據(jù)悉，英特爾日前舉行了一次關(guān)于其代工業(yè)務(wù)的網(wǎng)絡(luò)研討會，其中以為何展現(xiàn)數(shù)據(jù)中心部門從財務(wù)角度看獨立性，以及展示英特爾未來代工技術(shù)的發(fā)展路徑為主題。

根據(jù)制程工藝規(guī)劃，英特爾計劃在未來重新成為頂尖代工廠，并在18A節(jié)點擁有主導(dǎo)地位，同時在已經(jīng)到來的14A節(jié)點取得領(lǐng)先優(yōu)勢。

在功耗方面，現(xiàn)有的Intel 7節(jié)點處于劣勢，然而英特爾預(yù)計在即將到來的Intel 3節(jié)點追平行業(yè)領(lǐng)跑者（臺積電），并在18A節(jié)點超越其他競爭對手，且在14A節(jié)點保住優(yōu)勢。

Density方面，現(xiàn)行的Intel 7節(jié)點相比同行表現(xiàn)不佳，但英特爾正在通過Intel 3節(jié)點縮小這個差距，并計劃在18A節(jié)點趕超其他對手，最后在14A節(jié)點實現(xiàn)較小優(yōu)勢。

英特爾也坦承，Intel 7節(jié)點的制造成本現(xiàn)在相對較高，不過他們期待通過跨越Intel 3至14A這些節(jié)點，來降低晶圓成本。

基于AI處理的市場需求，未來幾年英特爾計劃進(jìn)軍更大的代工蛋糕，包括能夠在14A節(jié)點進(jìn)行移動設(shè)備的代工生產(chǎn)。

英特爾還強(qiáng)調(diào)他們將逐步彌補(bǔ)傳統(tǒng)IDM模式下設(shè)計支持的短板，使其向業(yè)內(nèi)平均水平靠近。

另外，未來幾年內(nèi)，我們將看到英特爾在包括2.5D/3D在內(nèi)的先進(jìn)封裝技術(shù)方面的顯著進(jìn)展。

英特爾指出，他們作為迎接人工智能時代的系統(tǒng)代工廠，將會通過全面的技術(shù)創(chuàng)新，持續(xù)推進(jìn)摩爾定律的發(fā)展。

在實現(xiàn)技術(shù)目標(biāo)的過程中，英特爾不僅投入了大量資源加強(qiáng)硅光子學(xué)的研究，而且還在PCIe和SerDes領(lǐng)域不斷豐富自己的技術(shù)儲備。

同樣重要的是，英特爾正在探索內(nèi)核功率達(dá)到驚人的1000瓦的芯片散熱方案，并計劃在2030年前實現(xiàn)對2000瓦的芯片進(jìn)行有效冷卻。

在極端情況下，英特爾甚至做好了同時連接8個HBM堆棧的準(zhǔn)備，并表示未來可能會將這一能力提升至12個或以上；此外，他們還在研究探索全新的存儲技術(shù)。

關(guān)于Foveros 3D Direct高級封裝技術(shù)，英特爾的目標(biāo)是在約2027年實現(xiàn)4微米的連接精度。

此外，英特爾還透露了其玻璃基板應(yīng)用的具體時間表，預(yù)計這項技術(shù)會在2027年得到廣泛應(yīng)用，比業(yè)界普遍預(yù)期的2026年稍晚一些。