1.上海雷卯推出多種電壓 高強Ipp ESD 防護器件

下表僅是部分展示。

3.USB PD 防浪涌方案

4.為什么需要高強Ipp ESD防護器件

硬件工程師常會遇到這種情況，我的PCB 板上電源也放ESD保護器件 了，但是當(dāng)插拔電或上電瞬間ESD保護器件燒毀了，導(dǎo)致后端的被保護芯片也因浪涌大而損壞。這是怎么回事。

上圖右側(cè)紅色圈內(nèi)的是ESD保器件去框架和焊料后觀察芯片，失效芯片有貫穿性燒蝕點。

經(jīng)分析是ESD器件的Ipp(功率） 不夠高，上電瞬間浪涌電流（功率）超過了ESD器件所能承受的范圍。

5.高強Ipp ESD保護器件優(yōu)點

高功率 ESD 保護器件提供了更強大的靜電放電保護能力，能夠有效地保護電子設(shè)備免受靜電損害，提高設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。

1） 強大的保護能力：高 Ipp（功率） ESD 保護器件能夠承受較高能量的靜電放電，提供更強的保護能力，有效地防止電子設(shè)備受到 ESD 沖擊而損壞。

2） 快速響應(yīng)時間：高Ipp（功率） ESD 保護器件具有快速的響應(yīng)時間，可以在瞬間將靜電放電能量導(dǎo)向地面，從而減少對電路和元件的損害。

3.）低電阻特性：高Ipp（功率） ESD 保護器件通常具有低電阻特性，能夠提供良好的導(dǎo)電通路，使靜電放電電流快速消散，降低對設(shè)備的影響。

4） 高可靠性：高Ipp（功率） ESD 保護器件經(jīng)過嚴(yán)格的測試和驗證，具有高可靠性和穩(wěn)定性，能夠在長期使用中保持良好的保護性能。

5） 廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域：高Ipp（功率） ESD 保護器件適用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)，如通信設(shè)備、工業(yè)控制系統(tǒng)、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備等，對于對靜電放電敏感的應(yīng)用具有重要意義。

ESD器件選擇需根據(jù)電子設(shè)備使用的浪涌干擾具體情況選擇合適參數(shù)的Ipp ESD器件。

上海雷卯電子科技有限公司，成立于2011年，品牌Leiditech，是國家高新技術(shù)企業(yè)。公司研發(fā)團隊由留美博士和TI原開發(fā)經(jīng)理組建，憑借技術(shù)精湛的研發(fā)隊伍和經(jīng)驗豐富的電磁兼容行業(yè)專家，主要提供防靜電TVS/ESD以及相關(guān)EMC元器件（放電管TSS/GDT、穩(wěn)壓管ZENER、壓敏電阻MOV、整流二極管RECTIFIER、自恢復(fù)保險絲PPTC、場效應(yīng)管MOSFET、電感）。

Leiditech圍繞EMC電磁兼容服務(wù)客戶，自建免費實驗室為客戶測試靜電ESD（30KV）、群脈沖EFT(4KV)、浪涌（8/20，10/700 10/1000）、汽車拋負(fù)載（7637 5a/5b）和元器件的性能測試等。Leiditech緊跟國內(nèi)外技術(shù)更新脈搏，不斷創(chuàng)新EMC保護方案和相關(guān)器件，目標(biāo)方向為小封裝，大功率，為國產(chǎn)化替代提供可信賴方案和元器件。

表格信息：

產(chǎn)品信息：Information of ESD

Electrostatic Discharged Protection Devices, referred to as ESD. It is mainly used to protect the Electrostatic Discharge of communication interface .

The reason of Electrostatic Discharge：

a. Two substances via the contact friction and loss of electrons or the electron, the charge band (no flow) termed static;

b. Due to switch electricity or lightning induced surge also indirect causes static electricity;

c. Temperature and humidity affect the turboelectric charged, at less than 45℃, it will produce higher humidity greater voltage more than in 55℃, damaging also relatively large.

The selection tips of ESD

1. The Vrwm is bigger or equal to the circuit working voltage is better;

2. The Cp of ESD is confirmed by the rate of data port, the data transfer more faster ,the Cp of ESD should be more smaller;

3. Selecting suitable Ipp for your circuit, the suitable Vc for your circuit and power=Ipp*Vc*power factor;

4. According to the PCB to select package (1-channel or multi-channels).

審核編輯 黃宇