ADP3110A 是一款雙高電壓 MOSFET 驅(qū)動器，適用于在一個非隔離同步降壓功率轉(zhuǎn)換器中驅(qū)動兩個 N 溝道 MOSFET 和兩個開關(guān)。 每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動一個 3000 pF 負載，傳播延遲為 25 ns，轉(zhuǎn)換時間為 30 ns。其中一個驅(qū)動器可以自舉，適用于處理與浮動高壓側(cè)門極驅(qū)動器相關(guān)聯(lián)的高電壓擺率。 ADP3110A 包括了重疊驅(qū)動保護，可防止外部 MOSFET 中的擊穿電流。

*附件：ADP3110A-D.PDF

特性

• 多合一同步降壓轉(zhuǎn)換器
• 一個 PWM 產(chǎn)生兩個驅(qū)動器
• 防交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護電路
• 自舉高側(cè)驅(qū)動器
• 用于禁用驅(qū)動程序輸出的 OD
• 與 Flex-Mode? 控制器一起使用時滿足 CPU VR 要求

1. 概述

• ?產(chǎn)品名稱?：ADP3110A
• ?類型?：降壓轉(zhuǎn)換器MOSFET驅(qū)動器
• ?封裝?：SO-8（無鉛）和DFN8（無鉛）
• ?應(yīng)用?：適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器拓撲中的兩個N溝道MOSFET的驅(qū)動

2. 主要特性

• ?供電電壓?：主供電電壓（V CC ）范圍為4.6V至13.2V
• ?低側(cè)驅(qū)動?：設(shè)計用于驅(qū)動接地參考的低RDS(on) N溝道MOSFET
• ?高側(cè)驅(qū)動?：設(shè)計用于驅(qū)動浮動的低RDS(on) N溝道MOSFET，使用內(nèi)部或外部二極管和外部自舉電容實現(xiàn)
• ?安全特性?：包括安全定時器、重疊保護電路和欠壓鎖定（UVLO）
• ?傳播延遲?：高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器的傳播延遲時間具體指定
• ?封裝選項?：提供SO-8和DFN8兩種封裝選項

3. 功能描述

• ?高側(cè)驅(qū)動?：通過自舉電路實現(xiàn)高側(cè)MOSFET的驅(qū)動，自舉電容在SW引腳接地時通過自舉二極管充電
• ?低側(cè)驅(qū)動?：直接由VCC供電，設(shè)計用于驅(qū)動接地參考的MOSFET
• ?安全定時器?：防止MOSFET同時導(dǎo)通，避免射通或交叉導(dǎo)通損壞
• ?重疊保護?：監(jiān)測兩個MOSFET的柵極電壓和開關(guān)節(jié)點電壓，確保安全關(guān)斷和開啟
• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：在VCC電壓低于指定閾值時，禁用驅(qū)動器輸出

4. 應(yīng)用信息

• ?理論操作?：ADP3110A適用于高電流多相降壓調(diào)節(jié)器，可直接將12V電源轉(zhuǎn)換為復(fù)雜邏輯芯片所需的核心電壓
• ?電源去耦?：建議在電源和地引腳附近放置低ESR電容器，以維持穩(wěn)定的VCC電壓
• ?自舉電路?：自舉電容和二極管的選擇需根據(jù)高側(cè)MOSFET的柵極電荷和允許的電壓下降來確定

5. 封裝與尺寸

• ?SO-8封裝?：提供詳細的封裝尺寸圖和引腳布局
• ?DFN8封裝?：同樣提供詳細的封裝尺寸圖和引腳布局，包括無鉛標(biāo)識和引腳1的參考標(biāo)識

6. 注意事項

• ?靜電放電（ESD）保護?：PWM輸入和輸出禁用引腳具有內(nèi)部ESD保護，但在正常操作中呈現(xiàn)相對較高的輸入阻抗
• ?外部組件選擇?：自舉電容必須能夠承受最大供電電壓的兩倍，且應(yīng)選用高質(zhì)量陶瓷電容
• ?使用條件?：所有電壓均相對于PGND，除非另有說明；電氣特性在V CC =12V，T A =0°C至+85°C，T J =0°C至+125°C的條件下測量