雙方共同開發(fā)的技術(shù)解決方案將大幅降低物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式產(chǎn)品的耗電及芯片尺寸。

美國加利福尼亞圣克拉拉，（2018 年 2月 27 日）——今日，格芯 與 eVaderis共同宣布，將共同開發(fā)超低功耗MCU參考設(shè)計(jì)方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX?）平臺(tái)的嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。雙方合作所提供的技術(shù)解決方案將格芯22FDX eMRAM優(yōu)異的可靠性與多樣性與 eVaderis的超低耗電IP結(jié)合，適合包括電池供電的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品、消費(fèi)及工業(yè)用微處理器、車用控制器等各種應(yīng)用。

eVaderis 的 MCU 設(shè)計(jì)充分利用了 22FDX 平臺(tái)高效的電源管理能力，相較于上一代 MCU，電池續(xù)航力可提高到10 倍以上，同時(shí)芯片尺寸大幅降低。這項(xiàng)由格芯FDXcelerator?合作項(xiàng)目（FDXcelerator? Partner Program）開發(fā)的技術(shù)，所提供的高器件密度、低成本的單芯片解決方案，特別符合對(duì)功耗敏感的應(yīng)用， 可幫助芯片設(shè)計(jì)人員將效能、密度以及易用性推向新的高度。

“eVaderis 創(chuàng)新架構(gòu)的超低耗電 MCU IP 設(shè)計(jì)以格芯 22FDX eMRAM 技術(shù)為基礎(chǔ)打造，非常適合常閉的（normally-off）物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。”eVaderis 總裁兼首席執(zhí)行官 Jean-Pascal Bost表示，“以格芯eMRAM 作為工作內(nèi)存，可讓MCU的部分電路更頻繁的下電，而不會(huì)引起MCU的性能損失。eVaderis 希望能在今年年底之前將這項(xiàng)通過驗(yàn)證的 IP 提供給客戶。”

“穿戴式和物聯(lián)網(wǎng)裝置需要耐久的電池續(xù)航力、更高的運(yùn)行能力并集成先進(jìn)的傳感器?！备裥厩度胧酱鎯?chǔ)器事業(yè)部副總裁 Dave Eggleston 表示，“身為 FDXcelerator 合作伙伴，eVaderis運(yùn)用基于格芯 22FDX 的 eMRAM技術(shù)， 開發(fā)全新的MCU架構(gòu)，幫助客戶達(dá)成更高的需求?！?/p>

格芯與eVaderis基于格芯22FDX 的 eMRAM技術(shù)共同開發(fā)的參考設(shè)計(jì)將于 2018 年第 4 季面世。包含有eMRAM 和射頻解決方案的22FDX設(shè)計(jì)套件現(xiàn)已發(fā)布。用于客戶進(jìn)行原型驗(yàn)證的多項(xiàng)目晶圓（MPW）已經(jīng)開放，現(xiàn)成的eMRAM 模塊也已提供，有Flash 和SRAM兩種接口方案可供選擇，使得客戶可以更容易地進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)。格芯預(yù)計(jì)eMRAM將在 2018 年開始小批量生產(chǎn)。

關(guān)于 eVaderis

eVaderis創(chuàng)立于 2014 年，是全球首家以MRAM及RRAM等新型顛覆性內(nèi)嵌內(nèi)存技術(shù)為基礎(chǔ)，提供創(chuàng)新IP解決方案的公司。該公司提供具備高競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品級(jí)設(shè)計(jì)服務(wù)，可滿足生產(chǎn)高階非揮發(fā)性內(nèi)存、編譯程序、邏輯組件庫及處理器子系統(tǒng)的需求，為新芯片設(shè)計(jì)模式建立基礎(chǔ)。eVaderis是格芯FDXcelerator?合作伙伴計(jì)劃的成員。

關(guān)于格芯

格芯是全球領(lǐng)先的全方位服務(wù)半導(dǎo)體代工廠，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨(dú)一無二的設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造服務(wù)。伴隨著全球生產(chǎn)基地橫跨三大洲的發(fā)展步伐，格芯促生了改變行業(yè)的技術(shù)和系統(tǒng)的出現(xiàn)，并賦予了客戶塑造市場(chǎng)的力量。