安森美 (onsemi) MC74VHCT573A CMOS閂鎖 是高速CMOS八路閂鎖，帶有三態(tài)輸出，采用硅柵極CMOS技術(shù)制造。這些閂鎖的高速操作與等效雙極型SCHOTTKY TTL類(lèi)似，同時(shí)可保持CMOS低功率耗散。MC74VHCT573A器件可用作3.3V至5V的電平變換器，因?yàn)樗哂型暾?V CMOS電平輸出擺幅。這些MC74VHCT541A八路緩沖器的工作溫度范圍為-55°C至85°C，電源電壓范圍為4.5V至5.5V DC。MC74VHCT573A閂鎖具有平衡的傳播延遲，并提供斷電保護(hù)。這些器件均為無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：onsemi MC74VHCT573A CMOS閂鎖數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 高速
  • tPD = 4.5ns（典型值，VCC = 5V（VHC）時(shí)）
  • tPD = 7.7ns（典型值，VCC = 5V（VHCT）時(shí)）
• 低功耗：ICC = 4μA（最大值，TA = 25°C時(shí)）
• 高抗噪：VNIH = VNIL = 28%
• 提供關(guān)機(jī)保護(hù)功能
• 平衡傳播延遲
• 設(shè)計(jì)目的：
  • 2V至5.5V（VHC）
  • 4.5 V至5.5 V (甚高頻電流)
• 工作溫度范圍：-55 °C至85 °C
• 低噪聲：
  • VOLP = 1.2V（最大值，VHC）
  • VOLP = 1.6V（最大值，VHCT）
• 引腳和功能與其他標(biāo)準(zhǔn)邏輯系列兼容
• 鎖存性能超過(guò)100mA
• ESD性能人體模型 > 2000V
• 234個(gè)FET或58.5個(gè)等效柵極芯片復(fù)雜性
• 這些器件均為無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)BFR，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

MC74VHCT573A高速CMOS八路D型鎖存器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

1. 產(chǎn)品概述

?MC74VHCT573A?是安森美半導(dǎo)體推出的一款先進(jìn)高速CMOS八路D型鎖存器，具有三態(tài)輸出功能。該器件采用硅柵CMOS技術(shù)制造，在保持CMOS低功耗特性的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了與等效雙極肖特基TTL相當(dāng)?shù)母咚龠\(yùn)行性能。

1.1 主要特性

• ?高速操作?：傳播延遲時(shí)間典型值7.7 ns（VHCT系列，VCC=5.0V）
• ?低功耗?：最大靜態(tài)電流4.0 mA（25°C）
• ?電平轉(zhuǎn)換功能?：可實(shí)現(xiàn)3.3V至5.0V系統(tǒng)接口
• ?電源關(guān)斷保護(hù)?：VCC=0V時(shí)輸出結(jié)構(gòu)提供保護(hù)

2. 電氣特性與技術(shù)參數(shù)

2.1 工作電壓范圍

• ?VHC系列?：2.0V至5.5V
• ?VHCT系列?：4.5V至5.5V

2.2 輸入輸出特性

輸入兼容性：

• MC74VHC573：兼容標(biāo)準(zhǔn)CMOS電平
• MC74VHCT573A：兼容TTL電平

輸出特性：

• 完全5.0V CMOS電平輸出擺幅
• 三態(tài)輸出控制
• 輸出電壓范圍：0V至VCC

2.3 關(guān)鍵性能參數(shù)

3. 功能架構(gòu)與工作原理

3.1 內(nèi)部結(jié)構(gòu)

器件內(nèi)部電路由三級(jí)構(gòu)成，包括提供高噪聲 immunity 和穩(wěn)定輸出的緩沖輸出級(jí)。電路復(fù)雜度相當(dāng)于234個(gè)FET或58.5個(gè)等效門(mén)。

3.2 控制邏輯

根據(jù)功能表定義：

3.3 工作模式

1. ?數(shù)據(jù)傳輸模式?（LE=H，OE=L）：數(shù)據(jù)從D端傳輸至Q端
2. ?數(shù)據(jù)鎖存模式?（LE=L，OE=L）：保持當(dāng)前輸出狀態(tài)
3. ?高阻態(tài)模式?（OE=H）：輸出呈現(xiàn)高阻抗?fàn)顟B(tài)

4. 應(yīng)用設(shè)計(jì)與實(shí)踐指南

4.1 接口電平轉(zhuǎn)換應(yīng)用

由于MC74VHCT573A具有完整的5.0V CMOS電平輸出擺幅，特別適用于：

• ?3.3V至5.0V系統(tǒng)互連?
• ?混合電壓環(huán)境下的數(shù)據(jù)緩沖?

4.2 PCB設(shè)計(jì)建議

• ?電源去耦?：在VCC和GND引腳間靠近器件處放置100nF電容
• ?信號(hào)完整性?：保持信號(hào)走線(xiàn)長(zhǎng)度匹配，減少信號(hào)延遲差異
• ?熱管理?：考慮器件功耗，確保在高溫環(huán)境下可靠工作

4.3 時(shí)序設(shè)計(jì)要點(diǎn)

關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)：

• ?建立時(shí)間?（D to LE）：最小3.5 ns（VCC=5.0V）
• ?保持時(shí)間?（D to LE）：最小1.5 ns（VCC=5.0V）
• ?最小脈沖寬度?（LE）：5.0 ns（VCC=5.0V）

5. 可靠性考慮

5.1 環(huán)境保護(hù)

• ?ESD耐受?：人體放電模型>2000V
• ?閂鎖性能?：超過(guò)±100mA
• ?工作溫度范圍?：-55°C至+85°C

5.2 最大額定值保護(hù)

• ?電源電壓?：-0.5V至+6.5V
• ?輸入電壓?：-0.5V至+6.5V
• ?存儲(chǔ)溫度?：-65°C至+150°C

6. 封裝與訂購(gòu)信息

6.1 可選封裝

• ?SOIC-20?（DW后綴）
• ?TSSOP-20?（DT后綴）

6.2 環(huán)保特性

• ?無(wú)鉛設(shè)計(jì)?：符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
• ?無(wú)鹵素/BFR?：環(huán)境友好型材料