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USB3.0/3.1靜電放電防護方案

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2024-08-05 17:37 ? 次閱讀
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方案簡介

USB是一種通用的串行總線標準,定義了數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議和電源供應(yīng)規(guī)范,用于連接計算機與外部設(shè)備。USB接口的設(shè)計初衷是為了簡化計算機與外部設(shè)備之間的連接,通過一個統(tǒng)一的接口標準來替代以往計算機上眾多的串行和并行接口。

USB3.0的理論速度最高可達5Gbps,相比USB2.0極大地提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)男屎退俣?,且保持了與USB2.0及更早版本的向后兼容性,用戶可以在USB3.0接口上使用USB2.0的設(shè)備。其廣泛應(yīng)用于消費電子、計算機和外設(shè)等領(lǐng)域,如文件傳輸、攝像頭、打印機、掃描儀等。由于高速系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)較小,且金屬引腳外露,所以接口對ESD靜電放電事件更為敏感。此USB3.0方案信號部分采用集成四通道保護、超低容值、低漏電的ESD靜電二極管防護器件,在不影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那疤嵯聺M足IEC61000-4-2 Level 4靜電放電防護需求。

USB3.1是USB3.0的升級版,提供了更高的數(shù)據(jù)傳輸速度和一系列新功能。它包含Gen1和Gen2兩個版本,其中Gen1的速度與USB3.0相同(5Gbps),而Gen2則達到了10Gbps。USB3.1支持最高100W的電力輸出,遠超USB2.0和USB3.0的電力輸出能力,滿足更多高功率設(shè)備的充電需求。由于其高速傳輸速度和強大的電力供應(yīng)能力,被廣泛應(yīng)用于需要高性能數(shù)據(jù)傳輸和充電的設(shè)備中,如高端電腦、游戲設(shè)備、虛擬現(xiàn)實設(shè)備等。提高數(shù)據(jù)速率的同時也顯示了系統(tǒng)級ESD器件靜電防護能力的重要性。此USB3.1方案高速信號部分采用單路雙向超低容的ESD靜電二極管防護器件,配合集成4路低容的ESD器件,提供靈活的布線選擇,在不影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那疤嵯聺M足IEC61000-4-2 Level 4靜電放電防護需求。

USB 3.0引腳配置

wKgZomawnSeAclJrAAD5mbWIlvI331.png

Pin 名稱 功能描述 Pin 名稱 功能描述
1 VBUS 電源+5V 2 D- USB2.0數(shù)據(jù)線data-
3 D+ USB2.0數(shù)據(jù)線data+ 4 GND 接地
5 SSRX- 超高速接收機差分對 6 SSRX+ 超高速接收機差分對
7 GND_DRAIN 接地 8 SSTX- 超高速發(fā)送器差分對
9 SSTX+ 超高速發(fā)送器差分對

USB 3.1引腳配置

wKgaomawnTSABKHNAAB9oMp7KZI363.png

Pin 名稱 功能描述 Pin 名稱 功能描述
A1 GND 接地 B1 GND 接地
A2 SSTXp1 超高速差分信號
#1,TX,正
B2 SSRXp1 超高速差分信號
#1,RX,正
A3 SSTXn1 超高速差分信號
#1,TX,負
B3 SSRXn1 超高速差分信號
#1,RX,負
A4 VBUS 總線電源 B4 VBUS 總線電源
A5 CC1 Configuration Channel B5 SBU2 Sideband Use (SBU)
A6 Dp1 USB2.0差分信號Position1,正 B6 Dn2 USB2.0差分信號position2,負
A7 Dn1 USB2.0差分信號Position1,負 B7 Dp2 USB2.0差分信號position2,正
A8 SBU1 Sideband Use (SBU) B8 CC2 Configuration channel
A9 VBUS 總線電源 B9 VBUS 總線電源
A10 SSRXn2 超高速差分信號
#2,RX,負
B10 SSTXn2 超高速差分信號
#2,TX,負
A11 SSRXp2 超高速差分信號
#2,RX,正
B11 SSTXp2 超高速差分信號
#2,TX,正
A12 GND 接地 B12 GND 接地

應(yīng)用示例

wKgZomawnUGAIbYLAAAy8kuCP04962.png

根據(jù)USB 3.0要兼容USB 2.0的特性,USB 3.0的靜電防護分為兩部分:Vbus和兼容USB 2.0的一對差分線(D+和 D-)共用一片四引腳ESD防護器件SELC143T5V2UC進行防護,該器件的工作電壓為5V,結(jié)電容僅為1.0pF,符合IEC 61000-4-2 (ESD)規(guī)范,在 ±15kV(空氣)和 ±15kV(接觸)下提供瞬變保護;新增的兩對差分線SSTX+/-和SSRX+/-共用一片六引腳ESD防護器件SEUC10F5V4UB進行防護,該器件的工作電壓為5V,結(jié)電容僅為0.4pF,符合IEC 61000-4-2 (ESD)規(guī)范,在 ±25kV(空氣)和 ±20kV(接觸)下提供瞬變保護。

wKgZomawnUyAM_4aAABGE8VAkNw428.png

總線電源VBUS

電源線,用于供電。考慮到使用USB-PD滿足充電,推薦采用TDS平緩鉗位器件ESTVS2200DRVR做靜電浪涌防護, DFN封裝,峰值電流27A,符合IEC 61000-4-2 (ESD)規(guī)范,在 ±30kV(空氣)和 ±30kV(接觸)下提供瞬變保護。

