上次簡單介紹了一下DDR3的ODT的作用，今天來詳細聊一聊ODT的幾種操作模式，首先是ODT的同步操作模式，這也時使用最多，最常用的模式。

只要DLL處于開啟且是鎖定狀態(tài)，就處于同步ODT模式。當DLL處于關閉狀態(tài)時，不可使用直接ODT（Direct ODT）功能。此時，必須通過持續(xù)置ODT引腳為低電平，并將RTT_Nom電阻值置為0（set MR1{A9,A6,A2} to {0,0,0} ）。

在同步ODT模式下，RTT會在ODT被采樣為高電平的那個時鐘上升沿之后的ODTLon個時鐘周期被打開，同時，RTT會在ODT被寄存為低電平（采樣并被寄存）之后的ODTLoff個時鐘周期被關閉。其中，ODT的潛伏期（Latency）取決于寫潛伏期（WL）：ODTLon=WL-2；ODTLoff=WL-2；

補充說明：WL，寫潛伏期，即寫入命令發(fā)出到第一筆數(shù)據輸入（主機到DDR的寫入）的潛伏期。WL=AL+CWL。

如下表：

在同步ODT中，我們主要關注下面四個參數(shù)：

ODTLon, ODTLoff, tAON,min,max, tAOF,min,max.

ODTLon, ODTLoff已經介紹過了，下面講一講tAON,min,max, tAOF,min,max.

Minimum RTT turn-on time (tAONmin) is the point in time when the device leaves high impedance and ODT resistance begins to turn on. Maximum RTT turn on time (tAONmax) is the point in time when the ODT resistance is fully on. Both are measured from ODTLon.

Minimum RTT turn-off time (tAOFmin) is the point in time when the device starts to turn off the ODTresistance. Maximum RTT turn off time (tAOFmax) is the point in time when the on-die termination hasreached high impedance. Both are measured from ODTLoff.

When ODT is asserted, it must remain high until ODTH4 is satisfied. If a Write command is registered bythe SDRAM with ODT high, then ODT must remain high until ODTH4 (BL = 4) or ODTH8 (BL = 8) after the Write command (see Figure 67). ODTH4 and ODTH8 are measured from ODT registered high to ODT registered low or from the registration of a Write command until ODT is registered low.

兩個ODT操作的例子：

注意：上面給出的都是寫入的例子，并不適用于讀取模式。由于DDR3 SDRAM并不支持同時讀取和寫入（As the DDR3 SDRAM can not terminate and drive at the same time），RTT必須在進行數(shù)據讀取之前的半個時鐘周期，通過置ODT引腳為低電平將RTT禁止。

重要說明：也就是說，DDR3 SDRAM中的ODT功能只支持寫入操作，并不支持讀取操作。換句話說，就是需要在讀數(shù)據時，打開主控端的ODT（前提是主機支持ODT），關閉DDR3端的 ODT；而在寫數(shù)據時，則相反；數(shù)據線空閑時，則關閉兩端的ODT。