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SK海力士正式量產(chǎn)基于1c LPDDR5X的192GB容量SOCAMM2

晶芯觀察 ? 來源:未知 ? 作者:綜合報道 ? 2026-04-20 10:27 ? 次閱讀
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SK海力士20日宣布,正式量產(chǎn)基于第六代10納米級(1c)LPDDR5X低功耗DRAM的192GB(千兆字節(jié))容量SOCAMM2產(chǎn)品。
SOCAMM2*是一款將主要適用于智能手機等移動端設(shè)備的低功耗內(nèi)存,針對服務(wù)器環(huán)境進行優(yōu)化的內(nèi)存模塊,主要面向下一代AI服務(wù)器等應(yīng)用場景。
* SOCAMM2(Small Outline Compression Attached Memory Module 2):一種基于低功耗DRAM的內(nèi)存模塊,具備厚度薄與可擴展性等特性,特別適用于AI服務(wù)器。該產(chǎn)品采用壓縮式連接器,可提升信號完整性且易于更換。
SK海力士表示:“公司采用1c工藝的SOCAMM2,是專為高性能AI運算優(yōu)化的解決方案。與傳統(tǒng)的RDIMM*相比,其帶寬提升逾兩倍,功耗降低75%以上?!?/div>
* 寄存雙列直插式內(nèi)存模塊(RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module):在存儲器模塊的內(nèi)存控制器與DRAM芯片之間增加可中繼地址、命令信號的寄存器(Register)或時鐘緩沖器(Buffer),適用于服務(wù)器和工作站的DRAM模塊。
SK海力士特別強調(diào),該SOCAMM2產(chǎn)品是面向英偉達(dá)的Vera Rubin*平臺設(shè)計的。
* 英偉達(dá)Vera-Rubin介紹網(wǎng)頁:https://www.nvidia.com/en-us/data-center/technologies/rubin/
此外,該產(chǎn)品可從根本上緩解數(shù)千億參數(shù)級AI大模型在訓(xùn)練與推理過程中所面臨的存儲瓶頸*問題,SK海力士期待其助力能夠大幅提升整體系統(tǒng)的處理速度。
* 瓶頸(Bottleneck):指因某些特定零部件的處理能力受限,導(dǎo)致整個系統(tǒng)性能下降的現(xiàn)象。AI運算過程中,若存儲器的數(shù)據(jù)傳輸速度滯后于GPU運算速度,便會引發(fā)此現(xiàn)象。
SK海力士還表示:“隨著AI發(fā)展從訓(xùn)練轉(zhuǎn)向推理階段,支持大型語言模型低功耗運行的SOCAMM2作為下一代存儲器解決方案,正備受矚目。為滿足全球云服務(wù)供應(yīng)商(Cloud Service Provider)客戶需求,公司提前搭建起穩(wěn)定的量產(chǎn)體系。”
SK海力士AI Infra擔(dān)當(dāng)金柱善社長(CMO,Chief Marketing Officer)表示:“通過192GB容量SOCAMM2的產(chǎn)品供應(yīng),公司建立了面向AI的存儲器性能新基準(zhǔn)。公司將與全球AI客戶緊密合作,成為‘客戶最信賴的面向AI的存儲器解決方案企業(yè)’。”
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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