SK海力士在清州建設M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導地位。

SK海力士已投資15萬億韓元（約135億美元）在清州建設M15工廠，主要生產72層和96層3D NAND閃存。據(jù)外媒報道，隨著M15工廠的建成，SK海力士將加速大規(guī)模生產第五代96層3D NAND閃存。

報道稱，紀念工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導地位。

據(jù)悉，為應對3D NAND市場的巨大變化，SK海力士M15工廠的建成完工比原計劃提前了近6個月。半導體行業(yè)分析師表示，“三星電子7月份開始已批量生產96層3D NAND閃存，而東芝和美光計劃也將效仿。SK海力士的完工日期提前，部分原因是中國公司在3D NAND閃存市場的積極宣傳。”

與DRAM不同，3D NAND閃存是非易失性存儲器半導體，即使在電源關閉時也不會丟失數(shù)據(jù)。外媒稱，大規(guī)模生產96層3D NAND閃存不僅證明了SK海力士的先進技術，也將有助于擴大SK海力士在3D NAND市場的份額。

除此之外，96層3D NAND閃存的批量生產也可以使SK海力士的盈利結構更加平衡。去年，SK海力士在在DRAM領域的營業(yè)利潤占其總營業(yè)利潤的90％，其中NAND部門的份額不到10％。相比之下，三星電子的DRAM營業(yè)利潤占63％，NAND業(yè)務占32％。

從目前來看，韓國、日本和美國的半導體存儲器公司在96層3D NAND閃存的競爭將進一步加劇。其中，東芝于今年6月宣布，已完成與西部數(shù)據(jù)的96層3D NAND閃存技術研發(fā)，東芝預計最遲將在今年年底或明年年底生產96層3D NAND閃存；此外，美光計劃通過與英特爾的技術合作，在今年完成96層3D NAND閃存技術研發(fā)。

值得一提的是，中國的長江存儲在3D NAND閃存方面也已經取得了重要突破。紫光集團聯(lián)席總裁刁石京曾透露，中國首批擁有自主知識產權的32層3D NAND閃存芯片將于今年第四季度實現(xiàn)量產。此外，64層3D NAND閃存芯片研發(fā)也在緊鑼密鼓地進行，計劃2019年實現(xiàn)量產。