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安森美新型SiC模塊評(píng)估板概述

安森美 ? 來(lái)源:安森美 ? 2025-02-25 15:24 ? 次閱讀
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碳化硅(SiC)技術(shù)正引領(lǐng)一場(chǎng)革新,為從新能源汽車到工業(yè)電源管理等多個(gè)行業(yè)帶來(lái)前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術(shù)的潛力,安森美(onsemi)推出了一系列評(píng)估板,速來(lái)一起探索。

1200V M3S半橋2-pack模塊

此評(píng)估板旨在測(cè)試安森美采用F1封裝的1200V M3S半橋2-pack模塊。M3S SiC (碳化硅)模塊是快速開關(guān)應(yīng)用的理想之選。該評(píng)估板支持雙脈沖開關(guān)測(cè)量和半橋模塊的開環(huán)功率測(cè)試,還可以連接到外部控制器以提供PWM輸入并處理故障信號(hào)。

1200V 2-PACK、TNPC SiC MOSFET模塊評(píng)估板

該評(píng)估板專為測(cè)試采用F2封裝的1200 V M3S,3電平TNPC模塊而設(shè)計(jì)。

雙脈沖測(cè)試 (DPT) 評(píng)估板

該評(píng)估板旨在對(duì)比采用各種分立封裝的安森美SiC MOSFET和IGBT的性能。

全面的 900-1200V EliteSiC 功率集成模塊(PIM)

EliteSiC功率模塊針對(duì)關(guān)鍵拓?fù)湓O(shè)計(jì),能夠?yàn)橹绷骺斐洌?a target="_blank">DCFC)、儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、不間斷電源(UPS)和光伏逆變器等應(yīng)用提供從25 kW~100 kW的可擴(kuò)展功率輸出。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:安森美新型SiC 模塊評(píng)估板實(shí)力出圈,電力電子工程師必看!

文章出處:【微信號(hào):onsemi-china,微信公眾號(hào):安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    的頭像 發(fā)表于 03-09 16:15 ?622次閱讀

    安森美SiC JFET和SiC Combo JFET產(chǎn)品組合介紹

    性能。我們已介紹過(guò)浪涌電流、應(yīng)對(duì)不斷攀升的電力需求、為什么要使用固態(tài)斷路器,SSCB 采用 SiC JFET 的四個(gè)理由,SiC JFET 如何實(shí)現(xiàn)熱插拔控制。本文將繼續(xù)介紹AI電力革命、安森美(onsemi)產(chǎn)品組合。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 09:40 ?4212次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 12-18 14:20 ?767次閱讀

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    的頭像 發(fā)表于 12-04 13:34 ?556次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET NVBG025N065SC1:汽車電子應(yīng)用的理想之選

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    的頭像 發(fā)表于 12-03 15:30 ?895次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET:NVBG070N120M3S解析與應(yīng)用

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    ?基于<b class='flag-5'>安森美</b>EVBUM2878G-EVB<b class='flag-5'>評(píng)估</b><b class='flag-5'>板</b>數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析

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    的頭像 發(fā)表于 10-13 15:20 ?1598次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>圖像傳感器在機(jī)器視覺的應(yīng)用

    安森美邀您相約PCIM Asia 2025

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    的頭像 發(fā)表于 08-15 16:13 ?2707次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET<b class='flag-5'>模塊</b>在牽引逆變器的應(yīng)用

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    隨著電氣化浪潮席卷全球,人工智能應(yīng)用持續(xù)爆發(fā)式增長(zhǎng),使得高能效功率器件需求快速攀升。安森美推出了第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM 31智能功率模塊(IPM)系列,將為行業(yè)降
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    安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅(SiC)優(yōu)異的材料特性
    的頭像 發(fā)表于 06-16 16:40 ?1559次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>SiC</b> Combo JFET的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性

    安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹

    安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅(SiC)優(yōu)異的材料特性
    的頭像 發(fā)表于 06-13 10:01 ?1664次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b><b class='flag-5'>SiC</b> Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹
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