圖像成像信號進行缺陷檢測與分類。

結(jié)合實踐，報告認為，目前行業(yè)仍需要思考，是否存在完美的無損缺陷檢測方法，以及探索缺陷的轉(zhuǎn)化、關聯(lián)分析。