Qorvo發(fā)布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊
全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。
這些新推出的SiC模塊專為電動汽車充電站、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽能應(yīng)用等設(shè)計，旨在提供卓越的性能和效率。其中，以9.4mΩ導(dǎo)通電阻的UHB100SC12E1BC3N模塊為例，其采用了Qorvo獨特的共源共柵配置，這一創(chuàng)新設(shè)計不僅大幅降低了導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，還顯著提升了整體效率。特別是在軟開關(guān)應(yīng)用中，這一優(yōu)勢更為明顯。
Qorvo一直以其領(lǐng)先的技術(shù)和高質(zhì)量的產(chǎn)品在行業(yè)內(nèi)享有盛譽(yù)。這次推出的四款SiC模塊進(jìn)一步鞏固了其在高效電源解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。隨著電動汽車和可再生能源市場的快速發(fā)展，這些新型SiC模塊有望在未來幾年內(nèi)成為市場上的熱門選擇。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3846瀏覽量
70050 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3537瀏覽量
52642 -
Qorvo
+關(guān)注
關(guān)注
17文章
738瀏覽量
80717
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
耐焊型NTC熱敏芯片與SiC碳化硅模塊
近年來，新能源汽車受到越來越多消費者的青睞，由此也帶動了高功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，SiC碳化硅模塊就是其中之一。在碳化硅模塊工作過程中，其溫度
QDPAK封裝SiC碳化硅MOSFET安裝指南
基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）碳化硅（SiC）MOSFET 數(shù)據(jù)手冊（包含 650V 的 AB3M025065CQ 和 1200V 的 AB3M040120CQ）
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列介紹
基本半導(dǎo)體推出1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列，采用新一代碳化硅芯片技術(shù)，結(jié)合高性能Si3N4 AMB基板與銅基板
新品 | CoolSiC? 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL? 1200V
新品CoolSiC碳化硅MOSFETM1HEasyDUAL1200VEasyDUAL2BCoolSiCMOSFET半橋模塊通過AQG324認(rèn)證，采用PressFIT引腳和預(yù)涂導(dǎo)熱界面材料，集成NTC
森國科發(fā)布SOD123封裝1200V/1A碳化硅二極管
深圳市森國科科技股份有限公司將原本用于硅基器件的小型封裝SOD123成功應(yīng)用于1200V/1A碳化硅二極管，這一突破彰顯了其在碳化硅器件設(shè)計
Wolfspeed榮獲2025年度功率器件碳化硅行業(yè)卓越獎
作為碳化硅 (SiC) 行業(yè)全球引領(lǐng)者的 Wolfspeed 公司在今年正式推出了全新第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技術(shù)平臺與 1200V 工業(yè)級、
安森美1200V碳化硅MOSFET：NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——N
onsemi NXH015F120M3F1PTG 碳化硅功率模塊技術(shù)解析
安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模塊采用15mΩ/1200V M3S
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹
基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm
如何選擇 1200V SiC（碳化硅）TO-247 單管的耐高溫絕緣導(dǎo)熱墊片？
近期，華為旗下海思技術(shù)有限公司正式進(jìn)軍碳化硅功率器件領(lǐng)域，推出了兩款1200V工規(guī)SiC單管產(chǎn)品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H02
瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用
近期，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已量產(chǎn)
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率
發(fā)表于 06-25 09:13
基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案
傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，
基本股份B3M013C120Z（碳化硅SiC MOSFET）的產(chǎn)品力分析
從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析，中國SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實現(xiàn)顯著
基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案
亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC
評論