SK海力士尋求東電低溫蝕刻設(shè)備，或降低NAND閃存堆棧層數(shù)
韓國媒體The Elec于本周五透露，SK海力士向東京電子寄送了晶圓樣品，旨在檢驗(yàn)其低溫蝕刻技術(shù)，這可能引領(lǐng)未來NAND閃存制造的變革。
當(dāng)前，3D NAND閃存在通過提高堆棧層數(shù)來增加容量上取得顯著進(jìn)展。然而，在這種趨勢下，閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發(fā)困難且速率減緩。
為了解決這個問題，制造商們開始嘗試將整個NAND閃存分為多個堆棧制造，然后再將這些堆棧整合為一個整體。然而，這種方法帶來了新的挑戰(zhàn)，如對齊問題和性能、能效的下降。
值得注意的是，東京電子的新型低溫蝕刻設(shè)備的工作溫度為-70℃，遠(yuǎn)低于現(xiàn)有的0~30℃范圍。根據(jù)IT之家去年的報道，這款設(shè)備可以在短短33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻，效率超過現(xiàn)有設(shè)備的3倍。此外，該設(shè)備還采用了更環(huán)保的氟化氫（HF）氣體，相比傳統(tǒng)的氟碳化物氣體，其溫室效應(yīng)更小。
SK海力士已宣布推出最新的321層NAND閃存，采用了三堆棧結(jié)構(gòu)。業(yè)界預(yù)測，若東京電子的低溫蝕刻設(shè)備表現(xiàn)出色，未來400+層閃存產(chǎn)品的堆棧數(shù)量有望降至2甚至1。
與此同時，SK海力士的主要競爭對手三星電子也正在試用該設(shè)備的演示版，以評估低溫蝕刻的效果。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5444瀏覽量
132711 -
NAND閃存
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
229瀏覽量
23832 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1008瀏覽量
41887
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
KV緩存黑科技！SK海力士“H3存儲架構(gòu)”，HBM和HBF技術(shù)加持！
據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)日報報道，SK海力士近日在IEEE（電氣與電子工程師協(xié)會）全球半導(dǎo)體大會上發(fā)表論文，提出了一種全新的存儲架構(gòu)。據(jù)悉，該架構(gòu)名為“H3（hybrid semiconductor
SK海力士在CES 2026展示面向AI的下一代存儲器解決方案
SK海力士（或‘公司’）6日宣布，公司將于當(dāng)?shù)貢r間1月6日至9日，在美國拉斯維加斯舉辦的“CES 2026”威尼斯人會展中心設(shè)立專屬客戶展館，并集中展示面向AI的下一代存儲器解決方案。
SK海力士HBS存儲技術(shù)，基于垂直導(dǎo)線扇出VFO封裝工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項(xiàng)全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項(xiàng)HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃，該技術(shù)
SK海力士發(fā)布未來存儲路線圖
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日，韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上，SK海力士CEO郭魯正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全線AI存儲創(chuàng)造者”（Full
SK海力士ZUFS 4.1閃存，手機(jī)端AI運(yùn)行時間縮短47%！
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，SK海力士宣布，已正式向客戶供應(yīng)其全球率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.1。 ? SK
強(qiáng)強(qiáng)合作 Sandisk閃迪與SK海力士攜手推動高帶寬閃存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化
Sandisk閃迪公司（NASDAQ：SNDK）正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄（Memorandum of Understanding，MOU），雙方將攜手制定高帶寬閃存
SK海力士321層4D NAND的誕生
SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（
SK海力士在微細(xì)工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力
SK海力士的成功神話背后，離不開眾多核心技術(shù)的支撐，其中最令人矚目的便是“微細(xì)工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細(xì)電路進(jìn)行更為精細(xì)化的處理，SK海力士憑借壓倒性的技術(shù)實(shí)力，引領(lǐng)著全球半導(dǎo)體
SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于SK
SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產(chǎn)業(yè)勛章
SK海力士宣布，5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀(jì)念儀式”上，來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
SK海力士向無錫首個應(yīng)急救援驛站捐贈AED設(shè)備
近日，SK海力士向無錫市首個應(yīng)急救援驛站（山水城（雪浪街道）石塘社區(qū)）捐贈自動體外除顫儀（AED）設(shè)備，助力提升基層應(yīng)急救援能力，為居民生命健康筑起堅(jiān)實(shí)屏障。
SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領(lǐng)跑者
近年來，SK海力士屢獲創(chuàng)新成果，這些成就皆得益于“一個團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神（One Team Spirit）”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品，還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商，這些
SK海力士UFS 4.1來了，基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產(chǎn)品
SK海力士以基于AI/DT的智能工廠推動HBM等核心產(chǎn)品的營收增長
近日，SK海力士宣布，在首爾江南區(qū)韓國科學(xué)技術(shù)會館舉行的“2025年科學(xué)?信息通訊日紀(jì)念儀式”上，公司數(shù)字化轉(zhuǎn)型組織的都承勇副社長榮獲了科學(xué)技術(shù)信息通信部頒發(fā)的銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%
得益于AI需求的有力推動；高帶寬內(nèi)存(HBM)需求持續(xù)暴漲，這帶動了英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%。 據(jù)SK海力士公布的財務(wù)業(yè)績數(shù)據(jù)顯示，在2025年第一季度
評論