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高密度互連,引爆后摩爾技術(shù)革命

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:司逸 晶上世界 ? 作者:司逸 晶上世界 ? 2024-10-18 17:57 ? 次閱讀
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來源:司逸 晶上世界

Yole Group最新發(fā)布報告指出,先進(jìn)封裝市場預(yù)計將以每年11%的復(fù)合年增長率(CAGR)增長,到2029年達(dá)到695億美元。而且Yole Group在6月發(fā)布的報告中指出玻璃芯基板在先進(jìn)封裝領(lǐng)域中正成為新的創(chuàng)新焦點,引領(lǐng)著超集成高密度互連技術(shù)的飛躍。通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新實現(xiàn)高密度互連,將是推動先進(jìn)封裝技術(shù)在后摩爾時代跨越發(fā)展的關(guān)鍵所在。

后摩爾新興技術(shù)

催生高密度互連發(fā)展機遇

現(xiàn)階段,摩爾定律正面臨經(jīng)濟(jì)和工程雙重挑戰(zhàn),隨著制程技術(shù)的進(jìn)步,每百萬門器件的成本不降反升,產(chǎn)品設(shè)計和生產(chǎn)線建設(shè)的成本急劇增加。

在這種背景下,Chiplet等新興技術(shù)應(yīng)運而生,推動先進(jìn)封裝技術(shù)向高密度集成方向發(fā)展。包括有機基板(含EMIB)、硅轉(zhuǎn)接(CoWoS)、晶上系統(tǒng)(SoW)、倒裝/FC(含TCB、HB)等一系列技術(shù),正在重新定義集成電路的未來。

據(jù)臺積電(TSMC)的預(yù)測數(shù)據(jù),到2030年,單芯片(單Die)的集成度將達(dá)到2000億,單個封裝的集成度將達(dá)到10000億。通過使用更復(fù)雜的封裝結(jié)構(gòu)和提高封裝互連密度,可以將芯片的晶體管集成度提高5倍。更重要的是,通過封裝提高集成度的成本遠(yuǎn)低于前道工藝為晶體管集成度提高所付出的代價。

先進(jìn)封裝解決方案

不斷推陳出新

在超高集成的發(fā)展趨勢下,各大企業(yè)紛紛亮劍,針對CPU、GPU、FPGA等多種不同功能的芯片產(chǎn)品,采用了多種封裝集成方案。

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另外,近幾年,晶圓級封裝解決方案脫穎而出。Tesla和加州大學(xué)基于不同封裝技術(shù)路線推出的SoW成果都具備顯著的超高集成互連密度優(yōu)勢。

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中電科58所

國內(nèi)高密度互連技術(shù)領(lǐng)航者

在這場全球技術(shù)競賽中,中國力量同樣不容忽視。中電科58所,作為國內(nèi)高密度互連技術(shù)的領(lǐng)軍者,正以卓越的設(shè)計能力和前瞻性的解決方案,積極擁抱這場技術(shù)革命。

中電科58所基于現(xiàn)有先進(jìn)封裝產(chǎn)線,依托于高密度有機基板加工平臺,結(jié)合業(yè)內(nèi)玻璃芯材制備能力,完成玻璃芯有機基板研制平臺搭建。

目前,已突破玻璃熱膨脹系數(shù)改性技術(shù)、深孔內(nèi)種子層連續(xù)沉積技術(shù)、高密度極多層布線、超細(xì)垂直盲孔填充等核心技術(shù),實現(xiàn)具有高布線密度、短加工制造周期、高頻傳輸性能及高可靠的玻璃芯有機基板制備,形成全流程玻璃芯有機基板加工技術(shù)路線與可靠性評價方案。

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超密互連通孔展示

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玻璃基板與有機基板關(guān)于承載芯片數(shù)量的對比

高密度互連技術(shù)的迅猛發(fā)展,正為后摩爾時代的先進(jìn)封裝帶來無限可能。以中電科58所為代表的創(chuàng)新力量將通過不斷的突破與積累,繼續(xù)引領(lǐng)這場變革,推動先進(jìn)封裝技術(shù)的跨越式發(fā)展,為我國集成電路的未來注入新的活力和動力。

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