威兆半導體推出的VS1605ATM是一款面向 100V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封裝，適配中壓大功率電源管理、負載開關等領域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時 6.3mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時 9.4mΩ，中壓場景下傳導損耗低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 94A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 58A，承載能力極強；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：333A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時超大電流沖擊。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術：兼顧低導通電阻與快速開關特性，提升中壓電源能效；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 169mJ，抗沖擊能力強；
• TO-220AB 封裝：直插封裝適配大功率電路，散熱性能優(yōu)異；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-220AB 直插封裝，包裝規(guī)格為 50pcs/Tube；
• 典型應用：
  • 100V 級中壓大功率 DC/DC 轉換器；
  • 工業(yè)設備、儲能系統(tǒng)的中壓超大電流負載開關；
  • 高功率電源管理系統(tǒng)的核心功率開關。

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）