本文只介紹作為開關(guān)管使用時的電路設(shè)計

介紹電路之前，我們需要了解一下壓控和流控的概念

壓控：是指電壓作為控制信號，理想狀態(tài)下，對于MOS只要VGS的電壓滿足開啟要求(Vth)，MOS管就導通
流控：是指電流作為控制信號，對于BJT，只要Ibe滿足開啟要求，三極管就會導通 記得第一次分析MOS管的導通狀態(tài)的時候，還會各種考慮D級與G 極 D極與S極的電壓關(guān)系；搞得自己腦袋疼；記住不要去僅僅針對MOS管去分析各種關(guān)系，因為好多電壓關(guān)系在實際應用中并不會出現(xiàn) 現(xiàn)在不要去想那些！??！

NMOS

導通條件：VGS電壓高于Vth（一般4.5V）:R1 R2的作用就是為給G 和S 之間創(chuàng)造一個VGS (一般2.5~4.5V，管子就可以完全導通，具體看手冊);不用去關(guān)心G極與D極的電壓關(guān)系（只要沒達到擊穿電壓）；實測過，就算C極電壓低于G極電壓，管子依舊導通(不是經(jīng)過體二極管的那種導通)

有人會說如果S極不接地呢，其實一樣，只要你能保證VGS的電壓滿足要求就行：

比如下圖 只要此時G極電壓大于S極電壓（高于導通電壓），那就該怎么導通就怎么導通；

此時要特別注意，此時的S極電壓不是0V；具體多少V取決于你的電路，只要你能保證VGS；

比如此時S極電壓大于D極電壓，那不就是個二極管嗎？還分析啥？

結(jié)論：只要你保證VGS 滿足導通電壓，他就導通

NPN三級管

NPN三極管導通條件

1、Ib大約為1mA左右

2、Vbe>0.7V（因此設(shè)計時，需保證Vbe>0.7V，這個是導通條件）；但三極管導通時Vbe = 0.7V左右

就好像對于二極管，如果想讓它導通，就要保證其兩端壓差高于0.7V (只要高于0.7V 你設(shè)計成5V 10V 都可以)，但二極管一旦導通，其兩端電壓就是0.7V 有些繞；一個是條件、一個是特征；

考慮點：

電阻R9的作用：用于設(shè)置Ib的大小（我們假設(shè)當NPN導通時，此時Vb=0.7V,因此流過R9的電流約為（5-0.7）/4=1mA左右）

R11的作用：

（1）如果沒有R11、假設(shè)開關(guān)信號斷開，三級管的b極就懸空；此時其屬于高阻態(tài)（不確定狀態(tài)），極易受到外部的高壓靜電、雷擊、外部干擾信號的影響；導致三極管誤導通和擊穿損壞；

（2）由于工藝的原因的原因，三極管的三個極之間都存在寄生電容；當三極管關(guān)斷的時候，電容CBE可以通過R11更快速的放電，加快三極管關(guān)斷速度（使得其工作在放大區(qū)的時間減?。?/p>

R11阻值的選擇：

（1）必須要保證R11與R9在b極的分壓安全的大于0.7V,管子才能導通（如果不能導通，其他的分析還有啥意義）

（2）如果R11過大，會導致三極管關(guān)斷時間變慢

（3）R11在滿足分壓要求的條件下如果阻值過小，會導致功耗變大（0.7V/R11）

（4）據(jù)其他工程師的經(jīng)驗，R11選2K(個人覺得，這個值一定要滿足第一個條件，在其左右就可以了)

對于以上四個條件，你要先保證條件（1），如果功能都不能實現(xiàn)，還在講性能？？？

總結(jié)：

(1):三極管開關(guān)電路設(shè)計的思路是一種假設(shè)成真的設(shè)計方法：就是我按照其完全導通的時候選擇各種參數(shù)，而不是我先選參數(shù)后判斷其是否導通

(2):對于R9和R11的分壓要滿足Vbe大于0.7V（比如這個圖中設(shè)計的Vb=5*(2/6)=1.6V）但為什么實測出來是0.7V而不是1.6V

這是因為be間的特性很像一個二極管，只要其壓差大于0.7V 其壓差就是0.7V(有點繞，哈哈哈哈）以前這個問題困擾我這個小白

因此你要做的就是保證其大于0.7V；