解析 onsemi FDMC86012 N 溝道 MOSFET:高效 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的理想之選
在當(dāng)今的電子設(shè)備設(shè)計中,DC/DC 轉(zhuǎn)換器的效率至關(guān)重要。而 onsemi 的 FDMC86012 N 溝道 MOSFET,正是為提升 DC/DC 轉(zhuǎn)換器效率而專門設(shè)計的一款產(chǎn)品。下面,我們就來深入了解一下這款 MOSFET。
文件下載:FDMC86012-D.PDF
一、產(chǎn)品概述
FDMC86012 運用了新的 MOSFET 制造技術(shù),對柵極電荷和電容的各個組成部分進行了優(yōu)化,有效降低了開關(guān)損耗。其低柵極電阻和極低的米勒電荷,使它在自適應(yīng)和固定死區(qū)時間柵極驅(qū)動電路中都能表現(xiàn)出色。同時,該器件維持了極低的 ( rDS(on)),屬于亞邏輯電平器件。
二、關(guān)鍵特性
(一)低導(dǎo)通電阻
在不同的柵源電壓和漏極電流條件下,F(xiàn)DMC86012 都展現(xiàn)出了極低的導(dǎo)通電阻:
- ( mathrm{Max} R{DS(on)} = 2.7 mOmega),條件為 (V{GS} = 4.5 V),(I_{D} = 23 A)。
- ( mathrm{Max} R{DS(on)} = 4.7 mOmega),條件為 (V{GS} = 2.5 V),(I_{D} = 17.5 A)。 這種低導(dǎo)通電阻特性,能夠有效減少功率損耗,提高電路效率。大家在設(shè)計電路時,不妨思考一下這種低導(dǎo)通電阻如何與自己的電路功耗需求相匹配呢?
(二)環(huán)保設(shè)計
它采用無鉛端接,經(jīng)過 100% UIL 測試,符合無鉛、無鹵化物和 RoHS 標準,這對于環(huán)保要求較高的電子設(shè)備設(shè)計來說,無疑是一個重要的選擇因素。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
- 3.3 V 輸入同步降壓開關(guān):可以在該應(yīng)用場景中充分發(fā)揮其低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗的優(yōu)勢,提高降壓轉(zhuǎn)換的效率。
- 同步整流器:憑借其良好的電氣性能,為同步整流過程提供可靠的支持。
四、最大額定值
| 以下是 FDMC86012 在 (T_{A} = 25^{circ}C) 時的最大額定值: | Symbol | Parameter | Value | Unit |
|---|---|---|---|---|
| (V_{DS}) | Drain to Source Voltage | 30 | V | |
| (V_{GS}) | Gate to Source Voltage | ± 12 | V | |
| (I_{D}) | Drain Current: Continuous, (T{C} = 25^{circ}C) Continuous, (T{A} = 25^{circ}C) Pulsed |
88 23 230 |
A | |
| (E_{AS}) | Single Pulse Avalanche Energy | 337 | mJ | |
| (P_{D}) | Power Dissipation: (T{C} = 25^{circ}C) (T{A} = 25^{circ}C) |
54 2.3 |
W | |
| (T{J}, T{STG}) | Operating and Storage Junction Temperature Range | -55 to +150 | °C |
需要注意的是,超過這些額定值可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。在實際設(shè)計中,我們一定要嚴格遵守這些額定值,大家有沒有在實際應(yīng)用中遇到過因超過額定值而導(dǎo)致器件損壞的情況呢?
五、電氣特性
(一)關(guān)斷特性
- 擊穿電壓溫度系數(shù)在 (I{D} = 250 mu A),(V{GS} = 0 V) 時為 1 (mu A)。
- 柵源泄漏電流在 (V{GS} = pm 12 V),(V{DS} = 0 V) 時為 ±100。
(二)導(dǎo)通特性
- 在 (V{GS} = V{DS}),(I_{D} = 250 mu A) 時,相關(guān)參數(shù)為 mV/°C。
- 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻在 (V{GS} = 2.5 V),(I{D} = 17.5 A) 時為 3.5。
(三)動態(tài)特性
- 輸出電容為 185。
- 柵極電阻為 3.0 (Omega)。
(四)開關(guān)特性
- 導(dǎo)通延遲時間在 (R_{GEN} = 6 Omega) 時,范圍為 20 - 32。
- 柵源電荷為 5.4 nC。
這些電氣特性是我們在設(shè)計電路時進行參數(shù)匹配和性能評估的重要依據(jù)。
六、典型特性
文檔中給出了多個典型特性曲線,如:
- 導(dǎo)通區(qū)域特性曲線:展示了不同柵源電壓下,漏極電流與漏源電壓的關(guān)系。
- 歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系曲線:有助于我們了解導(dǎo)通電阻在不同工作條件下的變化情況。
- 歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系曲線:讓我們對器件在不同溫度環(huán)境下的導(dǎo)通性能有更清晰的認識。
這些曲線為我們在不同工作條件下評估器件性能提供了直觀的參考,大家在設(shè)計電路時,一定要充分利用這些曲線來優(yōu)化電路設(shè)計。
七、機械封裝與訂購信息
FDMC86012 采用 WDFN8 封裝,該封裝尺寸為 3.30x3.30x0.75,引腳間距為 0.65。訂購時,每卷包含 3000 個器件。在選擇封裝時,我們需要考慮到器件的散熱、布局空間等因素,這款封裝是否能滿足你的設(shè)計需求呢?
綜上所述,onsemi 的 FDMC86012 N 溝道 MOSFET 憑借其出色的性能、環(huán)保設(shè)計以及豐富的應(yīng)用場景,是電子工程師在設(shè)計 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等電路時的一個優(yōu)秀選擇。但在實際應(yīng)用中,我們還需要根據(jù)具體的設(shè)計要求,充分考慮其各項參數(shù)和特性,以確保電路的可靠性和性能。
-
DC/DC轉(zhuǎn)換器
+關(guān)注
關(guān)注
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