該TDS器件可用于PD接口防護,一旦瞬態(tài)電壓攀升至超過集成精密觸發(fā)器所設(shè)定的擊穿電壓(VBR)閾值,觸發(fā)器即會立即啟動,激活與之相連的驅(qū)動電路。這一動作迅速使浪涌級FET由截止轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài),進而將可能損害電路的巨大瞬態(tài)能量(IPP)引導(dǎo)并安全地釋放至地。

SuperSpeed TX+ ,TX- ,RX+, RX-差分線

高速差分信號線,支持10Gbps的高速USB接口和交替模式的數(shù)據(jù)傳輸。由于接口試圖在傳輸大量內(nèi)容時仍保持極高速度,因此選擇合適的ESD防護器件至關(guān)重要。推薦用低結(jié)電容0.2PF,小體積CSP0603-2L方便布線,深回掃,低鉗位電壓SEUCS2Z3V1B做靜電保護,符合IEC 61000-4-2 (ESD)規(guī)范,在 ±15kV(空氣)和 ±15kV(接觸)下提供瞬變保護,確保信號完整性。

D+/D-差分線, Configuration Channel&Sideband use (SBU)

用于兼容USB 2.0接口的D+/-引腳和通信通道CC2、輔助通道SBU2共用一片六引腳ESD防護器件SEUC10F5V4U或SEUC10F5V4UB進行防護。SEUC10F5V4U器件的工作電壓為5V,結(jié)電容僅為0.6pF,符合IEC 61000-4-2 (ESD)規(guī)范,在 ±17kV(空氣)和 ±12kV(接觸)下提供瞬變保護;SEUC10F5V4UB器件的工作電壓為5V,結(jié)電容僅為0.4pF,符合IEC 61000-4-2 (ESD)規(guī)范,在 ±25kV(空氣)和 ±20kV(接觸)下提供瞬變保護??蛻艨筛鶕?jù)實際的信號速率進行選擇。

型號參數(shù)

規(guī)格型號 方向 工作電壓(V) IPP(A) 鉗位電壓(V) 結(jié)電容(pF) 封裝
SELC143T5V2UC Uni. 5 7 15 1.0 SOT-143
SEUC10F5V4U Uni. 5 4.5 12 0.6 DFN2510-10L
SEUC10F5V4UB Uni. 5 3 12 0.4 DFN2510-10L
SEUCS2Z3V1B Bi. 3.3 9 5 0.2 CSP0603-2L
ESTVS2200DRVR Uni. 22 27 30.8 150 DFN

電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6 9 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1 uA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 10 13 V
Clamping Voltage VC IPP=7A; tp=8/20us 15 20 V
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz
I/O pin to I/O pin
0.5 0.8 pF
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz
I/O pin to GND
1.0 1.6 pF

表1 SELC143T5V2UC電氣特性表

Parameters Symbol conditions Min. Typ. Max. Unit
Reverse stand-off voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT= 1mA 6.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Peak Pulse Current IPP TP=8/20us@25℃ 4.5 A
Clamping Voltage VCL IPP=1A; TP=8/20us 9.0 11.0 V
Clamping Voltage VCL IPP=4.5A; TP=8/20us 12.0 15.0 V
Junction capacitance CJ I/O pins to ground;
VR=0V; f = 1MHz
0.6 pF
Between I/O pins;
VR=0V; f = 1MHz 0.3

表2 SEUC10F5V4U電氣特性表

Parameters Symbol conditions Min. Typ. Max. Unit
Reverse stand-off voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT= 1mA 6.0 7.5 8.5 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5V 1.0 uA
Clamping Voltage VCL IPP=1A; TP=8/20us 9.0 11.0 V
Clamping Voltage VCL IPP=3A; TP=8/20us 12.0 15.0
Junction capacitance CJ I/O pins to ground; VR=0V; f = 1MHz 0.4 0.5 pF
Between I/O pins; VR=0V; f = 1MHz 0.2 0.25

表3 SEUC10F5V4UB電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 3.3 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0 8.8 10.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=3.3 1 100 nA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 1 V
Clamping Voltage VC IPP=9A; tp=8/20us 5 V
Clamping Voltage VC Ipp=16A,tlp=100ns 6 V
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz 0.2 0.25 pF

表4 SEUCS2Z3V1B電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
反向工作電壓 VRWM 22 V
反向擊穿電壓 VBR IT=1mA 27.5 V
反向漏電 IR VRWM=22V 1 nA
正向電壓 VF IT=1mA 0.55 V
鉗位電壓 VCL IPP=9A; tp=8/20us 28.4 V
VCL IPP=27A; tp=8/20us 30.8 V
導(dǎo)通電阻 RDYN* tp=8/20us 96
結(jié)電容 CJ VR=22V; f=1MHz 150 pF

表5 ESTVS2200DRVR電氣特性表

總結(jié)與結(jié)論

隨著移動設(shè)備和存儲設(shè)備的普及,高速的數(shù)據(jù)傳輸變得越來越重要。USB 3.0/3.1不僅應(yīng)用于傳統(tǒng)的計算機外設(shè),還廣泛應(yīng)用于智能手機、平板電腦、SSD固態(tài)硬盤、相機等設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸和充電。因此防止災(zāi)難性靜電放電(ESD)事件對USB 3.0/3.1端口的侵害,成為了不可忽視的課題。

ELECSUPER SEMI高效、可靠的ESD產(chǎn)品專為各類USB接口設(shè)計以有效抵御ESD威脅,為全球眾多知名電子設(shè)備提供了堅實的防護屏障。選擇ELECSUPER SEMI ESD防護器件來保護USB 3.0/3.1端口,保障了數(shù)據(jù)傳輸?shù)捻槙碂o阻,顯著提升受保護設(shè)備的耐用性與長期使用的可靠性,為用戶帶來更加安心、穩(wěn)定的數(shù)字生活體驗。

審核編輯 黃宇

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