哈哈哈哈哈操欧洲电影,久草网在线,亚洲久久熟女熟妇视频,麻豆精品色,久久福利在线视频,日韩中文字幕的,淫乱毛视频一区,亚洲成人一二三,中文人妻日韩精品电影

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

朝著自旋晶體管的目標(biāo)邁進(jìn)一大步

傳感器技術(shù) ? 來源:未知 ? 作者:鄧佳佳 ? 2018-03-20 10:35 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

日前,荷蘭格羅寧根大學(xué)的物理學(xué)家僅僅使用簡單的直流電流,就改變了通過磁體中的自旋波。這標(biāo)志著朝著構(gòu)造自旋電子器件的自旋晶體管的目標(biāo)邁出了一大步。這些自旋電子器件比傳統(tǒng)的電子器件更加節(jié)能。

下面,回顧一下筆者介紹過的自旋電子器件的研究案例。

1)美國德克薩斯大學(xué)達(dá)拉斯分??茖W(xué)家設(shè)計(jì)出的全碳自旋邏輯器件,完全由碳構(gòu)成,采用了自旋電子學(xué)原理。該器件的尺寸比硅晶體管更小,性能卻更佳,未來將有望取代硅晶體管。

2)荷蘭代爾夫特理工大學(xué)(TU Delft)教授 Vandersypen領(lǐng)導(dǎo)的科學(xué)家團(tuán)隊(duì)在硅量子芯片中將電子自旋的量子信息成功傳送至光子,對(duì)于跨越芯片連接量子位和擴(kuò)大量子位的數(shù)量來說,這一點(diǎn)非常重要。

3)荷蘭代爾夫特理工大學(xué)科維理納米科學(xué)研究所(Kavli Institute of Nanoscience Delft)與荷蘭科學(xué)研究組織AMOLF 研究所合作,開發(fā)出一種在室溫下將自旋信息轉(zhuǎn)化為可預(yù)見的光信號(hào)的方法。這一發(fā)現(xiàn)讓自旋電子學(xué)與納米光子學(xué)結(jié)合得更緊密,有望為大數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)處理開辟一條更加節(jié)能的途徑。

5)德國凱澤斯勞滕工業(yè)大學(xué)(TUK)的團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種生成太赫茲波的新方法:利用磁性金屬納米結(jié)構(gòu)中的量子磁電流,也稱為“自旋電流”。

今天,筆者要再介紹一項(xiàng)有關(guān)自旋電子學(xué)的前沿科技成果。近日,荷蘭格羅寧根大學(xué)的物理學(xué)家僅僅使用簡單的直流電流,就改變了通過磁體中的自旋波。這標(biāo)志著朝著構(gòu)造自旋電子器件的自旋晶體管的目標(biāo)邁出了一大步。這些自旋電子器件比傳統(tǒng)的電子器件更加節(jié)能。

為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo),科學(xué)家需要進(jìn)行很多步研究,并需要獲取很多基礎(chǔ)知識(shí)。格羅寧根大學(xué)澤尼克先進(jìn)材料研究所(Zernike Institute of Advanced Materials)物理學(xué)教授Bart van Wees的納米器件物理小組在這個(gè)領(lǐng)域處于前沿地位。在最新的論文中,他們展示了一種基于磁振子的自旋晶體管。

在鉑和YIG的界面上,無法進(jìn)入磁體的電子彈了回來。“當(dāng)這個(gè)現(xiàn)象發(fā)生時(shí),電子的自旋從向上翻轉(zhuǎn)至向下個(gè),或者相反。然而,這引起了YIG內(nèi)部的平行自旋翻轉(zhuǎn),從而產(chǎn)生了磁振子?!贝耪褡哟┰讲牧?,并且被第二個(gè)鉑帶檢測到。

“我們不久前就描述過這種通過磁場的自旋傳輸?,F(xiàn)在,我們已經(jīng)進(jìn)入下一步:我們希望影響傳輸?!笨茖W(xué)家通過在注入器與檢測器之間,使用第三個(gè)鉑帶,實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)。施加正電流或者負(fù)電流,可以將額外的磁振子注入到導(dǎo)電通道中,或者從中耗盡磁振子?!斑@使得我們可以構(gòu)建出類似場效應(yīng)晶體管的器件。在這種晶體管中,柵極的電場能減少或者增加通道中自由電子的數(shù)量,從而關(guān)閉或者增加電流。”

Cornelissen及其同事展示了,添加磁振子將增加自旋電流,同時(shí)耗盡它們將顯著降低自旋電流。Cornelissen表示:“盡管目前我們還未能完全地關(guān)閉磁振子電流,但是這個(gè)器件具備了晶體管的功能。”理論模型顯示,減少器件的厚度將增加磁振子的消耗,完全地阻止磁振子電流。

但是,Cornelissen 的導(dǎo)師 Bart van Wees表示還有另外一個(gè)有趣的觀點(diǎn):“在一個(gè)較薄的器件中,增加通道中的磁振子數(shù)量到一定程度時(shí),它們有可能形成一個(gè)玻色-愛因斯坦冷凝物。”這種現(xiàn)象造成了超導(dǎo)性。相對(duì)于只能在非常低的溫度下產(chǎn)生的普通超導(dǎo)性,這種超導(dǎo)性可以在室溫下產(chǎn)生。

這項(xiàng)研究制造出了YIG自旋晶體管,而且從長遠(yuǎn)來看,這種材料甚至可以自造出自旋超導(dǎo)體。這個(gè)系統(tǒng)的美麗之處在于:自旋注入和自旋電流控制都可以通過簡單的直流電流實(shí)現(xiàn),從而使得自旋器件可以兼容普通的電子器件。Van Wees 總結(jié)道:“我們的下一步就是看看,我們是否能夠?qū)崿F(xiàn)這些愿望。”

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 自旋晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    2

    瀏覽量

    7108

原文標(biāo)題:新研究:朝著自旋晶體管的目標(biāo)邁進(jìn)一大步!

