近日,純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開(kāi)展深度合作,共同推動(dòng)碳化硅(SiC)功率器件的生產(chǎn)。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠,利用Soitec的SmartSiC技術(shù)生產(chǎn)碳化硅功率器件。
此次合作是在雙方評(píng)估階段成功完成之后進(jìn)行的。在評(píng)估階段,X-Fab Texas在6英寸SmartSiC晶圓上成功制造了碳化硅功率器件,充分證明了雙方技術(shù)融合的可行性。
根據(jù)合作協(xié)議,Soitec將通過(guò)聯(lián)合供應(yīng)鏈寄售模式,為X-Fab的客戶提供SmartSiC襯底的使用權(quán)。這一模式將確保客戶能夠順利獲取所需的SmartSiC襯底,從而加速碳化硅功率器件的生產(chǎn)和應(yīng)用。
此次合作將進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅功率器件的市場(chǎng)應(yīng)用,為電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的發(fā)展提供有力支持。同時(shí),這也展示了X-Fab和Soitec在半導(dǎo)體領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力和創(chuàng)新能力。
-
功率器件
+關(guān)注
關(guān)注
43文章
2207瀏覽量
95447 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3847瀏覽量
70068 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3538瀏覽量
52647
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)與工程實(shí)踐
基于SiC碳化硅功率器件的c研究報(bào)告
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書(shū)深度解析與應(yīng)用指南
傾佳電子市場(chǎng)報(bào)告:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破
探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)
碳化硅功率器件的基本特性和主要類(lèi)型
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑
簡(jiǎn)述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅功率器件在汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用
基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
X-Fab與Soitec攜手推進(jìn)碳化硅功率器件生產(chǎn)
評(píng)論