開關(guān)電源場效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電路,MOSFET DRIVER
開關(guān)電源場效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電路,MOSFET DRIVER
關(guān)鍵字：場效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路
驅(qū)動(dòng)電路原理圖：
開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路:
驅(qū)動(dòng)電路的主要功能是將脈寬控制器輸出的可變寬度脈沖進(jìn)行功率放大，以作為高壓功率開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)信號。驅(qū)動(dòng)電路一般都具有隔離作用，常用變壓器耦合方式來實(shí)現(xiàn)對高壓功率開關(guān)器件的激勵(lì)和輸入級與輸出級之間的隔離，同時(shí)還兼有對功率開關(guān)器件關(guān)斷時(shí)，施加反向偏置，來加速器件的關(guān)斷。當(dāng)驅(qū)動(dòng)MOSFET器件時(shí)，常規(guī)的驅(qū)動(dòng)電路是用一個(gè)驅(qū)動(dòng)變壓器實(shí)現(xiàn)的?？紤]到驅(qū)動(dòng)變壓器的漏感和引線電感，給具有大Cg-s的主MOSFET高速充放電造成困難，因此，通常的方式是利用驅(qū)動(dòng)變壓器驅(qū)動(dòng)一個(gè)具有較小Cg-S的MOSFET的圖騰式驅(qū)動(dòng)電路，再由這個(gè)電路驅(qū)動(dòng)主MOSFET。如圖，驅(qū)動(dòng)變壓器的初級線圈輸入信號就是控制電路的輸出驅(qū)動(dòng)信號，經(jīng)變壓器隔離處理后經(jīng)整形電路整形后輸出。變壓器起隔離作用，光耦既有隔離也有抗干擾功能，整形后經(jīng)圖騰式驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)主MOSFET管。
開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路:
驅(qū)動(dòng)電路的主要功能是將脈寬控制器輸出的可變寬度脈沖進(jìn)行功率放大，以作為高壓功率開關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)信號。驅(qū)動(dòng)電路一般都具有隔離作用，常用變壓器耦合方式來實(shí)現(xiàn)對高壓功率開關(guān)器件的激勵(lì)和輸入級與輸出級之間的隔離，同時(shí)還兼有對功率開關(guān)器件關(guān)斷時(shí)，施加反向偏置，來加速器件的關(guān)斷。當(dāng)驅(qū)動(dòng)MOSFET器件時(shí)，常規(guī)的驅(qū)動(dòng)電路是用一個(gè)驅(qū)動(dòng)變壓器實(shí)現(xiàn)的?？紤]到驅(qū)動(dòng)變壓器的漏感和引線電感，給具有大Cg-s的主MOSFET高速充放電造成困難，因此，通常的方式是利用驅(qū)動(dòng)變壓器驅(qū)動(dòng)一個(gè)具有較小Cg-S的MOSFET的圖騰式驅(qū)動(dòng)電路，再由這個(gè)電路驅(qū)動(dòng)主MOSFET。如圖，驅(qū)動(dòng)變壓器的初級線圈輸入信號就是控制電路的輸出驅(qū)動(dòng)信號，經(jīng)變壓器隔離處理后經(jīng)整形電路整形后輸出。變壓器起隔離作用，光耦既有隔離也有抗干擾功能，整形后經(jīng)圖騰式驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)主MOSFET管。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
飛虹MOS管FHP100N08V在不間斷電源電路中的應(yīng)用
不間斷電源（UPS）電路中，MOS管因其高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和易于驅(qū)動(dòng)的特性，被廣泛應(yīng)用于需要高效電能轉(zhuǎn)換和快速控制的關(guān)鍵位置。本期UPS
中科微電：場效應(yīng)管領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)航者
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，場效應(yīng)管（MOSFET）作為電子設(shè)備的核心功率控制單元，其性能直接決定了終端產(chǎn)品的能效、可靠性與小型化水平。中科微電作為深耕場效應(yīng)管領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，自成立以來便以
PD快充MOS管高性能低內(nèi)阻SGT工藝場效應(yīng)管HG5511D應(yīng)用方案
標(biāo)準(zhǔn)更為嚴(yán)苛。
產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動(dòng)效應(yīng)：快充技術(shù)的普及不僅推動(dòng)了充電器產(chǎn)品的更新，也帶動(dòng)了如 MOSFET（金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）等核心元器件的市場需求增長，這類元器件是保障快充安全與效率的關(guān)鍵
