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TPS6420xEVM - 023評(píng)估模塊:設(shè)計(jì)與使用全解析

chencui ? 2026-04-26 09:05 ? 次閱讀
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TPS6420xEVM-023評(píng)估模塊:設(shè)計(jì)與使用全解析

電子工程師的日常工作中,評(píng)估模塊是驗(yàn)證和開(kāi)發(fā)電源解決方案的重要工具。今天我們就來(lái)深入探討一下德州儀器TI)的 TPS6420xEVM - 023 評(píng)估模塊。

文件下載:TPS64202EVM-023.pdf

一、重要聲明與注意事項(xiàng)

TI 保留對(duì)其產(chǎn)品和服務(wù)進(jìn)行更改和停產(chǎn)的權(quán)利,用戶(hù)在下單前應(yīng)獲取最新信息。該評(píng)估套件僅用于工程開(kāi)發(fā)或評(píng)估,不適用于商業(yè)用途。若套件不符合手冊(cè)規(guī)格,可在交付后 30 天內(nèi)退款。用戶(hù)需負(fù)責(zé)產(chǎn)品的正確安全處理,并對(duì) TI 進(jìn)行免責(zé)賠償。

在操作該 EVM 時(shí),要注意將輸入電壓控制在 3.3 V 至 6 V 范圍內(nèi),超出此范圍可能導(dǎo)致意外操作或不可逆損壞。連接負(fù)載時(shí),也需確保在指定輸出范圍內(nèi),否則可能造成永久性損壞。此外,正常運(yùn)行時(shí)部分電路組件溫度可能超過(guò) 125°C,操作時(shí)需小心。

二、背景與性能規(guī)格

(一)背景

TPS6420xEVM 使用 TPS64202 降壓控制器、外部 P 溝道 FET 和肖特基二極管。盡管 TPS64202 輸入電壓范圍為 1.8 V 至 6 V,但此 EVM 配置為在 3.3 V 輸出電壓下提供 2 A 電流,因此輸入電壓限制在 3.3 V 至 6 V。選擇 TPS64202 的原因在于,在 (V{I} cong V{O}) 的應(yīng)用中,其開(kāi)關(guān)頻率由最小關(guān)斷時(shí)間決定,可實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率和小電感。

(二)性能規(guī)格

規(guī)格 測(cè)試條件 最小值 典型值 最大值 單位
輸入電壓范圍 TPS64202EVM 3.3 6 V
輸出電壓 TPS64202EVM 3.3 V
輸出電流 0 2 A

三、EVM 操作

(一)輸入/輸出連接

  • J1 - Vin:輸入電源的正連接,輸入電源的引線(xiàn)應(yīng)絞合并盡可能短。
  • J2 - GND:輸入電源的返回連接。
  • JP1 - Enable:設(shè)備的使能引腳,通過(guò)板載上拉電阻上拉至 Vin??缃?J1 的 2 - 3 引腳可使能設(shè)備,跨接 1 - 2 引腳則禁用設(shè)備。
  • J3 - Vout:設(shè)備的正輸出。
  • J4 - GND:負(fù)載的返回連接。

(二)測(cè)試設(shè)置

絕對(duì)最大輸入電壓為 7 V,TPS62402 在 (V_{O}=3.3 ~V) 時(shí)設(shè)計(jì)的最大輸入電壓為 6 V。連接輸出電壓在 3.3 V 至 6 V 之間的電源,并將電流限制設(shè)置為至少預(yù)期最大輸出電流的 1.3 倍(此 EVM 為 2.6 A)。短接跳線(xiàn) JP1 上的 2 - 3 引腳(標(biāo)記為 ON)以啟用設(shè)備,連接不超過(guò) 2.0 A 的負(fù)載到 EVM 輸出。

