該LMX2470是一款低功耗、高性能的 Delta-Sigma 小數(shù) N 分頻 PLL，具有 輔助整數(shù)-N PLL。該器件采用 TI 先進的 BiCMOS 工藝制造。

采用 delta-sigma 架構(gòu)，可在噪聲下實現(xiàn)分數(shù)雜散補償 Delta-Σ調(diào)制器的整形能力和PLL環(huán)路固有的低通濾波 濾波器。較低頻率的分數(shù)雜散被推到環(huán)路外的較高頻率 帶寬。與模擬補償不同，LMX2470中使用的數(shù)字反饋技術(shù)是 對溫度變化和晶圓加工變化具有很強的抵抗力。使用 delta-sigma 架構(gòu)中，將雜散和相位噪聲能量推向更高頻率的能力是一個 調(diào)制器階數(shù)的直接函數(shù)。階數(shù)越高，這種能量可以傳播到越多 更高的頻率。該LMX2470具有高達四階的可編程調(diào)制器，允許 設計人員選擇最佳調(diào)制器階數(shù)以適應相位噪聲、雜散和鎖定時間 系統(tǒng)的要求。
*附件：lmx2470.pdf

編程快速而簡單。串行LMX2470數(shù)據(jù)通過三 線路 MICROWIRE 接口（數(shù)據(jù)、時鐘、負載啟用）。標稱電源電壓為 2.5 V。The LMX2470 在 2.5 V 時的典型電流消耗為 4.1 mA。該LMX2470有 24 導聯(lián) 3.5 X 4.5 X 0.6 mm 封裝。

特性

• 低帶內(nèi)相位噪聲和低分數(shù)雜散
• 12 位或 22 位可選分數(shù)模量
• 高達4階可編程Δ-Σ調(diào)制器
• 增強型防循環(huán)滑移快速鎖電路
  • 快速鎖
  • 減少循環(huán)滑移
  • 集成超時計數(shù)器
• 數(shù)字鎖檢測輸出
• 預分頻器允許廣泛的 N 個值
  • 射頻分頻：16/17/20/21
  • IF PLL：8/9 或 16/17
• 晶體基準頻率高達 110 MHz
• 片內(nèi)晶體基準倍頻器。
• 相位比較頻率高達 30 MHz
• 硬件和軟件斷電控制
• 超低功耗：I CC = 4.1 mA（典型值）

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
LMX2470是德州儀器（TI）推出的高性能低功耗雙鎖相環(huán)芯片，包含：

• ?主PLL?：2.6 GHz Δ-Σ分數(shù)分頻架構(gòu)，支持12/22位可編程分數(shù)模數(shù)
• ?輔助PLL?：800 MHz整數(shù)分頻架構(gòu)
• ?關(guān)鍵特性?：
  • 低帶內(nèi)相位噪聲和分數(shù)雜散
  • 最高4階可編程Δ-Σ調(diào)制器
  • 快速鎖定（Fastlock）和抗周期滑動（CSR）電路
  • 數(shù)字鎖相檢測輸出
  • 典型功耗僅4.1 mA@2.5V

?2. 應用領(lǐng)域?

• 蜂窩通信（CDMA/WCDMA/GSM等）
• 衛(wèi)星/有線電視調(diào)諧器
• WLAN設備
• 需高頻率分辨率的場景

?3. 核心技術(shù)?

• ?Δ-Σ分數(shù)分頻?：通過數(shù)字反饋技術(shù)補償溫度漂移，支持噪聲整形優(yōu)化
• ?雙PLL架構(gòu)?：
  • RF PLL：16/17/20/21分頻比
  • IF PLL：8/9或16/17分頻比
• ?參考時鐘?：支持單端/差分輸入，最高110 MHz晶體參考頻率

?4. 電氣特性?

• ?工作電壓?：2.25V–2.75V
• ?相位噪聲?：
  • RF PLL：-200至-210 dBc/Hz（歸一化）
  • IF PLL：-209 dBc/Hz
• ?電荷泵電流?：
  • RF側(cè)：0.5–10 μA（可編程16檔）
  • IF側(cè)：1–4 mA（可編程2檔）

?5. 功能模塊詳解?

• ?引腳配置?：24引腳ULGA封裝，關(guān)鍵引腳包括：
  • CPoutRF/CPoutIF：電荷泵輸出
  • FinRF/FinIF：VCO輸入（阻抗特性見文檔圖表）
  • OSCin/OSCout*：參考時鐘輸入
• ?數(shù)字接口?：三線MICROWIRE（CLK/DATA/LE）
• ?電源管理?：支持硬件（EN引腳）和軟件（RF_PD/IF_PD位）控制

?6. 設計優(yōu)化?

• ?PCB布局建議?：
  • 高頻輸入路徑需短，建議串聯(lián)39Ω電阻+100pF隔直電容
  • 電源引腳采用18Ω電阻+0.1μF/100pF組合濾波
• ?Fastlock模式?：通過切換電荷泵電流和比較頻率縮短鎖定時間，需并聯(lián)電阻R2’優(yōu)化環(huán)路帶寬

?7. 文檔補充說明?

• 包含典型性能曲線（靈敏度/輸入阻抗/電流消耗）
• 提供測試電路配置（電荷泵電流/靈敏度測量方法）
• 強調(diào)ESD防護要求（MOS柵極需短路存儲）

該文檔為工程師提供了完整的芯片參數(shù)、應用設計指南及測試方法，適用于高頻合成器開發(fā)。