2018年5月，美光在其2018年分析師與投資者活動(dòng)上給出一個(gè)數(shù)據(jù)，按閃存位出貨量（bit volume shipments）每年增長(zhǎng)40%進(jìn)行產(chǎn)能規(guī)劃所需資本支出金額，IC Insights則提供了NAND行業(yè)每年資本支出的實(shí)際金額，這兩個(gè)數(shù)據(jù)對(duì)比很有意思。

如圖所示，美光認(rèn)為，滿足位出貨量年增40%需求所需資金量增長(zhǎng)極快，從2015年的90億美元，到2017年220億美元，兩年時(shí)間里，翻番還要多。資本支出急劇攀升是因?yàn)镹AND行業(yè)正在從平面NAND轉(zhuǎn)向3D NAND，與平面工藝相比，3D NAND需要更多的半導(dǎo)體設(shè)備，以及額外的潔凈空間，才能夠處理相對(duì)平面工藝增加的器件附加層。

全球前五大NAND廠商都表示，近幾年NAND位出貨量平均增長(zhǎng)速率為40%。如圖所示，2017年實(shí)際資本支出比預(yù)期資本支持（按位出貨量40%計(jì)算）增長(zhǎng)27%，IC Insights預(yù)計(jì)2018年實(shí)際支出將比預(yù)期支出增加41%。（2017年位出貨量同比增長(zhǎng)41%，不過從2018年初到現(xiàn)在，位出貨量只增長(zhǎng)30%）

用于擴(kuò)充產(chǎn)能的資本支出超出市場(chǎng)實(shí)際需求，毫無(wú)疑問，將導(dǎo)致NAND閃存價(jià)格下滑。實(shí)際上，自2018年開始，NAND閃存價(jià)格已現(xiàn)疲弱。而且，價(jià)格走軟有望從2018年下半年一直持續(xù)到2019年。

歷史經(jīng)驗(yàn)表明，價(jià)格下滑往往跟隨存儲(chǔ)器市場(chǎng)過度資本支出而至。伴隨三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/西部數(shù)據(jù)/Sandisk，以及武漢新芯/長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都計(jì)劃未來(lái)幾年大幅增加3D NAND閃存產(chǎn)能，在加上可能有中國(guó)新廠商還想殺入NAND市場(chǎng)，IC Insights認(rèn)為，3D NAND實(shí)際資本支出遠(yuǎn)超位出貨量增長(zhǎng)所需資本支出的可能性將越來(lái)越高。