FDMS86150ET100 N - 通道屏蔽柵 PowerTrench? MOSFET 深度解析

一、ON 半導體整合說明

Fairchild 半導體已整合進 ON 半導體。由于 ON 半導體產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理含下劃線（_）的零件命名，F(xiàn)airchild 零件編號中的下劃線將改為破折號（-）。若文檔中出現(xiàn)含下劃線的器件編號，需到 ON 半導體官網(wǎng)核實更新后的編號，最新訂購信息可在 www.onsemi.com 查看。如有系統(tǒng)整合相關問題，可發(fā)郵件至 Fairchild_questions@onsemi.com。

文件下載：FDMS86150ET100-D.pdf

二、FDMS86150ET100 MOSFET 概述

（一）產(chǎn)品特性

1. 溫度性能：將 (T_{J}) 額定值擴展到 175°C，能適應更廣泛的工作溫度環(huán)境。
2. 先進技術：采用屏蔽柵 MOSFET 技術，優(yōu)化了導通電阻，同時保持卓越的開關性能。
3. 低導通電阻：在 (V{GS}=10V)，(I{D}=16A) 時，最大 (r{DS(on)} = 4.85mΩ)；在 (V{GS}=6V)，(I{D}=13A) 時，最大 (r{DS(on)} = 7.8mΩ)。
4. 高效設計：先進的封裝和硅片組合，實現(xiàn)低 (r_{DS(on)}) 和高效率。
5. 封裝優(yōu)勢：MSL1 穩(wěn)健封裝設計，經(jīng)過 100% UIL 測試，且符合 RoHS 標準。

（二）應用領域

適用于初級 DC - DC MOSFET、次級同步整流器和負載開關等應用場景。

三、產(chǎn)品參數(shù)

（一）最大額定值

（二）熱特性

（三）電氣特性

1. 關斷特性

2. 導通特性

3. 動態(tài)特性

4. 開關特性

5. 漏源二極管特性

四、典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，如導通區(qū)域特性、歸一化導通電阻與漏極電流和柵極電壓的關系、歸一化導通電阻與結溫的關系、導通電阻與柵源電壓的關系、傳輸特性、源漏二極管正向電壓與源電流的關系、柵極電荷特性、電容與漏源電壓的關系、非鉗位電感開關能力、最大連續(xù)漏極電流與殼溫的關系、正向偏置安全工作區(qū)、單脈沖最大功率耗散、結到環(huán)境的瞬態(tài)熱響應曲線等。這些曲線有助于工程師更直觀地了解該 MOSFET 在不同工作條件下的性能表現(xiàn)。

五、封裝標記和訂購信息

六、注意事項

1. (R_{θJA}) 的值與器件安裝的電路板設計有關，在 1 (in^2) 2 oz 銅焊盤上為 45°C/W，在最小 2 oz 銅焊盤上為 115°C/W。
2. 脈沖測試條件為脈沖寬度 < 300μs，占空比 < 2.0%。
3. (E{AS}) 為 726 mJ 是基于特定條件（(T{J}=25°C)，(L = 3mH)，(I{AS}=22A)，(V{DO}=100V)，(V{GS}=10V)），且在 (L = 0.1mH)，(I{AS}=69A) 時進行 100% 測試。
4. 脈沖 (I_{D}) 詳情需參考圖 11 的 SOA 曲線。
5. 計算的連續(xù)電流僅受最大結溫限制，實際連續(xù)電流受熱和機電應用電路板設計限制。

電子工程師在使用 FDMS86150ET100 MOSFET 時，需綜合考慮上述各項參數(shù)和特性，結合具體應用場景進行設計，以確保系統(tǒng)的性能和可靠性。你在實際應用中是否遇到過類似 MOSFET 的參數(shù)選擇難題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。