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【KUU重磅發(fā)布】2款100V耐壓雙MOSFET以5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低導(dǎo)通電阻,助力通信基站高效節(jié)能

永裕泰KUU ? 2025-04-30 18:33 ? 次閱讀
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隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級,高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進(jìn)工藝與封裝技術(shù),全新推出2款100V耐壓雙MOSFET,以超低導(dǎo)通電阻和緊湊尺寸,為風(fēng)扇電機驅(qū)動提供高性能解決方案,助力客戶實現(xiàn)設(shè)備功耗與空間的雙重優(yōu)化!

0148V系統(tǒng)升級催生高性能MOSFET需求

在通信基站、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域,為提高能效并降低電流損耗,電源系統(tǒng)正從傳統(tǒng)的12V/24V向48V升級。作為設(shè)備散熱的關(guān)鍵部件,風(fēng)扇電機同樣需適配48V電壓,而電源波動要求其開關(guān)元件具備更高的耐壓能力(如100V)。然而,耐壓提升往往伴隨導(dǎo)通電阻(Ron)增加,導(dǎo)致效率下降。如何平衡高耐壓與低導(dǎo)通電阻,成為行業(yè)技術(shù)難點。

與此同時,設(shè)備小型化趨勢推動了對高集成度元件的需求。傳統(tǒng)方案需使用多顆分立MOSFET,而雙MOSFET(一體化封裝兩枚芯片)既能節(jié)省空間,又能簡化設(shè)計,成為市場新寵。


02KUU創(chuàng)新方案:超低導(dǎo)通電阻+極致緊湊設(shè)計

針對這一挑戰(zhàn),KUU通過新工藝芯片開發(fā)與散熱優(yōu)化封裝技術(shù),推出2款100V耐壓雙MOSFET(Nch/Nch組合),以兩大核心優(yōu)勢引領(lǐng)行業(yè):

1、超低導(dǎo)通電阻,能效提升顯著

  • 采用自主新工藝,結(jié)合背面散熱封裝(如PDFN3x3-8L、 PDFN5X6-8L),顯著降低導(dǎo)通電阻。
  • Nch+Nch產(chǎn)品導(dǎo)通電阻低至PDFN5X6-8L為35mΩ、PDFN3x3-8L為85mΩ,大幅減少導(dǎo)通損耗,助力設(shè)備能效升級。

2、高集成封裝,節(jié)省77%安裝空間

  • 以PDFN5X6-8L封裝為例,替換傳統(tǒng)TO-252單MOSFET(兩顆分立方案),安裝面積減少56%。
  • 提供5mm×6mm(PDFN5X6-8L)和3mm×3mm(PDFN3x3-8L)兩種緊湊尺寸,靈活適配高密度設(shè)計需求。
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03應(yīng)用場景:為高可靠性設(shè)備注入動能新產(chǎn)品專為48V系統(tǒng)風(fēng)扇電機驅(qū)動優(yōu)化,適用于: - 通信基站:5G設(shè)備散熱模塊

- 工業(yè)設(shè)備:伺服驅(qū)動器、PLC控制系統(tǒng)

- 其他領(lǐng)域:數(shù)據(jù)中心、新能源電力設(shè)備

04KUU使命:以技術(shù)驅(qū)動綠色未來

此次發(fā)布的100V雙MOSFET系列,是KUU在工業(yè)設(shè)備功率器件領(lǐng)域的重要布局。未來,我們將繼續(xù)擴展耐壓陣容,并開發(fā)低噪聲產(chǎn)品,通過技術(shù)創(chuàng)新助力客戶應(yīng)對環(huán)保與能效挑戰(zhàn),為可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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