ADL8121是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為0.025 GHz至12 GHz。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：ADL8121 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，0.025 GHz至12 GHz技術(shù)手冊.pdf

在0.025 GHz至10 GHz頻率范圍內(nèi)，ADL8121提供16.5 dB典型增益、2.5 dB典型噪聲系數(shù)和36 dBm典型輸出三階交調(diào)截點(OIP3)，采用5 V電源電壓時功耗僅為95 mA。在0.025 GHz至10 GHz頻率范圍內(nèi)，21.5 dBm的典型飽和輸出功率(P SAT )可以使低噪聲放大器(LNA)用作ADI公司眾多平衡式、同相和正交(I/Q)或鏡像抑制混頻器的本振(LO)驅(qū)動器。

ADL8121還具有內(nèi)部匹配50 Ω的輸入和輸出，非常適合基于表貼技術(shù)(SMT)的應用且采用符合RoHS標準的2 mm x 2 mm、6引腳LFCSP封裝。

特性

• 低噪聲指數(shù)：0.025 GHz 到 10 GHz 范圍內(nèi)為 2.5 dB（典型值）
• 單一正電源（自偏置）
• 高增益：0.025 GHz 到 10 GHz 范圍內(nèi)為 16.5 dB（典型值）
• 高 OIP3：0.025 GHz 到 10 GHz 時為 36 dBm（典型值）
• 兼容 RoHS 的 6 引腳 2 mm × 2 mm LFCSP

引腳配置和功能描述

接口示意圖

典型特性

典型應用

應用

• 測試儀器儀表
• 軍事通信
• 軍用雷達
• 電信