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四探針法測量Ti-Al-C薄膜的電阻率

蘇州埃利測量儀器有限公司 ? 2026-01-15 18:03 ? 次閱讀
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Ti-Al-C 薄膜作為質(zhì)子交換膜燃料電池(PEMFC)金屬雙極板表面改性材料,其導(dǎo)電性能直接影響電池堆的輸出效率,電阻率是評估該性能的核心指標(biāo)。本文基于中頻磁控濺射制備的 Ti-Al-C 薄膜,采用Xfilm埃利四探針技術(shù)對不同基底(不銹鋼 316L、石英片)、不同制備溫度(500-750℃)的薄膜電阻率進(jìn)行測量,分析溫度對薄膜電阻率的影響規(guī)律,為 Ti-Al-C 薄膜在燃料電池雙極板領(lǐng)域的應(yīng)用提供數(shù)據(jù)支撐。

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四探針測試原理圖

四探針法通過在薄膜表面布置四根等間距探針,在外側(cè)兩探針間通入恒定電流I,測量內(nèi)側(cè)兩探針間的電勢差V23,結(jié)合薄膜厚度d,利用薄層電阻公式計(jì)算電阻率:

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該方法能有效避免接觸電阻的影響,適用于不同基底上薄膜的面內(nèi)電阻率測量。實(shí)驗(yàn)中采用四探針測試儀,探針間距為1 mm,測試電流為10 mA,分別在不銹鋼和石英片基底上進(jìn)行測量,以排除基底導(dǎo)電性對測試結(jié)果的干擾。

實(shí)驗(yàn)方案

/Xfilm

采用中頻磁控濺射技術(shù),以TiAlC(44%/17%/39%)為靶材,在不銹鋼316L 和石英片基底上制備Ti-Al-C 薄膜。先沉積Ti 過渡層提升結(jié)合力,再于500-750℃設(shè) 6 個(gè)溫度梯度,每組濺射3h、保溫 30min 后以 5℃/min 降溫。采用四探針測試儀測量電阻率,探針間距1mm,施加恒定小電流避免樣品發(fā)熱。為排除干擾,分別測試雙基底薄膜,不銹鋼基底電阻率約7.1×10??Ω?m,用于對比。

不銹鋼基底的Ti-Al-C薄膜電阻率

/Xfilm


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不銹鋼基底不同溫度下薄膜的電阻率

不銹鋼基底上Ti-Al-C 薄膜的電阻率均處于10??~10??Ω?m量級,與不銹鋼及部分合金電阻率相當(dāng)。

500℃時(shí)薄膜電阻率最高,主要因該溫度未達(dá)到Ti?AlC MAX 相成相條件,薄膜以TiC 等雜質(zhì)相為主,導(dǎo)電性能較差;

隨著溫度升高至550℃,電阻率顯著下降,隨后在550-750℃范圍內(nèi)保持小幅下降趨勢。

這一變化與XRD 表征結(jié)果一致,溫度升高促進(jìn)Ti?AlC MAX 相成相,提升薄膜導(dǎo)電性,但高溫下Al 元素蒸發(fā)導(dǎo)致少量雜質(zhì)相殘留,使得電阻率未持續(xù)大幅降低。

石英片基底的Ti-Al-C薄膜電阻率

/Xfilm


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石英片基底不同溫度下薄膜的電阻率

石英片為絕緣基底,可完全排除基底對電流的分流作用,測量結(jié)果更能反映薄膜本身導(dǎo)電特性:

石英片上薄膜電阻率整體高于不銹鋼基底,但仍呈類似變化趨勢。

700℃時(shí)電阻率最低(5.7×10?? Ω·m),與不銹鋼基底結(jié)果一致,驗(yàn)證了溫度對薄膜本征導(dǎo)電性的影響。

550℃薄膜電阻率最高(1.2×10?? Ω·m),進(jìn)一步證實(shí)低溫下MAX相形成不充分。

溫度對電阻率的影響機(jī)制

/Xfilm

溫度通過影響薄膜相組成調(diào)控電阻率:低溫(≤600℃)下,Ti?AlC MAX 相難以成相,薄膜以高電阻率的 TiC 雜質(zhì)相為主,導(dǎo)致整體電阻率較高;中高溫(650-700℃)時(shí),溫度提供足夠能量促進(jìn)MAX 相成相,薄膜中導(dǎo)電優(yōu)良的 MAX 相占比提升,電阻率顯著下降;750℃時(shí),高溫導(dǎo)致Al 元素蒸發(fā),Ti:Al 比例偏離成相最佳值,雜質(zhì)相略有增加,電阻率小幅回升。

綜上,四探針法可準(zhǔn)確測量Ti-Al-C 薄膜的電阻率,且通過選用絕緣基底(如石英片)能有效排除基底導(dǎo)電性干擾,獲得薄膜真實(shí)導(dǎo)電特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,制備溫度對Ti-Al-C 薄膜電阻率影響顯著,700℃時(shí)薄膜電阻率最低,導(dǎo)電性能最優(yōu),符合燃料電池雙極板表面改性的導(dǎo)電要求。

Xfilm埃利四探針方阻儀

/Xfilm


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Xfilm埃利四探針方阻儀用于測量薄層電阻(方阻)或電阻率,可以對最大230mm 樣品進(jìn)行快速、自動(dòng)的掃描, 獲得樣品不同位置的方阻/電阻率分布信息。

  • 超高測量范圍,測量1mΩ~100MΩ
  • 高精密測量,動(dòng)態(tài)重復(fù)性可達(dá)0.2%
  • 全自動(dòng)多點(diǎn)掃描,多種預(yù)設(shè)方案亦可自定義調(diào)節(jié)
  • 快速材料表征,可自動(dòng)執(zhí)行校正因子計(jì)算

基于四探針法的Xfilm埃利四探針方阻儀,憑借智能化與高精度的電阻測量優(yōu)勢,可助力評估電阻,推動(dòng)多領(lǐng)域的材料檢測技術(shù)升級。

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