據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce估算，市場對HBM需求呈現(xiàn)高速增長，加上HBM利潤高，故三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產(chǎn)能投片，預計到2024年底前，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）在先進制程中的投片量將占據(jù)35%的比重，其余則用以生產(chǎn)LPDDR5（x）與DDR5產(chǎn)品。

在先進制程中，HBM由于其出色的性能和不斷增長的市場需求，生產(chǎn)順序被優(yōu)先考慮。盡管HBM的良率目前約為50~60%，且晶圓面積相較DRAM產(chǎn)品放大了逾60%，但其投片比重依然較高。

以HBM最新進展來看，TrendForce表示，今年HBM3e是市場主流，集中下半年出貨。SK海力士仍是主要供應商，與美光均采用1β nm制程，兩家廠商已出貨英偉達；三星則采用1α nm制程，第二季度完成驗證，年中交貨。

這一預測來自于集邦咨詢（TrendForce）的研究，該研究指出三大原廠（美光、SK 海力士和三星電子）已經(jīng)開始提高先進制程的投片量，預計1alpha nm（含）以上的投片到年底將占DRAM總投片比重約40%。

這一預測反映了HBM技術(shù)在半導體產(chǎn)業(yè)中的重要地位，以及其在滿足AI大模型等應用對海量算力需求方面的關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)的不斷進步和市場需求的持續(xù)增長，HBM有望在未來繼續(xù)保持強勁的發(fā)展勢頭。