國(guó)產(chǎn)已經(jīng)做到可以自研低邊驅(qū)動(dòng)芯片,且已經(jīng)有大量產(chǎn)品上市。這里給出國(guó)產(chǎn)某廠商在低邊通道領(lǐng)域?qū)?biāo)ST系列產(chǎn)品的對(duì)照表。
| 國(guó)產(chǎn)廠商產(chǎn)品 | ST產(chǎn)品 | 通道數(shù) |
|---|---|---|
| HELS121 | VNN3NV04PTR-E | 單通道 |
| HELS121D | VNS3NV04DPTR-E | 雙通道 |
| HELS160 | VNL5160 | 單通道 |
| HELS160D | VNLD5160 | 雙通道 |
下面給出該系列產(chǎn)品的簡(jiǎn)單介紹:
HELS121&121D:
HELS121是一款具有多種保護(hù)功能的單/雙通道自保護(hù)低邊驅(qū)動(dòng)芯片,已通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證,采用SOT223/SOP8封裝。
| 功能/特性 | HELS121(D) | VNN3NV04(D)PTR-E |
|---|---|---|
| R | 120mΩ | 120mΩ |
| 限流值(最小值) | 3.5A | 3.5A |
| 漏源鉗位電壓 | 40V | 40V |
| 工作溫度 | -40℃~125℃ | -40℃~125℃ |
| AEC-Q100認(rèn)證 | √ | √ |
| 電流限制保護(hù)功能 | √ | √ |
| 熱關(guān)斷 | √ | √ |
| 短路保護(hù) | √ | √ |
| 集成鉗位 | √ | √ |
| 診斷反饋 | √ | √ |
| ESD保護(hù) | √ | √ |
| 直驅(qū)柵極功率MOS管 | √ | √ |
| 與標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET兼容 | √ | √ |
HELS160&160D:
HELS160&160D是一款具有多種保護(hù)功能的單/雙通道自保護(hù)低邊驅(qū)動(dòng)芯片,采用SOP8封裝。
| 功能/特性 | HELS160(D) | VNL(D)5160 |
|---|---|---|
| R | 160mΩ | 160mΩ |
| 典型限流值 | 5A | 5A |
| 漏源鉗位電壓 | 41V | 41V |
| 工作溫度 | -40℃~125℃ | -40℃~125℃ |
| AEC-Q100認(rèn)證 | √ | √ |
| 電流限制保護(hù)功能 | √ | √ |
| 熱關(guān)斷 | √ | √ |
| 短路保護(hù) | √ | √ |
| 集成鉗位 | √ | √ |
| 診斷反饋 | √ | √ |
| ESD保護(hù) | √ | √ |
| 極低的待機(jī)電流 | √ | √ |
| 兼容3.3V與5V系統(tǒng) | √ | √ |
審核編輯 黃宇
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