哈哈哈哈哈操欧洲电影,久草网在线,亚洲久久熟女熟妇视频,麻豆精品色,久久福利在线视频,日韩中文字幕的,淫乱毛视频一区,亚洲成人一二三,中文人妻日韩精品电影

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

奔向太空!EPC Space推動(dòng)耐輻射GaN功率器件全球布局

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2024-04-09 14:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,EPC Space宣布與全球領(lǐng)先的電子元件和服務(wù)分銷(xiāo)商——安富利(Avnet)簽署了一項(xiàng)重要的分銷(xiāo)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,安富利將成為EPC Space耐輻射氮化鎵(GaN)功率器件系列的全球分銷(xiāo)商,這批產(chǎn)品主要服務(wù)于衛(wèi)星和高可靠性應(yīng)用領(lǐng)域。

EPC Space是Efficient Power Conversion(EPC)和HEICO旗下公司VPT的合資企業(yè),作為最大的硅基GaN功率器件生產(chǎn)商之一,EPC Space已經(jīng)在抗輻射GaN-on-Si晶體管和IC的研發(fā)領(lǐng)域取得了顯著的成就。此次與安富利的協(xié)議進(jìn)一步擴(kuò)展了EPC Space在全球市場(chǎng)的影響力,并確立了其產(chǎn)品在高可靠性電子市場(chǎng)中的地位。

EPC Space的耐輻射氮化鎵(GaN)功率器件系列產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)了嚴(yán)苛的封裝、測(cè)試和認(rèn)證過(guò)程,可在極端環(huán)境下提供卓越的性能,特別是在衛(wèi)星通信、深空探測(cè)任務(wù)以及其他要求高可靠性的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。這些產(chǎn)品展現(xiàn)了與傳統(tǒng)硅基器件相比的顯著優(yōu)勢(shì),包括更高的開(kāi)關(guān)頻率、更強(qiáng)的功率密度以及更好的輻射抗干擾能力。

EPC Space在一份聲明中指出,隨著太空探索活動(dòng)的不斷增加,對(duì)于高性能、高可靠性的電子組件的需求日益增長(zhǎng)。EPC Space的eGaN晶體管正逐漸成為滿(mǎn)足這些應(yīng)用更高開(kāi)關(guān)頻率、功率和輻射硬度需求的首選解決方案。此次合作將使得EPC Space的創(chuàng)新技術(shù)得以通過(guò)安富利的全球網(wǎng)絡(luò)向更廣泛的市場(chǎng)推廣。

這項(xiàng)合作對(duì)于EPC Space和安富利來(lái)說(shuō)都是具有戰(zhàn)略意義的一步。它將使EPC Space的高性能產(chǎn)品得以更快地進(jìn)入市場(chǎng),并通過(guò)安富利的全球分銷(xiāo)網(wǎng)絡(luò)觸達(dá)更多客戶(hù)。同時(shí),安富利將通過(guò)這種合作加強(qiáng)其在高增長(zhǎng)潛力市場(chǎng)中的產(chǎn)品線(xiàn)和市場(chǎng)地位,為客戶(hù)提供更廣泛的選擇。

氮化鎵(GaN)作為新一代電力電子器件的代表,因其高效率和高頻運(yùn)作的能力而受到業(yè)界關(guān)注。EPC Space和安富利的合作不僅預(yù)示著這一領(lǐng)域的商業(yè)潛力,也反映了兩家公司對(duì)于高科技電子市場(chǎng)趨勢(shì)的深刻理解和積極布局。隨著這種耐輻射GaN功率器件的不斷發(fā)展和優(yōu)化,未來(lái)在太空以及其他極端環(huán)境下的電子應(yīng)用將變得更加可靠和高效。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電子元件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    95

    文章

    1587

    瀏覽量

    60484
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    2221

    瀏覽量

    95479
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    21

    文章

    2385

    瀏覽量

    84459
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    瑞薩與EPC達(dá)成技術(shù)授權(quán):補(bǔ)全低壓GaN,強(qiáng)化供應(yīng)鏈

