解析FDS8949雙N溝道邏輯電平PowerTrench? MOSFET

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，MOSFET是不可或缺的元件之一。今天我們就來(lái)深入了解一下安森美（onsemi）的FDS8949雙N溝道邏輯電平PowerTrench? MOSFET，看看它有哪些特性和應(yīng)用場(chǎng)景。

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一、產(chǎn)品概述

安森美公司推出的FDS8949 MOSFET采用先進(jìn)的PowerTrench?工藝，這種工藝經(jīng)過(guò)特別優(yōu)化，能夠有效降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持出色的開(kāi)關(guān)性能。該產(chǎn)品適用于低電壓和電池供電的應(yīng)用場(chǎng)景，在這些場(chǎng)景中，低在線(xiàn)功率損耗和快速開(kāi)關(guān)是關(guān)鍵需求。

二、產(chǎn)品特性

2.1 低導(dǎo)通電阻

• 在VGS = 10V時(shí)，最大rDS(on)為29mΩ；在VGS = 4.5V時(shí)，最大rDS(on)為36mΩ。低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET的功率損耗更小，能夠提高系統(tǒng)的效率。
• 例如，在一些對(duì)功耗要求較高的電池供電設(shè)備中，低導(dǎo)通電阻可以延長(zhǎng)電池的續(xù)航時(shí)間。

2.2 低柵極電荷

低柵極電荷使得MOSFET的開(kāi)關(guān)速度更快，能夠減少開(kāi)關(guān)損耗，提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度。這在需要快速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用中非常重要，比如逆變器和電源供應(yīng)器。

2.3 高性能溝槽技術(shù)

采用高性能溝槽技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了極低的rDS(on)，同時(shí)具備高功率和高電流處理能力。這使得FDS8949能夠在高負(fù)載情況下穩(wěn)定工作，適用于各種功率要求較高的應(yīng)用。

2.4 RoHS合規(guī)

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，意味著該產(chǎn)品在環(huán)保方面符合相關(guān)要求，減少了對(duì)環(huán)境的影響，同時(shí)也滿(mǎn)足了一些對(duì)環(huán)保有要求的應(yīng)用場(chǎng)景。

三、產(chǎn)品參數(shù)

3.1 最大額定值

• 電壓參數(shù)：漏源電壓VDS最大為40V，柵源電壓VGS最大為±20V。
• 電流參數(shù)：連續(xù)漏極電流ID為6A，脈沖漏極電流為20A。
• 雪崩能量：漏源雪崩能量EAS為26mJ。
• 功率參數(shù)：雙路工作時(shí)功率耗散PD為2W，單路工作時(shí)功率耗散根據(jù)不同情況分別為1.6W和0.9W。
• 溫度范圍：工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍為 -55°C至150°C。

3.2 熱特性

• 熱阻方面，單路工作時(shí)，結(jié)到環(huán)境的熱阻RθJA根據(jù)不同的安裝方式有所不同。當(dāng)安裝在1in2的2oz銅焊盤(pán)上時(shí)，RθJA為81°C/W；當(dāng)安裝在最小焊盤(pán)上時(shí)，RθJA為135°C/W。結(jié)到外殼的熱阻RθJC為40°C/W。

3.3 電氣特性

• 關(guān)斷特性：漏源擊穿電壓BVDSS在ID = 250μA、VGS = 0V時(shí)為40V，擊穿電壓溫度系數(shù)?BVDSS/?TJ為33mV/°C。零柵壓漏極電流IDSS在VDS = 32V、VGS = 0V時(shí)，25°C時(shí)為1μA，55°C時(shí)為10μA。柵源泄漏電流IGSS在VGS = ±20V、VDS = 0V時(shí)為±100nA。
• 導(dǎo)通特性：柵源閾值電壓VGS(th)在VGS = VDS、ID = 250μA時(shí)，最小值為1V，典型值為1.9V，最大值為3V。柵源閾值電壓溫度系數(shù)?VGS(th)/?TJ為 -4.6mV/°C。漏源導(dǎo)通電阻rDS(on)在不同的VGS和ID條件下有不同的值，例如在VGS = 10V、ID = 6A時(shí)，典型值為29mΩ。
• 動(dòng)態(tài)特性：輸入電容Ciss在VDS = 20V、VGS = 0V、f = 1MHz時(shí)，典型值為955pF；輸出電容Coss典型值為140pF；反向傳輸電容Crss典型值為90pF。柵極電阻Rg在f = 1MHz時(shí)為1.1Ω。
• 開(kāi)關(guān)特性：開(kāi)啟延遲時(shí)間td(on)在VDD = 20V、ID = 1A、VGS = 10V、RGEN = 6Ω時(shí)，典型值為18ns；上升時(shí)間tr典型值為10ns；關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)典型值為37ns；下降時(shí)間tf典型值為6ns?？倴艠O電荷Qg在VDS = 20V、ID = 6A、VGS = 5V時(shí)，典型值為11nC。
• 漏源二極管特性：源漏二極管正向電壓VSD在VGS = 0V、IS = 6A時(shí)，典型值為1.2V。反向恢復(fù)時(shí)間trr在IF = 6A、diF/dt = 100A/μs時(shí)，典型值為26ns；反向恢復(fù)電荷Qrr典型值為11nC。

四、應(yīng)用場(chǎng)景

4.1 逆變器

在逆變器應(yīng)用中，F(xiàn)DS8949的低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性能夠有效提高逆變器的效率和性能。它可以將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)、不間斷電源（UPS）等領(lǐng)域。

4.2 電源供應(yīng)器

在電源供應(yīng)器中，F(xiàn)DS8949能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換，減少功率損耗，提高電源的穩(wěn)定性和可靠性。它可以用于各種電子設(shè)備的電源模塊，如計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備等。

五、注意事項(xiàng)

• 安森美保留隨時(shí)更改產(chǎn)品或信息的權(quán)利，且不另行通知。
• 產(chǎn)品的“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所變化，實(shí)際性能也可能隨時(shí)間變化。因此，所有工作參數(shù)，包括“典型”參數(shù)，都必須由客戶(hù)的技術(shù)專(zhuān)家針對(duì)每個(gè)客戶(hù)應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。
• 該產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、任何FDA 3類(lèi)醫(yī)療設(shè)備或在外國(guó)司法管轄區(qū)具有相同或類(lèi)似分類(lèi)的醫(yī)療設(shè)備，以及任何打算植入人體的設(shè)備。如果購(gòu)買(mǎi)或使用該產(chǎn)品用于此類(lèi)非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用，買(mǎi)方應(yīng)承擔(dān)相關(guān)責(zé)任。

在實(shí)際設(shè)計(jì)中，電子工程師需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，綜合考慮FDS8949的各項(xiàng)特性和參數(shù)，確保產(chǎn)品能夠滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求。你在使用MOSFET的過(guò)程中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。