文章出處:【微信號(hào):WW_CGQJS,微信公眾號(hào):傳感器技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    基于偏置電阻晶體管(BRT)的數(shù)字晶體管系列MUN2231等產(chǎn)品解析

    在電子電路設(shè)計(jì)中,晶體管的合理選擇和應(yīng)用對(duì)于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天,我們就來深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這系列數(shù)字
    的頭像 發(fā)表于 12-02 15:46 ?656次閱讀
    基于偏置電阻<b class='flag-5'>晶體管</b>(BRT)的數(shù)字<b class='flag-5'>晶體管</b>系列MUN2231等產(chǎn)品解析

    MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含個(gè)晶體管個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò),單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩
    的頭像 發(fā)表于 11-24 16:27 ?924次閱讀
    MUN5136數(shù)字<b class='flag-5'>晶體管</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期 以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章,這期我將介紹下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示: 當(dāng)輸入電壓
    發(fā)表于 11-17 07:42

    英飛凌推出首款100V車規(guī)級(jí)晶體管,推動(dòng)汽車領(lǐng)域氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新

    ,繼續(xù)朝著成為GaN技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)的目標(biāo)邁進(jìn),并進(jìn)一步鞏固了其全球汽車半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。 ? ? 英飛凌CoolGaN? 100V G1車規(guī)級(jí)晶體管
    的頭像 發(fā)表于 11-05 14:31 ?6w次閱讀
    英飛凌推出首款100V車規(guī)級(jí)<b class='flag-5'>晶體管</b>,推動(dòng)汽車領(lǐng)域氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新

    晶體管的定義,晶體管測量參數(shù)和參數(shù)測量儀器

    晶體管種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號(hào)調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調(diào)節(jié)輸出電流,實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路開關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
    的頭像 發(fā)表于 10-24 12:20 ?701次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>的定義,<b class='flag-5'>晶體管</b>測量參數(shù)和參數(shù)測量儀器

    英飛凌功率晶體管的短路耐受性測試

    本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN(氮化鎵高電子遷移率晶體管)和 OptiMOS 6(硅基場效應(yīng)晶體管),在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y試,
    的頭像 發(fā)表于 10-07 11:55 ?3390次閱讀
    英飛凌功率<b class='flag-5'>晶體管</b>的短路耐受性測試

    0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管 skyworksinc

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,0.45-6.0
    發(fā)表于 09-18 18:33
    0.45-6.0 GHz 低噪聲<b class='flag-5'>晶體管</b> skyworksinc

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了款多值電場型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對(duì)電壓的種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通
    發(fā)表于 09-15 15:31

    晶體管架構(gòu)的演變過程

    芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,每
    的頭像 發(fā)表于 07-08 16:28 ?2487次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>架構(gòu)的演變過程

    晶體管光耦的工作原理

    晶體管光耦(PhotoTransistorCoupler)是種將發(fā)光器件和光敏器件組合在起的半導(dǎo)體器件,用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離,同時(shí)傳遞信號(hào)或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:15 ?1110次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦的工作原理

    代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    。在這種結(jié)構(gòu)中,n型晶體管(nFET)和p型晶體管(pFET)被集成在同結(jié)構(gòu)中,但由絕緣壁(如氧化物或氮化物)隔開。這種設(shè)計(jì)允許nFET和pFET之間的間距進(jìn)一步縮小,從而減少標(biāo)準(zhǔn)單
    發(fā)表于 06-20 10:40

    英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管

    英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極的工業(yè)用氮化鎵(GaN)功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。
    的頭像 發(fā)表于 05-21 10:00 ?1075次閱讀

    無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有個(gè) PN結(jié),隧道穿透
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1598次閱讀
    無結(jié)場效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解

    什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

    晶體管(Transistor)是種?半導(dǎo)體器件?,用于?放大電信號(hào)?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,幾乎所有電子設(shè)備(從手機(jī)到超級(jí)計(jì)算機(jī))都依賴晶體管實(shí)現(xiàn)功能。以下
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:02 ?5225次閱讀
    湾仔区| 八宿县| 华阴市| 武城县| 宿迁市| 东台市| 钟祥市| 汝城县| 伊川县| 夏津县| 洪洞县| 临西县| 灵寿县| 碌曲县| 马尔康县| 石渠县| 利津县| 太仓市| 彭泽县| 巴林右旗| 金坛市| 鄯善县| 台东县| 大埔县| 通许县| 本溪市| 石柱| 梧州市| 佳木斯市| 屏东市| 济阳县| 右玉县| 秦安县| 瑞金市| 安塞县| 清水河县| 措美县| 吴江市| 永福县| 中超| 胶州市|