MAX15023:寬輸入電壓范圍的雙輸出同步降壓控制器
在電子設(shè)計領(lǐng)域,電源管理芯片的性能直接影響著整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。MAX15023作為一款寬輸入電壓范圍的雙輸出同步降壓控制器,為工程師們提供了強大而靈活的電源解決方案。今天,我們就來深入了解一下這款芯片。
文件下載:MAX15023.pdf
一、產(chǎn)品概述
MAX15023可在5.5V至28V或5V ±10%的輸入電壓范圍內(nèi)工作,能夠產(chǎn)生兩個獨立的輸出電壓。每個輸出電壓可在0.6V至輸入電壓的85%之間進行調(diào)節(jié),并且能夠支持12A或更高的負載。通過180°異相交錯操作,有效降低了輸入電壓紋波和總RMS輸入紋波電流。
二、關(guān)鍵特性
2.1 輸入輸出特性
- 寬輸入電壓范圍:支持5.5V至28V或5V ±10%的輸入,適應(yīng)多種電源環(huán)境。
- 可調(diào)輸出電壓:輸出電壓可在0.6V至輸入電壓的85%之間靈活調(diào)整,滿足不同負載的需求。
2.2 頻率調(diào)整與整流特性
- 可調(diào)開關(guān)頻率:通過外部電阻可將開關(guān)頻率從200kHz調(diào)整到1MHz,方便工程師根據(jù)具體應(yīng)用進行優(yōu)化。
- 自適應(yīng)同步整流:無需外部續(xù)流肖特基二極管,降低了成本和功耗。
2.3 保護特性
- 電流限制與熱關(guān)斷:具備逐周期、低側(cè)源峰值電流限制和熱關(guān)斷功能,有效保護芯片在過載和短路情況下的安全。
- 打嗝模式短路保護:在短路情況下,打嗝模式電流限制可降低功耗,提高系統(tǒng)的可靠性。
2.4 其他特性
- 獨立電源良好輸出和使能輸入:兩個獨立的電源良好輸出和使能輸入,可用于電源監(jiān)控和電源排序。
- 自適應(yīng)內(nèi)部數(shù)字軟啟動:允許預(yù)偏置啟動而無需對輸出放電,實現(xiàn)對大輸出電容的平滑充電。
三、工作原理
3.1 DC - DC PWM控制
MAX15023采用PWM電壓模式控制方案,每個通道的控制環(huán)路補償為外部補償,提供了在選擇工作頻率和輸出LC濾波組件時的最大靈活性。內(nèi)部跨導(dǎo)誤差放大器在COMP_端產(chǎn)生積分誤差電壓,有助于提高直流精度。
3.2 交錯異相操作
兩個獨立的調(diào)節(jié)器以180°異相方式工作,減少了輸入濾波要求,降低了電磁干擾(EMI),提高了效率,同時降低了組件成本和節(jié)省了電路板空間。
3.3 內(nèi)部5.2V線性調(diào)節(jié)器
當可用電源電壓超過5.5V時,內(nèi)部5.2V低壓差線性調(diào)節(jié)器為內(nèi)部功能和MOSFET驅(qū)動器供電。如果有外部5V ±10%的電源電壓,IN和VCC可以連接到5V電源。
3.4 MOSFET柵極驅(qū)動器
DH_和DL_驅(qū)動器針對驅(qū)動大型n溝道功率MOSFET進行了優(yōu)化,自適應(yīng)死區(qū)時間電路可防止交叉導(dǎo)通或直通,確保了高效穩(wěn)定的工作。
3.5 高側(cè)柵極驅(qū)動電源和內(nèi)部升壓開關(guān)
通過內(nèi)部開關(guān)在BST_和DH之間閉合,為高側(cè)MOSFET提供必要的柵源電壓,升壓電容在高側(cè)MOSFET導(dǎo)通期間維持柵極驅(qū)動器兩端的電壓。
3.6 使能輸入、自適應(yīng)軟啟動和軟停止
通過控制每個相位的使能輸入(EN1和EN2),可以獨立地打開和關(guān)閉兩個輸出。軟啟動序列通過逐步增加誤差放大器的參考電壓來實現(xiàn),軟停止序列則通過逐步降低參考電壓來實現(xiàn)。
3.7 電源良好輸出
兩個電源良好比較器用于監(jiān)測調(diào)節(jié)器的輸出電壓,當輸出電壓超過標稱調(diào)節(jié)電壓的92.5%時,PGOOD_輸出變?yōu)楦唠娖?;當輸出電壓下降到標稱調(diào)節(jié)電壓的89.5%以下時,PGOOD_輸出變?yōu)榈碗娖健?/p>
3.8 啟動到預(yù)偏置輸出
當控制器啟動到預(yù)偏置輸出時,DH_/DL_互補開關(guān)序列被抑制,直到PWM比較器發(fā)出第一個PWM脈沖。
3.9 電流限制電路
采用逐周期低側(cè)源峰值和吸收電流傳感算法,使用低側(cè)MOSFET的導(dǎo)通電阻作為電流傳感元件,無需昂貴的傳感電阻,并且電流限制可通過外部電阻進行調(diào)節(jié)。
3.10 打嗝模式過流保護
在長時間短路或深度過載情況下,打嗝模式過流保護可降低功耗。當逐周期低側(cè)源峰值電流限制條件持續(xù)存在時,控制器停止DL和DH_驅(qū)動器,并等待7936個開關(guān)周期后再啟動新的軟啟動序列。
3.11 欠壓鎖定
