新華錦第三代半導(dǎo)體碳材料產(chǎn)業(yè)園選址平度市
2024年2月21日上午，山東平度市舉辦了重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目春季集約簽約儀式，包括新華錦集團(tuán)在內(nèi)的48家企業(yè)共簽署了48項(xiàng)協(xié)議。
據(jù)悉，新華錦集團(tuán)計(jì)劃將該公司在山東平度市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)內(nèi)投入的20億元資金用于建立新華錦第三代半導(dǎo)體碳材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)，該項(xiàng)目將涵蓋年產(chǎn)量達(dá)5000噸的半導(dǎo)體細(xì)顆粒等靜壓石墨以及1000噸半導(dǎo)體多孔石墨的生產(chǎn)。
此外，據(jù)了解，青島作為國(guó)內(nèi)石墨資源的主要來源地之一，新華錦集團(tuán)此番規(guī)劃也與其發(fā)揮地區(qū)優(yōu)勢(shì)，“留出好石墨，做成好產(chǎn)業(yè)”的初衷相符。
為此，他們已經(jīng)在平度收購了兩座石墨礦，并在石墨深加工及保護(hù)寶貴資源方面花費(fèi)了大量精力。近期還與中科院山西煤化所合作進(jìn)行了高性能等靜壓石墨和特種多孔石墨項(xiàng)目的研發(fā)，所產(chǎn)出的石墨被評(píng)估在技術(shù)水平和產(chǎn)品效能上都超過了同類進(jìn)口產(chǎn)品，得到了國(guó)家石墨產(chǎn)品質(zhì)量檢驗(yàn)中心的權(quán)威背書。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31192瀏覽量
266325 -
石墨
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
114瀏覽量
19077
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立，當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體
深圳市薩科微slkor半導(dǎo)體有限公司是宋仕強(qiáng)于2015年在深圳市華強(qiáng)北成立，當(dāng)時(shí)掌握了行業(yè)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅
發(fā)表于 01-31 08:46
龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)
今天，龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代（G3） 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?，碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
行業(yè)快訊：第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?，碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用
高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理，具備高帶寬、高精度和高分辨率，適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測(cè)量及開關(guān)損耗計(jì)算。
欣見灣區(qū)新藍(lán)圖，瑞沃微祝賀廣州發(fā)布先進(jìn)制造業(yè)強(qiáng)市規(guī)劃，共筑第三代半導(dǎo)體與芯片產(chǎn)業(yè)未來
1月8日，廣州市人民政府正式發(fā)布《廣州市加快建設(shè)先進(jìn)制造業(yè)強(qiáng)市規(guī)劃（2024—2035年）》，明確了未來十余年產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向。規(guī)劃提出，將重點(diǎn)發(fā)展第三
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?；当静⒋妗钡奶卣鳌Ｒ?、成本構(gòu)成：核心
發(fā)表于 12-25 09:12
芯干線斬獲2025行家極光獎(jiǎng)年度第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)開拓領(lǐng)航獎(jiǎng)
2025年12月4日，深圳高光時(shí)刻！由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)晚宴盛大啟幕，數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂，共襄
CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)
10月25日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席，鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
材料與應(yīng)用：第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，正加速替代傳統(tǒng)硅基材料，在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度，成為高頻通信、
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
海格通信北京產(chǎn)業(yè)園獲評(píng)中關(guān)村特色產(chǎn)業(yè)園
近日，北京市科委、中關(guān)村管委會(huì)公布了第三批“中關(guān)村特色產(chǎn)業(yè)園”名單，海格通信（股票代碼：002465）·北京產(chǎn)業(yè)園憑借在科技創(chuàng)新、資源聚集、產(chǎn)業(yè)
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些
SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案
發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（1）
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
評(píng)論