高通宣布將在CES2017上揭露更多關(guān)于驍龍835處理器的詳細信息和規(guī)格參數(shù)。不過這次，高通的保密工作看來做的不是那么好，外媒爆料了高通驍龍835處理器的官方宣講稿，現(xiàn)在高通驍龍835處理器關(guān)鍵PPT偷跑，其規(guī)格信息一目了然。

除了我們已經(jīng)知道的三星10nm工藝制程，根據(jù)外媒公布的消息，我們還可以了解到驍龍835采用4x2.45GHz大核、4x1.9GHz小核八核心設計，大小核均為Kryo280架構(gòu)，GPU為Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道內(nèi)存，整合了Cat.16基帶。支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)。

與上一代驍龍820/821相比，Kyro280架構(gòu)的使用，對VR的支持也提升了20%以上， Adreno 540 GPU則提升了25%的4K視頻播放效率，在充電方面，QuickCharge 4.0能實現(xiàn)充電五分鐘，提供5小時續(xù)航力、15分鐘內(nèi)將設備的電量充到50%，內(nèi)置了INOV技術(shù)相較于Quick Charge 3.0，其充電速度提升20%，充電效率提升30%。

另外，X16 LTE基帶可以提供1Gbps的下載速度，支持802.11ad Wi-Fi，得益于10nm，基帶模塊封裝面積縮小了45%，能效提升60%。驍龍835也在安全性、深度學習上做了改善加強，而且它還是首顆支持Win10桌面系統(tǒng)的ARM處理器。

驍龍835處理器詳細信息提前曝光，也越來越讓人期待驍龍835裝機上市。由于原計劃首發(fā)的三星S8延遲到4月發(fā)布，那么首款搭載驍龍835處理器的智能手機，會是誰呢？讓我們一起拭目以待。