    解決方案在市場(chǎng)中的應(yīng)用。EPC與瑞薩將在未來(lái)一年內(nèi)合作建立這些產(chǎn)品的晶圓制造能力。此外,瑞薩電子還將作為第二貨源供應(yīng)商,生產(chǎn) EPC 數(shù)款已步入量產(chǎn)的熱門(mén)氮化鎵器件,從而增強(qiáng)客戶(hù)們的供應(yīng)鏈韌性。 ? 在高壓
    的頭像 發(fā)表于 03-02 02:49 ?1w次閱讀

    太空光伏電池的紫外輻射試驗(yàn)與遠(yuǎn)紫外試驗(yàn)

    太空光伏電池作為航天器的核心供能單元,其在空間極端環(huán)境下的長(zhǎng)期可靠性直接決定任務(wù)成敗。空間紫外輻射與遠(yuǎn)紫外輻射,是導(dǎo)致電池封裝材料老化、光電轉(zhuǎn)換效率衰減的關(guān)鍵因素。因此,依托紫創(chuàng)測(cè)控luminbox
    的頭像 發(fā)表于 02-25 18:05 ?240次閱讀
    <b class='flag-5'>太空</b>光伏電池的紫外<b class='flag-5'>輻射</b>試驗(yàn)與遠(yuǎn)紫外試驗(yàn)

    太空光伏電池的粒子輻射地面模擬試驗(yàn)

    太空光伏電池是航天器能源系統(tǒng)的核心組件,其在軌運(yùn)行期間長(zhǎng)期暴露于復(fù)雜的粒子輻射環(huán)境中,主要包括電子、質(zhì)子及少量中子。這些高能粒子會(huì)導(dǎo)致電池材料性能衰退,進(jìn)而降低光電轉(zhuǎn)換效率與輸出功率。為確保
    的頭像 發(fā)表于 02-06 18:02 ?377次閱讀
    <b class='flag-5'>太空</b>光伏電池的粒子<b class='flag-5'>輻射</b>地面模擬試驗(yàn)

    當(dāng)光伏飛向太空:霍爾電流傳感器如何守護(hù)馬斯克的100GW“天基電網(wǎng)”?

    最近,“太空光伏”感念隨著在馬斯克宏大的AI算力衛(wèi)星計(jì)劃被炒得火爆,馬斯克在社交平臺(tái)上公開(kāi)提出,計(jì)劃未來(lái)每年向太空部署高達(dá)100吉瓦(GW)的太陽(yáng)能AI衛(wèi)星能源網(wǎng)絡(luò)。這個(gè)部署量相當(dāng)于每年在外太空建設(shè)
    的頭像 發(fā)表于 01-12 15:14 ?2981次閱讀
    當(dāng)光伏飛<b class='flag-5'>向太空</b>:霍爾電流傳感器如何守護(hù)馬斯克的100GW“天基電網(wǎng)”?

    TPS7H60x5系列輻射加固半橋GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器的深度解析

    TPS7H60x5系列輻射加固半橋GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器的深度解析 在電子工程師的日常工作中,尋找高性能、高可靠性的器件是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。今天,我們就來(lái)深入探討德州儀器(TI)的TPS7H60x5
    的頭像 發(fā)表于 01-06 16:35 ?404次閱讀

    TPS7H60x5系列輻射加固半橋GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器:太空應(yīng)用的理想之選

    TPS7H60x5系列輻射加固半橋GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器:太空應(yīng)用的理想之選 在電子工程領(lǐng)域,特別是太空應(yīng)用場(chǎng)景中,對(duì)于高性能、高可靠性的電子元件需求極為迫切。今天,我們就來(lái)深入探討
    的頭像 發(fā)表于 01-06 15:25 ?330次閱讀

