三星第二代3nm工藝開始試產(chǎn)!
1月23日消息，據(jù)報道，三星晶圓代工廠開始試產(chǎn)第二代3nm工藝SF3，這是三星半導(dǎo)體工業(yè)史上的重要里程碑事件，標志著三星將與臺積電爭奪先進工藝節(jié)點的霸主地位。
據(jù)了解，SF3節(jié)點可以在同一單元內(nèi)實現(xiàn)不同的環(huán)柵（GAA）晶體管納米片溝道寬度，從而提供更大的設(shè)計靈活性，為芯片帶來更低的功耗和更高的性能，并通過優(yōu)化設(shè)計增加晶體管密度。
SF3工藝能夠生產(chǎn)更高效、更強大的芯片，這將推動人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等各個領(lǐng)域的發(fā)展。
據(jù)報道，三星預(yù)計在未來6個月時間內(nèi)，讓SF3的工藝良率提高到60%以上。三星SF3工藝會率先應(yīng)用到可穿戴設(shè)備處理器上，三星Galaxy Watch 7系列有望搭載SF3工藝芯片。
值得注意的是，三星明年商用的Exynos 2500手機芯片將會使用SF3工藝，這顆芯片將由Galaxy S25系列首發(fā)搭載。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
臺積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5807瀏覽量
176997 -
三星半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
68瀏覽量
18135 -
3nm
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
238瀏覽量
15062
原文標題：三星第二代3nm工藝開始試產(chǎn)!
文章出處：【微信號：CSF211ic，微信公眾號：中國半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
RZ/G 系列第二代產(chǎn)品：性能強勁的多功能芯片解決方案
RZ/G 系列第二代產(chǎn)品：性能強勁的多功能芯片解決方案 在當今科技飛速發(fā)展的時代，電子設(shè)備對于高性能、多功能芯片的需求愈發(fā)迫切。Renesas 的 RZ/G 系列第二代產(chǎn)品，包括 RZ/G2H、RZ
3nm大規(guī)模導(dǎo)入光模塊：Credo推出二代1.6T光DSP
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，在博通推出行業(yè)首款3nm光DSP后，Crdeo近日也宣布推出第二代Cardinal系列1.6T光DSP產(chǎn)品，同樣基于3nm先進工藝。 AI計算集群正持續(xù)突破網(wǎng)絡(luò)基
信號干擾、軌跡漂移成過去式？第二代UWB技術(shù)在復(fù)雜工況下的硬核突圍
四相科技第二代UWB通過物理層協(xié)議和信號頻段的優(yōu)化，實現(xiàn)了測距、功耗與安全性的全面升級，致力于為復(fù)雜工業(yè)環(huán)境提供更精準穩(wěn)定、更具“確定性”價值的解決方案。隨著技術(shù)生態(tài)的持續(xù)完善與應(yīng)用場景的不斷拓展，第二代UWB的性能與成本優(yōu)勢將愈發(fā)顯著，成為高精度定位領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵基
REDMI Turbo 5系列搭載MediaTek天璣9500s芯片
REDMI Turbo 5 Max 搭載天璣 9500s，采用 3nm 制程工藝，第二代全大核架構(gòu)設(shè)計，內(nèi)置 8 大核 CPU 和 12 核 GPU。CPU 緩存+系統(tǒng)緩存達 29MB。
新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號
新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiCMOSFET技術(shù)打造，通過提升性能、增強設(shè)計靈活性及魯棒性
新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件
新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢，同時有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
TeledyneLeCroy發(fā)布第二代DisplayPort 2.1 PHY合規(guī)測試與調(diào)試解決方案
TeledyneLeCoy（Teledyne子公司）宣布第二代QualiPHY 2自動化合規(guī)測試框架現(xiàn)已支持DisplayPort 2.1物理層（PHY）合規(guī)性測試。
新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
新品采用.XT擴散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù)，在抗寄生導(dǎo)通方面展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的可靠性。該器件在圖騰柱
AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)單芯片智能
我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列，這兩款產(chǎn)品是對 Versal 產(chǎn)品組合的擴展，可為嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)單芯片智能。
恩智浦推出第二代OrangeBox車規(guī)級開發(fā)平臺
第二代OrangeBox開發(fā)平臺集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力，應(yīng)對快速演變的信息安全威脅。
雷軍:小米自研芯片采用二代3nm工藝 雷軍分享小米芯片之路感慨
Ultra，小米首款SUV小米yu7 等。 雷軍還透露，小米玄戒O1，采用第二代3nm工藝制程，力爭躋身第一梯隊旗艦體驗。此次小米發(fā)布會的最大亮點之一肯定是小米自研手機SoC芯片「玄戒O1」，這標志著小米在芯片領(lǐng)域的自主研發(fā)能
第二代AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求
第二代 AMD Versal Premium 系列自適應(yīng) SoC 是一款多功能且可配置的平臺，提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應(yīng) SoC 旨在滿足從簡單到復(fù)雜的各種 CXL 應(yīng)用需求
三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當?shù)貢r間17日報道稱，自 1z nm 時期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。
發(fā)表于 04-18 10:52
評論