內(nèi)部欠壓鎖定(UVLO)電路監(jiān)測VCC電壓,當VCC電壓低于3.8V(典型值)時,防止MAX15023工作,具有430mV的滯后以防止電源電壓上升/下降時的抖動。
3.12 熱過載保護
當芯片的結(jié)溫超過150°C時,片上熱傳感器會關(guān)閉芯片,當結(jié)溫冷卻20°C后,熱傳感器會再次開啟芯片。
四、設(shè)計步驟
4.1 有效輸入電壓范圍
最小電壓轉(zhuǎn)換比可能受最小可控導(dǎo)通時間的限制,最大電壓轉(zhuǎn)換比受最大占空比的限制。為避免脈沖跳過,可降低開關(guān)頻率或輸入電壓。
4.2 設(shè)置使能輸入
每個控制器的使能輸入?yún)⒖?a href="http://m.greenbey.cn/analog/" target="_blank">模擬電壓(1.2V),可通過電阻分壓器電路設(shè)置特定的開啟閾值。
4.3 設(shè)置輸出電壓
通過連接從輸出到FB_再到SGND的電阻分壓器來設(shè)置每個通道的輸出電壓。
4.4 設(shè)置開關(guān)頻率
開關(guān)頻率通過連接從RT到SGND的電阻進行設(shè)置,頻率與電阻的關(guān)系為(R{T}=frac{24806}{(f{SW})^{1.0663}})。
4.5 電感選擇
需要指定電感的電感值、飽和電流和直流電阻三個關(guān)鍵參數(shù)。電感值可根據(jù)開關(guān)頻率、輸入電壓、輸出電壓和所選的電感峰 - 峰交流電流與直流平均電流之比(LIR)來確定。
4.6 設(shè)置逐周期低側(cè)源峰值電流限制
電流限制閾值必須足夠高,以支持最大預(yù)期負載電流??赏ㄟ^連接從LIM_到SGND的電阻來調(diào)整電流限制閾值。
4.7 輸入電容選擇
輸入濾波電容可減少從電源汲取的峰值電流,降低輸入電壓紋波。應(yīng)選擇在RMS輸入電流下溫度上升小于+10°C的輸入電容。
4.8 輸出電容選擇
輸出電容的關(guān)鍵選擇參數(shù)包括電容值、ESR和電壓額定值,這些參數(shù)會影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性、輸出紋波電壓和瞬態(tài)響應(yīng)。
4.9 補償
每個通道提供內(nèi)部跨導(dǎo)放大器,可進行外部頻率補償。根據(jù)輸出電容的類型選擇合適的補償網(wǎng)絡(luò),以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和良好的瞬態(tài)響應(yīng)。
4.10 MOSFET選擇
MAX15023驅(qū)動兩個外部邏輯電平n溝道MOSFET,選擇時需考慮導(dǎo)通電阻、最大漏源電壓、最小閾值電壓、總柵極電荷、反向傳輸電容和功耗等參數(shù)。
4.11 功率耗散
器件的最大功耗取決于芯片到環(huán)境的熱阻和環(huán)境溫度??赏ㄟ^計算功耗和熱阻來估計芯片的溫度上升。
4.12 升壓飛電容選擇
根據(jù)高側(cè)MOSFET的總柵極電荷和允許的電壓變化來選擇升壓飛電容的大小。
五、應(yīng)用信息
5.1 PCB布局指南
- 建立小的模擬接地平面或使用專用內(nèi)部平面,連接到SGND,并用于IN旁路電容、補償組件、反饋分壓器、RT電阻和LIM_電阻的接地連接。
- 將所有功率組件放置在電路板的頂層,僅在頂層使用走線或銅填充來運行功率級電流,避免添加過孔。
- 在頂層布局大的PGND銅區(qū)域,連接高頻輸入電容、輸出電容和低側(cè)MOSFET的源極。
- 將SGND平面與頂層銅PGND區(qū)域進行星型連接,在源極感應(yīng)附近使用少量過孔。
- 保持功率走線和負載連接短,特別是在接地端子處。
- 將控制器IC放置在同步整流MOSFET附近,保持LX、PGND、DH_和DL_的連接短而寬。
- 路由高速開關(guān)節(jié)點遠離敏感模擬區(qū)域,將所有SGND參考和反饋組件靠近IC放置。
5.2 典型應(yīng)用電路
文檔中提供了三種典型應(yīng)用電路,分別適用于單電源軌、5V ±10%電源和輔助5V電源與3.3V總線的情況。
六、總結(jié)
MAX15023以其寬輸入電壓范圍、靈活的輸出調(diào)節(jié)、豐富的保護特性和良好的性能,為電子工程師在電源設(shè)計方面提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際應(yīng)用中,工程師們需要根據(jù)具體的需求和設(shè)計要求,合理選擇外部組件,并遵循PCB布局指南,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。你在使用MAX15023或類似電源管理芯片時,遇到過哪些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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