    小巧、輕便、高效,安森美垂直GaN解鎖功率器件應(yīng)用更多可能

    在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中,電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直GaNGaN層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上,其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部,而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓
    的頭像 發(fā)表于 12-04 17:13 ?742次閱讀
    小巧、輕便、高效,安森美垂直<b class='flag-5'>GaN</b>解鎖<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>應(yīng)用更多可能

    安森美垂直GaN技術(shù)賦能功率器件應(yīng)用未來(lái)

    在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中,電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaNGaN 層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上,其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部,而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓
    的頭像 發(fā)表于 12-04 09:28 ?2068次閱讀
    安森美垂直<b class='flag-5'>GaN</b>技術(shù)賦能<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>應(yīng)用未來(lái)

    全球首款!GaN功率模塊進(jìn)入增程器總成

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 GaN憑借高頻開(kāi)關(guān)、低損耗、高功率密度的先天優(yōu)勢(shì),已經(jīng)在各類(lèi)電源產(chǎn)品上被廣泛應(yīng)用,在汽車(chē)領(lǐng)域,車(chē)載充電機(jī)OBC已經(jīng)有不少產(chǎn)品應(yīng)用了GaN功率
    的頭像 發(fā)表于 11-27 08:44 ?4515次閱讀

    安森美入局垂直GaNGaN進(jìn)入高壓時(shí)代

    的標(biāo)桿。 ? 在全球 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)等高能耗應(yīng)用推動(dòng)能源需求激增的背景下,功率半導(dǎo)體的能效與功率密度已成為技術(shù)升級(jí)的核心瓶頸。而垂直GaN
    的頭像 發(fā)表于 11-10 03:12 ?7820次閱讀

    Leadway GaN系列模塊的功率密度

    場(chǎng)景提供高性?xún)r(jià)比的全國(guó)產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破: GaN(氮化鎵)作為寬禁帶半導(dǎo)體,電子遷移率(2000cm2/Vs)和飽和漂移速度(2.5×10?cm/s)遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件
    發(fā)表于 10-22 09:09

    TPS7H6101-SEP 輻射 200V 10A GaN 功率級(jí),集成驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

    該TPS7H6101是一款輻射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半橋,集成柵極驅(qū)動(dòng)器;e模式氮化鎵FET和柵極驅(qū)動(dòng)器的集成簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),減少了元件數(shù)量,并減少了電路板空間。
    的頭像 發(fā)表于 08-06 16:44 ?1194次閱讀
    TPS7H6101-SEP <b class='flag-5'>耐</b><b class='flag-5'>輻射</b> 200V 10A <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>功率</b>級(jí),集成驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

    GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐

    GaN器件當(dāng)前被稱(chēng)作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類(lèi)高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如全控型電力開(kāi)關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 相比
    的頭像 發(fā)表于 07-09 11:13 ?4174次閱讀
    <b class='flag-5'>GAN</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐

    電源功率器件篇:線(xiàn)路寄生電感對(duì)開(kāi)關(guān)器件的影響

    、降低線(xiàn)路寄生電感影響的方案 1、優(yōu)化PCB布局設(shè)計(jì) ▍縮短功率回路路徑 ? 將功率開(kāi)關(guān)器件、直流母線(xiàn)電容、驅(qū)動(dòng)電路等盡可能靠近布局,減少
    發(fā)表于 07-02 11:22

    GaN與SiC功率器件深度解析

    本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?;趯?duì)市售GaN與SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:28 ?2479次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>與SiC<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>深度解析
    同德县| 阜宁县| 芜湖市| 濮阳县| 郑州市| 隆昌县| 郑州市| 横峰县| 江山市| 乾安县| 寿阳县| 五峰| 安康市| 聂拉木县| 古蔺县| 安义县| 叶城县| 岳池县| 朝阳市| 班玛县| 广昌县| 崇文区| 孝昌县| 读书| 全南县| 英吉沙县| 昭平县| 安新县| 平乐县| 阿合奇县| 云梦县| 崇信县| 内黄县| 安顺市| 建平县| 雷州市| 赤城县| 福清市| 珠海市| 吴忠市| 白山市|