這些器件可作為中高頻應(yīng)用中競品的“即插即用”型替代方案

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模塊---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其目標在于提升汽車、能源、工業(yè)及通信系統(tǒng)中高頻應(yīng)用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用了Vishay最新一代碳化硅（SiC）MOSFET，并且以行業(yè)標準的SOT-227形式進行封裝。

此次推出的每個功率模塊都采用單開關(guān)和低邊斬波器配置，內(nèi)置的SiC MOSFET集成了軟體二極管，可實現(xiàn)低反向恢復(fù)特性。這種設(shè)計降低了開關(guān)損耗，提高了效率，可適用于太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電器、SMPS、直流/直流轉(zhuǎn)換器、不間斷電源（UPS）、暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)、大規(guī)模電池儲能系統(tǒng)以及通信電源設(shè)備等領(lǐng)域。

VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用緊湊型的SOT-227封裝，使得這些器件能夠作為現(xiàn)有設(shè)計中競品的“即插即用”型替代方案。這樣，設(shè)計人員無需對PCB布局進行更改，即可采用最新的SiC技術(shù)，從而節(jié)省成本。模壓封裝還可提供高達2500 V（一分鐘）的電氣絕緣，通過消除組件與散熱器之間對額外絕緣措施的需求，進一步降低了成本。

這些功率模塊提供50 A至200 A的連續(xù)漏極電流，導(dǎo)通電阻低至12.1 m。這些器件符合RoHS標準，具備低電容高速開關(guān)特性，并可支持+175 C的最高工作結(jié)溫。

器件規(guī)格表：

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VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為13周。