(三)測(cè)試結(jié)果

該 EVM 的效率結(jié)果可參考圖 2 - 1(TPS64202 效率圖)。

四、電路板布局

電路板布局對(duì)于開(kāi)關(guān)模式電源至關(guān)重要。TPS6420xEVM 的布局將高頻噪聲的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)與對(duì)噪聲敏感的反饋電路隔離開(kāi)來(lái),并仔細(xì)規(guī)劃了高頻電流回路的布線(xiàn)。具體布局可參考圖 3 - 1(頂層組裝層)、圖 3 - 2(頂層布線(xiàn))和圖 3 - 3(底層布線(xiàn))。更多詳細(xì)的布局指南可參考數(shù)據(jù)手冊(cè)。

五、物料清單和原理圖

(一)物料清單

數(shù)量 參考編號(hào) 描述 尺寸 制造商 零件編號(hào)
1 C1 陶瓷電容,4.7 μF,50 V,C0G,± 10% 603 TKD C1608X7R1H4R7DT
1 C2 POSCAP 電容,4.7 μF,6.3 V,100 mΩ,20% 6032(C) Sanyo 6TPA47M
1 C3, C5 多模式電容,603 - D 外殼 7343 (D)
1 C4 陶瓷電容,10 μF,10 V,X7R,± 10% 1206 TDK C3216X7R1A106KT
0 C7 陶瓷電容,XXX μF,XX V 603
1 D1 肖特基二極管,1 A,20 V 457 - 04 On Semi MBRM120
4 J1, J2, J3, J4 2 針插頭,100 密耳間距,(36 針條) 0.100 x 2” Sullins PTC36SAAN
1 JP1 3 針插頭,100 密耳間距,(36 針條) 0.100 x 3” Sullins PTC36SAAN
1 L1 貼片電感,5 μH,2.9 A,24 mΩ 0.264x0.264 Sumida CDRH6D38 - 5R0
1 Q1 P 溝道 MOSFET,?20 V,?3.5 A,68 mΩ SOT23 Siliconix Si2323
1 R1 貼片電阻,619 kΩ,1/16 W,1% 603 Std Std
1 R2 貼片電阻,356 kΩ,1/16 W,1% 603 Std Std
1 R3 貼片電阻,0.033 Ω,1/4 W,1% 1210 Std Std
1 R4 貼片電阻,100 kΩ,1/16 W,1% 603 Std Std
1 R5 貼片電阻,XX Ω,1/16 W 603
1 R6, R7 貼片電阻,0 Ω,1/16 W,1% 603 Std Std
1 R8 貼片電阻,XX Ω,1/16 W,1% 603
1 U1 降壓控制器 IC SOT23 - 6 Texas Instruments TPS64202DBV
1 PCB,2.42 英寸 x 1.395 英寸 x 0.062 英寸 Any HPA023
1 分流器,100 密耳,黑色 0.100 3M 929950 - 00

(二)原理圖

TPS6420xEVM 的原理圖可參考圖 4 - 1。

六、可定制性

該 EVM 為用戶(hù)提供了一定的定制空間。例如,任何 TPS6420x IC 都可放置在 EVM 上。此外,EVM 具有兩個(gè) PMOS 控制 FET 焊盤(pán)(SOT23 和 1206 - 8 ChipFET)、兩個(gè)肖特基二極管焊盤(pán)(Powermite 和 SMA)、可移除阻焊層下的大電感區(qū)域、額外的輸入和輸出電容焊盤(pán)。同時(shí),通過(guò)調(diào)整電阻 R6、R7 和 R5,以及添加電阻 R8 和電容 C7 可實(shí)現(xiàn)不同的功能。不過(guò),更改組件可能會(huì)影響 EVM 的性能,大家在實(shí)際操作時(shí)需要謹(jǐn)慎考慮。

總之,TPS6420xEVM - 023 評(píng)估模塊為電子工程師提供了一個(gè)靈活的平臺(tái),用于評(píng)估和開(kāi)發(fā)基于 TPS6420x 的電源解決方案。大家在使用過(guò)程中,是否遇到過(guò)類(lèi)似評(píng)估模塊的特殊問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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