3 月 21 日,全球著名半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體攜手韓國(guó)科技巨頭三星共同發(fā)布,18nm FD-SOI 工藝正式落地,該技術(shù)將集成嵌入式相變存儲(chǔ)器(EPCM)。
據(jù)悉,F(xiàn)D-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù),能夠通過(guò)簡(jiǎn)化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制,相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù),新工藝大幅度提高了性能指標(biāo):能效提升 50%,數(shù)字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
值得注意的是,盡管制程僅為 18nm,但此項(xiàng)工藝依然保證了各種模擬功能如電源管理及復(fù)位系統(tǒng)在 3V 電壓環(huán)境中正常運(yùn)行。另外在耐熱性、防輻射性能方面都有出色表現(xiàn),適用于各類嚴(yán)苛的工業(yè)領(lǐng)域。
按照計(jì)劃,首批基于該工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的 STM32 MCU 將在下半年投放到選定客戶群,預(yù)計(jì) 2025 年下半年進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段。
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