深入解析 onsemi FDB33N25 N 溝道 MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，對電路性能起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來詳細(xì)探討 onsemi 推出的 FDB33N25 N 溝道 MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特之處。

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一、產(chǎn)品概述

FDB33N25 屬于 onsemi 的 UniFET MOSFET 系列，該系列基于平面條紋和 DMOS 技術(shù)。這種 MOSFET 旨在降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)提供更好的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。它適用于多種開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，如功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示（FPD）電視電源、ATX 電源以及電子燈鎮(zhèn)流器等。

二、產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

在 (V{GS}=10V)，(I{D}=16.5A) 的條件下，最大導(dǎo)通電阻 (R_{DS(on)}) 為 94 mΩ，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，器件的功率損耗較低，能夠提高電路的效率。

低柵極電荷

典型柵極電荷為 36.8 nC，低柵極電荷可以減少開關(guān)過程中的能量損耗，提高開關(guān)速度，從而降低開關(guān)損耗。

低 (C_{rss})

典型 (C{rss}) 為 39 pF，低 (C{rss}) 有助于減少米勒效應(yīng)的影響，提高開關(guān)性能。

100% 雪崩測試

經(jīng)過 100% 雪崩測試，保證了器件在雪崩狀態(tài)下的可靠性，能夠承受一定的過電壓和過電流沖擊。

環(huán)保特性

這些器件無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，符合環(huán)保要求。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

等離子電視（PDP TV）

在 PDP TV 的電源電路中，F(xiàn)DB33N25 可以用于開關(guān)電源的設(shè)計(jì)，提供穩(wěn)定的功率輸出。

照明

在照明領(lǐng)域，如電子燈鎮(zhèn)流器中，它能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換，提高照明系統(tǒng)的效率。

不間斷電源（UPS）

在 UPS 中，F(xiàn)DB33N25 可以作為功率開關(guān)，確保在市電中斷時(shí)能夠快速切換到備用電源，保障設(shè)備的正常運(yùn)行。

AC - DC 電源

在 AC - DC 電源轉(zhuǎn)換中，它可以實(shí)現(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換，為各種電子設(shè)備提供穩(wěn)定的直流電源。

四、參數(shù)解析

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓 (B{VDS})：在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=250A) 時(shí)，為 250V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù)：在 (I_{D}=250A)，參考 25°C 時(shí)，為 0.25 V/°C。
• 零柵壓漏極電流 (I{DSS})：在 (V{DS}=250V)，(V{GS}=0V) 時(shí)，為 1 A；在 (V{DS}=200V)，(T_{C}=125^{circ}C) 時(shí)，為 10 A。
• 柵體正向泄漏電流 (I{GSSF})：在 (V{GS}=30V)，(V_{DS}=0V) 時(shí)，為 100 nA。
• 柵體反向泄漏電流 (I{GSSR})：在 (V{GS}=-30V)，(V_{DS}=0V) 時(shí)，為 -100 nA。

導(dǎo)通特性

• 開啟電壓 (V{GS(th)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=250mu A) 時(shí)，為 5.0 V。
• 導(dǎo)通電阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS}=10V)，(I_{D}=16.5A) 時(shí)，為 0.077 Ω。

動態(tài)特性

• 輸入電容 (C{iss})：在 (V{DS}=25V)，(V_{GS}=0V)，(f = 1MHz) 時(shí)，典型值為 1640 pF，最大值為 2135 pF。
• 輸出電容 (C_{oss})：典型值為 330 pF，最大值為 430 pF。
• 反向傳輸電容 (C_{rss})：典型值為 39 pF，最大值為 59 pF。

開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時(shí)間 (t_{d(on)})：典型值為 35 ns，最大值為 80 ns。
• 導(dǎo)通上升時(shí)間 (t{r})：在 (R{G}=25Omega) 時(shí)，典型值為 230 ns。
• 關(guān)斷下降時(shí)間 (t_{f})：典型值為 75 ns，最大值為 160 ns。
• 柵源電荷 (Q{gs})：在 (V{DS}=200V)，(I{D}=33A)，(V{GS}=10V) 時(shí)，為 36.8 nC。

漏源二極管特性

• 最大連續(xù)漏源二極管正向電流 (I_{S})：為 33 A。
• 最大脈沖漏源二極管正向電流 (I_{SM})：為 132 A。
• 漏源二極管正向電壓 (V{SD})：在 (V{GS}=0V)，(I_{S}=33A) 時(shí)，為 1.4 V。
• 反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr})：為 1.71 μC。

五、典型性能特性

文檔中給出了一系列典型性能特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨殼溫的變化以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線可以幫助工程師更好地理解器件在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，從而進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)。

六、封裝和訂購信息

FDB33N25 采用 D2PAK - 3（TO - 263，3 - 引腳）封裝，標(biāo)記信息包含裝配廠代碼、日期代碼、批次追溯代碼等。訂購信息可參考數(shù)據(jù)手冊第 7 頁的詳細(xì)內(nèi)容，該器件以 800 個(gè)/卷帶和卷盤的形式發(fā)貨。

總結(jié)

FDB33N25 N 溝道 MOSFET 憑借其低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、低 (C_{rss}) 以及高雪崩能量強(qiáng)度等特性，在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中具有很大的優(yōu)勢。工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)，可以根據(jù)其參數(shù)和性能特性，合理選擇和使用該器件，以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計(jì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似 MOSFET 的使用問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。