發(fā)表于 11-03 09:28
深度解析場效應(yīng)管ZK60N50T：參數(shù)、特性與應(yīng)用場景
在電力電子領(lǐng)域，場效應(yīng)管（MOSFET）作為核心開關(guān)器件，其性能直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的效率、可靠性與成本控制。ZK60N50T作為一款典型的N溝道功率MOSFET，憑借其優(yōu)異的電氣參數(shù)與
中科微電ZK60N20DG場效應(yīng)管：60V/20A的高效能半導(dǎo)體解決方案
在電力電子領(lǐng)域，場效應(yīng)管（MOSFET）作為能量轉(zhuǎn)換與電路控制的核心器件，其性能參數(shù)直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的效率、可靠性與集成度。ZK60N20DG作為一款專注于中低壓應(yīng)用場景的N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)
MOSFET的原理、特性及參數(shù)
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 全稱：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），簡稱MOS管，屬于場效應(yīng)管（
飛虹場效應(yīng)管100N8F6A在電源設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
在各類工業(yè)與消費(fèi)類電源設(shè)計(jì)中，如DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC-AC逆變器、AC-DC開關(guān)電源等，功率MOSFET的選型對系統(tǒng)效率、散熱性能及整體可靠性具有決定性影響。
MOSFET深度指南：一文帶您了解現(xiàn)代電子工業(yè)的基石——金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
前言MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管）是電子學(xué)中最為基礎(chǔ)和重要的器件之一，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)等電性能優(yōu)勢，以及兼有體積小、重量輕、功耗低、壽命長等工程特性。從
FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 09-23 15:03
?2次下載
合科泰高壓場效應(yīng)管HKTD5N50的核心優(yōu)勢
在工業(yè)自動(dòng)化的精密控制系統(tǒng)中，變頻器作為電機(jī)調(diào)速的核心部件，其性能直接決定了生產(chǎn)效率與能源消耗。合科泰半導(dǎo)體針對中小功率變頻驅(qū)動(dòng)場景，推出HKTD5N50 高壓場效應(yīng)管，以 500V 耐壓、低導(dǎo)通損耗及快速開關(guān)特性，成為風(fēng)機(jī)、水
微碩WINSOK高性能場效應(yīng)管，助力戶外儲能電源性能升級
戶外儲能電源是一種便攜式儲能設(shè)備，能為手機(jī)、筆記本、小型家電等提供電力解決方案，廣泛應(yīng)用于戶外活動(dòng)、應(yīng)急救災(zāi)和移動(dòng)辦公等場景。而微碩WINSOK高性能場效應(yīng)管WSD45P04DN56憑借其優(yōu)異的散熱
貼片MOS場效應(yīng)管型號如何識別？
貼片MOS場效應(yīng)管型號的識別需結(jié)合命名規(guī)則、封裝特征及參數(shù)查詢?nèi)矫孢M(jìn)行，以下是具體方法： 一、型號命名規(guī)則解析 貼片MOS管的型號通常由制造商標(biāo)識、基本型號、功能標(biāo)識、封裝形式及技術(shù)參數(shù)組成，常見
微碩WINSOK場效應(yīng)管新品，助力無刷電機(jī)性能升級！
截至2025年，消費(fèi)電子行業(yè)已成為中國無刷電機(jī)應(yīng)用的重要陣地之一。在無刷電機(jī)飛速發(fā)展的今天，提升可靠性、效率和散熱性能成為了場效應(yīng)管（以下簡稱MOS管）設(shè)計(jì)的重要方向。DFN5*6封裝，以其優(yōu)異
反激式開關(guān)電源理論與原理解析
基礎(chǔ)知識開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電子電力技術(shù)，控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率。維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源。開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM) 控
發(fā)表于 06-09 15:33
無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個(gè) PN
評論