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TPS22925 具有輸出放電的 3.6V、3A、9.2mΩ 負載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-10 13:57 ? 次閱讀
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TPS22925 產(chǎn)品系列由四個器件組成:TPS22925B、TPS22925BN、TPS22925C、 和 TPS22925CN。每個器件都是一個具有受控轉(zhuǎn)換的 9mΩ 單通道負載開關(guān) 率。

這些器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.65 V 至 3.6 V,可支持 3 A 的最大連續(xù)電流。這個連續(xù)的 Current 使器件能夠用于多種設計和終端設備。每個 TPS22925 器件在禁用時提供反向電流阻斷,允許供電 保護和電源多路復用功能。
*附件:tps22925.pdf

該器件的受控上升時間大大降低了由大 大容量負載電容,從而減少或消除電源壓降。當使用 TPS22925Bx 器件的輸入電壓為 3.6V,具有 97μs 的上升時間,TPS22925Cx 器件 具有 810 μs 的上升時間。

TPS22925 系列器件可通過提供 可選的集成 150 Ω 下拉電阻器,用于在開關(guān) 關(guān)閉。每個 TPS22925 器件均采用 0.9 mm × 1.4 mm、0.5 mm 間距、0.4 mm 的封裝 高度 6 引腳晶圓芯片級封裝 (WCSP),可實現(xiàn)更小、集成度更高的設計。這 WCSP 和 9 mΩ 導通電阻允許在空間受限的電池供電應用中使用。這 該器件的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 +105°C 的自由空氣溫度。

特性

  • 輸入電壓范圍:0.65 V 至 3.6 V
  • 導通電阻
    • RV 時 = 9.2 mΩ = 3.6 伏
    • RV 時 = 9.2 mΩ = 1.8 伏
    • RV 時 = 10.2 mΩ = 1 伏
    • RV 時 = 13.1 mΩ = 0.65 伏
  • 3A 最大連續(xù)開關(guān)電流
  • 靜態(tài)電流 IQ、VINV 時 = 29 μA = 3.6 伏
  • 低控制輸入閾值支持 1.5V、1.8V、2.5V 或 3.3V 邏輯
  • 受控轉(zhuǎn)換速率
    • tRV 時 = 97 μs = 3.6V (TPS22925Bx)
    • tRV 時 = 810 μs = 3.6V (TPS22925Cx)
  • 反向電流阻斷(禁用時)
  • 快速輸出放電 (QOD)(僅限 TPS22925B 和 TPS22925C)
  • 晶圓芯片尺寸封裝:
    • 0.9mm × 1.4mm,0.5mm 間距,0.4mm 高
  • ESD 性能測試符合 JESD 22 標準
    • 2 kV HBM 和 1 kV CDM

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

TPS22925是一款單通道、3A負載開關(guān),采用WCSP-6封裝。該器件具有低導通電阻(9mΩ)、可控的上升時間以及反向電流阻斷功能,適用于需要限制涌入電流并減少待機功耗的應用場景。

2. 主要特性

  • ?輸入電壓范圍?:0.65V至3.6V
  • ?最大連續(xù)開關(guān)電流?:3A
  • ?低導通電阻?:9.2mΩ(V_IN = 3.6V)
  • ?可控上升時間?:TPS22925Bx為97μs,TPS22925Cx為810μs
  • ?反向電流阻斷?:當開關(guān)禁用時,防止電流從VOUT流向VIN
  • ? 快速輸出放電(QOD) ?:TPS22925B和TPS22925C具有可選的快速輸出放電功能
  • ?小封裝?:0.9mm x 1.4mm,0.5mm引腳間距,0.4mm高度

3. 電氣特性

  • ?靜態(tài)電流?:V_IN = 3.6V時,典型值為29μA
  • ?關(guān)斷電流?:V_IN = 3.6V時,典型值為0.55μA
  • ?導通電阻?:V_IN = 3.6V時,典型值為9.2mΩ
  • ?輸出下拉電阻?:V_IN = 3.6V時,典型值為150Ω(QOD版本)
  • ?上升時間?:TPS22925Bx為97μs,TPS22925Cx為810μs
  • ?下降時間?:均為2.2μs

4. 功能描述

  • ?開關(guān)控制?:ON引腳控制開關(guān)狀態(tài),高電平使能,低電平禁用
  • ? 快速輸出放電(QOD) ?:當開關(guān)禁用時,通過內(nèi)部下拉電阻快速放電VOUT,防止其懸浮
  • ?反向電流阻斷?:當VIN或VOUT中任一電壓低于0.65V時,阻止電流從VOUT流向VIN

5. 應用領(lǐng)域

  • 計算設備
  • SSD
  • 平板電腦
  • 可穿戴設備
  • 電子銷售點(EPOS)系統(tǒng)

6. 典型應用

  • ? 輸入電容(C_IN) ?:建議放置1μF陶瓷電容以限制瞬態(tài)涌入電流
  • ? 負載電容(C_L) ?:C_IN與C_L的比值建議為10:1,以最小化啟動時的輸入電壓下降
  • ?待機功耗降低?:通過禁用未使用的模塊電源來減少電池消耗
  • ?電源多路復用?:利用反向電流阻斷功能實現(xiàn)電源的多路復用

7. 布局指南

  • 輸入和負載電容應盡可能靠近器件引腳放置,以減少寄生電感的影響
  • 使用寬跡線以最小化寄生電阻和電感
  • 確保良好的熱連接,以優(yōu)化散熱性能

8. 封裝與訂購信息

  • 提供DSBGA(YPH)封裝選項,包含6個引腳
  • 具體封裝尺寸、材料信息和訂購代碼請參考文檔末尾的封裝選項附錄
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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