隨著電子行業(yè)向更小節(jié)點邁進，現(xiàn)代應用要求更高的時鐘速率和性能。2014 年，斯坦福大學教授 Mark Horowitz 發(fā)表了一篇開創(chuàng)性的論文，描述半導體行業(yè)面臨相關登納德縮放及摩爾定律失效的挑戰(zhàn)。盡管摩爾定律可能還沒有定論，但登納德縮放已經放緩，更高的性能是以更大漏電為代價的。如果我們縮小芯片面積，而部件功耗沒有相應降低，則熱密度將會增加，這會促進對更高效熱管理解決方案的需求。

產品創(chuàng)新需要新功能以及支持更高計算密度的能力。與此同時，市場正在推動新產品在更具挑戰(zhàn)性的環(huán)境中部署，通常具有高環(huán)境溫度。為這些器件散熱是一項非比尋常的工作，特別是在無線（ 55°C ）及汽車（ 85°C ）系統(tǒng)等常見應用的極端環(huán)境中。更具挑戰(zhàn)性的是太空應用中的極端環(huán)境，其環(huán)境溫度波動可能超過 300°C。在這里，主動熱控制系統(tǒng)可調節(jié)電子器件所處的溫度，并通過流體循環(huán)及外部紅外輻射器散熱，提高對熱效率的要求。在具有挑戰(zhàn)性的環(huán)境中，即使適度的熱阻抗改善，也能帶來顯著的優(yōu)勢。

AMD 不斷通過硬化重要功能及接口創(chuàng)新 Versal 自適應 SoC，例如，多速率 MAC（ MRMAC ）、600G 通道化多速率以太網（ DCMAC ）、AI 引擎以及低密度奇偶校驗（ LDPC ）。所有 Versal 器件的一項重要創(chuàng)新是可編程片上網絡（ NoC ），它在芯片上提供硬化的高帶寬、確定性連接基礎架構。總而言之，這些進步可減少所需的可編程邏輯量，為更低動態(tài)功耗、按鍵時序收斂以及使用更小、更高效的器件完成給定任務鋪平了道路。有關 Versal NoC 優(yōu)勢的更多詳情，請參閱：《利用 Versal 自適應 SoC 可編程片上網絡優(yōu)化設計效率》。

本白皮書介紹的特定創(chuàng)新是 AMD 無頂蓋封裝技術，這項可改變市場格局的技術提供卓越的系統(tǒng)級優(yōu)勢。帶加強環(huán)的無頂蓋封裝不應與裸片無頂蓋封裝混淆。AMD 帶加強環(huán)的無頂蓋封裝可提供更高效的散熱解決方案，使我們的客戶能夠在幾乎任何環(huán)境中部署產品，無論是在地球之上還是地球之外！