4月17日，長(zhǎng)電科技宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）結(jié)構(gòu)與光敏聚酰亞胺（PSPI）再布線（RDL）工藝的晶圓級(jí)射頻集成無(wú)源器件（IPD）工藝驗(yàn)證，通過(guò)測(cè)試結(jié)構(gòu)的試制與實(shí)測(cè)評(píng)估，公司驗(yàn)證了在玻璃基底上構(gòu)建三維集成無(wú)源器件的可制造性與性能優(yōu)勢(shì)，為5G及面向6G的更寬帶寬射頻前端與系統(tǒng)級(jí)封裝優(yōu)化提供了新的工程化路徑。

長(zhǎng)電科技基于TGV構(gòu)建3D互連骨架，在玻璃基板上實(shí)現(xiàn)電感、電容等關(guān)鍵無(wú)源結(jié)構(gòu)的集成，并將傳統(tǒng)平面電感升級(jí)為3D結(jié)構(gòu)，以降低高頻損耗并提升器件品質(zhì)因數(shù)（Q值）。在對(duì)比評(píng)估中，3D電感在Q值等關(guān)鍵指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)顯著提升，在既定測(cè)試條件下較同等電感值的平面結(jié)構(gòu)提升接近50%。同時(shí)，整體性能表現(xiàn)優(yōu)于硅基IPD技術(shù)路線，為射頻模組的小型化、高集成度與性能指標(biāo)提升提供了可行的工程方向。

面向5G及未來(lái)6G的通信需求，射頻系統(tǒng)對(duì)帶寬、線性度與集成度提出持續(xù)升級(jí)要求。長(zhǎng)電科技在射頻封裝領(lǐng)域經(jīng)過(guò)多年深耕，已形成面向射頻PA、RFFE模組與毫米波應(yīng)用的封裝與測(cè)試能力：支持SiP、AiP等多種封裝形態(tài)，覆蓋共形、分腔及選擇性濺射屏蔽，并具備5G、毫米波、NB?IoT及高速信號(hào)測(cè)試能力；同時(shí)提供射頻系統(tǒng)仿真與封裝協(xié)同設(shè)計(jì)，并配套覆蓋射頻微波、毫米波、5G蜂窩與無(wú)線通信等的一站式驗(yàn)證測(cè)試平臺(tái)，支撐客戶從芯片、封裝到模組與整機(jī)的驗(yàn)證與導(dǎo)入。

長(zhǎng)電科技副總裁、技術(shù)服務(wù)事業(yè)部總經(jīng)理吳伯平表示：“面向AI算力芯片的迭代躍遷與6G通信的前瞻布局，長(zhǎng)電科技將加速推進(jìn)玻璃基TGV與PSPI晶圓級(jí)IPD技術(shù)在射頻系統(tǒng)級(jí)封裝中的工程化落地。我們將深化與頭部客戶及產(chǎn)業(yè)鏈伙伴的協(xié)同創(chuàng)新，通過(guò)聯(lián)合開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證，推動(dòng)相關(guān)技術(shù)走向規(guī)?；慨a(chǎn)，為下一代邊緣計(jì)算和無(wú)線連接提供更高性能、更高集成度的系統(tǒng)級(jí)解決方案。”

長(zhǎng)電科技是全球領(lǐng)先的集成電路制造與技術(shù)服務(wù)提供商，向全球半導(dǎo)體客戶提供全方位、一站式芯片成品制造解決方案，涵蓋微系統(tǒng)集成、設(shè)計(jì)仿真、晶圓中測(cè)、芯片及器件封裝、成品測(cè)試、產(chǎn)品認(rèn)證以及全球直運(yùn)等服務(wù)。公司在中國(guó)、韓國(guó)和新加坡?lián)碛邪舜笊a(chǎn)基地，并在全球設(shè)有20多個(gè)業(yè)務(wù)機(jī)構(gòu)，為客戶提供緊密的技術(shù)合作與高效的產(chǎn)業(yè)鏈支持。

長(zhǎng)電科技擁有先進(jìn)和全面的芯片成品制造技術(shù)，包括晶圓級(jí)封裝（WLP）、2.5D/3D封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）、倒裝芯片封裝、引線鍵合封裝及主流封裝先進(jìn)化解決方案，廣泛應(yīng)用于汽車電子、人工智能、高性能計(jì)算、高密度存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)通信、智能終端、工業(yè)與醫(yī)療、功率與能源等領(lǐng)域。