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MDD辰達半導體推出低內(nèi)阻高開關頻率MOS管

MDD辰達半導體 ? 來源:MDD辰達半導體 ? 2025-10-24 14:35 ? 次閱讀
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車載快充市場是一個隨著智能手機、平板電腦等移動設備普及和汽車保有量持續(xù)增長而迅速擴張的細分市場。它已經(jīng)從早期的“點煙器轉換頭”發(fā)展成為一個技術驅動、需求多樣的成熟品類。

1市場驅動因素

01移動設備電量焦慮的普遍存在

智能手機屏幕越來越大,功能越來越強,耗電速度加快,用戶對“隨時滿電”的需求強烈。

02汽車成為“第二生活空間”

通勤時間變長,車內(nèi)娛樂(手機導航、音樂、播客、車載視頻等)和辦公需求增加,對車載供電提出了更高要求。

03 新能源汽車的普及

電車本身就是一個大型移動電源,但其12V電源系統(tǒng)同樣需要為車內(nèi)設備供電,且電車車主對電子設備的依賴度和接受度更高。

04快充技術的成熟與下放

手機廠商(如華為、OPPO、小米)和芯片廠商(如高通、聯(lián)發(fā)科USB PD協(xié)議)推動的快充技術日益強大,并逐漸成為中高端手機的標配,這倒逼車載充電器必須跟上技術步伐。

05多設備同時充電需求

駕駛員和乘客通常需要同時為手機、平板、行車記錄儀、車載空氣凈化器等設備充電。

06汽車保有量的穩(wěn)定增長

全球及中國巨大的汽車存量市場為車載快充提供了廣闊的替換和新增市場。

2主要品牌與競爭格局

市場呈現(xiàn)典型的金字塔結構

01頂層(高端市場)

以安克為代表,注重高品質(zhì)、創(chuàng)新技術與優(yōu)秀設計,定價較高,是行業(yè)技術標桿。

其他品牌如倍思、綠聯(lián)、AOHI等,也在設計、性價比與渠道方面具備優(yōu)勢。

02中層(性價比市場)

包括小米生態(tài)鏈品牌(如ZMI)、華為、OPPO等手機廠商的官方配件,以及Pisen、MOMAX等專業(yè)3C配件品牌,主打均衡性能與價格。

03底層(白牌/低端市場)

大量無品牌或小品牌產(chǎn)品充斥線下汽配城與電商平臺,價格低廉,但質(zhì)量與安全性參差不齊。

3產(chǎn)品實例

以67W 小型快充車載充電器為例

規(guī)格參數(shù)

輸入:12-24V7.2A

總輸出:67W

單口輸出:

USB-C1:5V3A、9V3A、12V2.9A、15V2.33A、20V1.75A(35W Max)

USB-C2:5V3A、9V2.22A(20W Max)

USB-A:5V2.4A(12W Max)

4技術拆解

車載快充充電器常采用升降壓同步開關架構,通過多顆MOS管實現(xiàn)高效電能轉換:

同步開關管:通常使用4顆40V NMOS

VBUS開關管:通常使用1顆30V NMOS

升降壓同步開關MOS

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VBUS開關MOS

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典型器件選型:

升降壓同步開關MOS:MDD04R06Q,導通內(nèi)阻僅4.5mΩ

VBUS開關MOS:MDDG03R04Q,導通內(nèi)阻僅3.5mΩ

兩者均采用PDFN3×3-8L小型貼片封裝,契合車載快充小型化、高功率密度的發(fā)展趨勢。

5未來發(fā)展趨勢

1、與車載系統(tǒng)深度融合:未來車載快充可能不再是獨立的配件,而是作為原廠配置,與中控系統(tǒng)聯(lián)動,實現(xiàn)更智能的能源管理和設備控制。

2、滿足更多設備需求:隨著車載娛樂設備、AR-HUD、甚至車載小冰箱等設備的普及,對車載電源的功率和接口數(shù)量會提出更高要求。

3、個性化與場景化:針對不同車型(如特斯拉專用款)、不同使用場景(如商務、旅行、游戲)的細分產(chǎn)品會越來越多。

6MOS與車載快充

在車載快充設計中,MOS管的選型直接影響整機效率、溫升與可靠性。MDD系列功率MOS管具備以下核心優(yōu)勢:

MDD的功率MOS導通內(nèi)阻低,散熱好,可靠性高。MDD有完整的器件生產(chǎn)線,從材料輸入,到成品輸出,有完善的質(zhì)量體系,全程可控。

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深圳辰達半導體有限公司(簡稱MDD辰達半導體)是一家專注于半導體分立器件研發(fā)設計、封裝測試及銷售的國家高新技術企業(yè)。

公司深耕半導體領域17載,始終堅持以產(chǎn)品技術為驅動,以客戶需求為核心,打造涵蓋MOSFET二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務矩陣,產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)控制消費電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個領域,服務于全球40多個國家與地區(qū)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:MDD辰達半導體推出低內(nèi)阻、高開關頻率MOS管,解決車載快充的效率與溫升難題

文章出處:【微信號:MDD辰達行電子,微信公眾號:MDD辰達半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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