探索 onsemi NTR4101P/NTRV4101P P 溝道 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用

在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET 一直是至關(guān)重要的元件，尤其是在負載和電源管理方面。今天，我們來深入了解 onsemi 推出的 NTR4101P 和 NTRV4101P 這兩款 P 溝道 MOSFET，看看它們的特性、參數(shù)以及應(yīng)用場景。

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產(chǎn)品特性

低導通電阻設(shè)計

NTR4101P 和 NTRV4101P 采用了領(lǐng)先的 -20V 溝槽技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)低導通電阻 RDS(on)。這意味著在導通狀態(tài)下，元件的功率損耗更低，效率更高。這種低 RDS(on) 特性對于需要高效電源管理的應(yīng)用來說至關(guān)重要，比如便攜式設(shè)備和計算機的負載管理。

低電壓柵極驅(qū)動

這兩款 MOSFET 的額定電壓為 -1.8V，適用于低電壓柵極驅(qū)動。在一些對電壓要求較為嚴格的應(yīng)用中，如便攜式設(shè)備的電池供電系統(tǒng)，低電壓柵極驅(qū)動可以減少功耗，延長電池續(xù)航時間。

小尺寸封裝

采用 SOT - 23 表面貼裝封裝，具有小尺寸的特點。這使得它們在空間有限的電路板設(shè)計中非常適用，能夠有效節(jié)省電路板空間，提高設(shè)計的緊湊性。

汽車級應(yīng)用

NTRV 前綴的產(chǎn)品適用于汽車和其他有獨特場地和控制變更要求的應(yīng)用。這些產(chǎn)品經(jīng)過 AEC - Q101 認證，并且具備 PPAP 能力，能夠滿足汽車行業(yè)對元件可靠性和質(zhì)量的嚴格要求。

環(huán)保特性

這兩款器件是無鉛、無鹵素/BFR 且符合 RoHS 標準的，符合現(xiàn)代電子行業(yè)對環(huán)保的要求。

應(yīng)用場景

便攜式設(shè)備負載/電源管理

在便攜式設(shè)備中，如智能手機、平板電腦等，需要高效的電源管理來延長電池續(xù)航時間。NTR4101P 和 NTRV4101P 的低導通電阻和低電壓柵極驅(qū)動特性，能夠有效降低功耗，提高設(shè)備的整體效率。

計算機負載/電源管理

計算機系統(tǒng)中的電源管理也非常關(guān)鍵，特別是在筆記本電腦等移動設(shè)備中。這兩款 MOSFET 可以用于控制電源的開關(guān)和分配，確保計算機系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。

充電電路和電池保護

在充電電路中，NTR4101P 和 NTRV4101P 可以用于控制充電電流和電壓，保護電池免受過充、過放等損害。同時，它們的低導通電阻可以減少充電過程中的能量損耗。

最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞元件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：在 VGS = 0V，ID = -250μA 的條件下，漏源擊穿電壓 V(BR)DSS 為 -20V。
• 零柵壓漏極電流：在 VGS = 0V，VDS = -16V 的條件下，零柵壓漏極電流 IDSS 最大為 -1.0μA。
• 柵源泄漏電流：在 VGS = ±8.0V，VDS = 0V 的條件下，柵源泄漏電流 IGSS 最大為 ±100nA。

導通特性

• 柵極閾值電壓：在 VGS = VDS，ID = -250μA 的條件下，柵極閾值電壓 VGS(th) 范圍為 -0.4V 至 -1.2V。
• 漏源導通電阻：在不同的柵源電壓和漏極電流條件下，漏源導通電阻 RDS(on) 有所不同。例如，在 VGS = -4.5V，ID = -1.6A 時，典型值為 70mΩ，最大值為 85mΩ。

電荷、電容和柵極電阻

• 輸入電容：在 VGS = 0V，f = 1MHz，VDS = -10V 的條件下，輸入電容 Ciss 為 675pF。
• 輸出電容：Coss 為 100pF。
• 反向傳輸電容：Crss 為 75pF。
• 總柵極電荷：在 VGS = -4.5V，VDS = -10V，ID = -1.6A 的條件下，總柵極電荷 QG(tot) 范圍為 7.5nC 至 8.5nC。
• 柵源柵極電荷：QGS 為 1.2nC。
• 柵漏“米勒”電荷：QGD 為 2.2nC。
• 柵極電阻：RG 為 6.5Ω。

開關(guān)特性

在 VGS = -4.5V，VDS = -10V，ID = -1.6A，RG = 6.0Ω 的條件下，開關(guān)特性如下：

• 導通延遲時間：td(on) 為 7.5ns。
• 上升時間：tr 為 12.6ns。
• 關(guān)斷延遲時間：td(off) 為 30.2ns。
• 下降時間：tf 為 21.0ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓：在 VGS = 0V，IS = -2.4A 的條件下，正向二極管電壓 VSD 范圍為 -0.82V 至 -1.2V。
• 反向恢復時間：tr 范圍為 12.8ns 至 15ns。
• 充電時間：ta 為 9.9ns。
• 放電時間：to 為 3.0ns。
• 反向恢復電荷：Qrr 為 1008nC。

熱阻額定值

在設(shè)計時，需要根據(jù)實際應(yīng)用場景考慮元件的散熱問題，以確保元件在正常溫度下工作。

機械尺寸和封裝

在進行電路板設(shè)計時，需要根據(jù)這些尺寸信息來安排元件的布局和焊接。

總結(jié)

onsemi 的 NTR4101P 和 NTRV4101P P 溝道 MOSFET 具有低導通電阻、低電壓柵極驅(qū)動、小尺寸封裝等優(yōu)點，適用于便攜式設(shè)備、計算機、充電電路和電池保護等多種應(yīng)用場景。在使用時，需要注意其最大額定值、電氣特性和熱阻額定值等參數(shù)，以確保元件的正常工作和可靠性。同時，合理的電路板設(shè)計和散熱措施也是非常重要的。你在實際應(yīng)用中使用過這兩款 MOSFET 嗎？遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。