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安世半導(dǎo)體榮獲雙料大獎,引領(lǐng)氮化鎵技術(shù)前沿

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-01-03 15:46 ? 次閱讀
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近日,Nexperia(安世半導(dǎo)體)憑借其在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)域的杰出表現(xiàn),榮獲兩項權(quán)威大獎:“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”和“中國GaN功率器件十強”。這一榮譽充分展示了安世半導(dǎo)體作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)者的強大實力,以及其在三代半領(lǐng)域的深厚積累。

安世半導(dǎo)體一直致力于投資和研發(fā)自有氮化鎵工藝技術(shù)。目前,其遍布全球的自有化生產(chǎn)基地已經(jīng)能夠提供真正車規(guī)級AEC-Q101認(rèn)證的產(chǎn)品,展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)實力。新一代的安世半導(dǎo)體氮化鎵(HEMTs)在導(dǎo)通電阻、開關(guān)穩(wěn)定性以及動態(tài)性能等方面均表現(xiàn)出色,引領(lǐng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

2023年5月,安世半導(dǎo)體在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列中推出七款新型E-mode器件,成為業(yè)內(nèi)唯一可同時提供級聯(lián)型和增強型氮化鎵器件的供應(yīng)商。這一創(chuàng)新再次證明了安世半導(dǎo)體在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

未來,安世半導(dǎo)體將繼續(xù)深耕氮化鎵和碳化硅領(lǐng)域,持續(xù)推出創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù),以滿足不斷增長的市場需求。我們期待安世半導(dǎo)體在基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域繼續(xù)保持其全球領(lǐng)導(dǎo)地位,并引領(lǐng)行業(yè)向更高標(biāo)準(zhǔn)邁進。

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