近日，荷蘭光刻機巨頭ASML公司宣布，優(yōu)先向Intel公司交付其新型高數(shù)值孔徑（High NA EUV）的極紫外光刻機。

據(jù)悉，每臺新機器的成本超過3億美元，可幫助計算機芯片制造商生產(chǎn)更小、更快的半導(dǎo)體。

ASML官方社交媒體賬號發(fā)布了一張現(xiàn)場照片。圖可以看到，光刻機的一部分被放在一個保護箱中。箱身綁著一圈紅絲帶，正準備從其位于荷蘭埃因霍溫的總部發(fā)貨。

“耗時十年的開創(chuàng)性科學(xué)和系統(tǒng)工程值得鞠一躬！我們很高興也很自豪能將我們的第一臺高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機交付給Intel?！盇SML公司說道。

據(jù)了解，高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機組裝起來比卡車還大，需要被分裝在250個單獨的板條箱中進行運輸，其中包括13個大型集裝箱。

據(jù)估計，該光刻機將從2026年或2027年起用于商業(yè)芯片制造。

公開資料顯示，NA數(shù)值孔徑是光刻機光學(xué)系統(tǒng)的重要指標，直接決定了光刻的實際分辨率，以及最高能達到的工藝節(jié)點。

一般來說，金屬間距縮小到30nm以下之后，也就是對應(yīng)的工藝節(jié)點超越5nm，低數(shù)值孔徑光刻機的分辨率就不夠了，只能使用EUV雙重曝光或曝光成形(pattern shaping)技術(shù)來輔助。

這樣不但會大大增加成本，還會降低良品率。因此，更高數(shù)值孔徑成為必需。

ASML 9月份曾宣布，將在今年底發(fā)貨第一臺高數(shù)值孔徑EUV光刻機，型號“Twinscan EXE:5000”，可制造2nm工藝乃至更先進的芯片。

審核編輯：黃飛