近日，英特爾大連廠(Fab68)非易失性存儲二期項目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行。同時，英特爾宣布新工廠采用世界最先進的96層堆疊3D NAND閃存芯片制造技術實現(xiàn)量產(chǎn)，并將會成為英特爾NAND閃存的最核心生產(chǎn)基地，貢獻大約70％的產(chǎn)能。

該廠于2015年10月開建，將原用于處理器的封裝測試改建為用于生產(chǎn)NAND閃存芯片，總投資55億美元（約合人民幣380億元）。

近年來全球DRAM技術持續(xù)發(fā)展，閃存芯片更已成為移動裝置重要零組件，并在物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等日出不窮的新興應用中扮演重要角色。而中國的消費市場快速崛起正成為新老牌存儲器廠商的“兵家必爭之地”，前有英特爾如此大肆投資、轉換新的存儲器工廠，后有國內三大陣營逐漸成型，在自主存儲芯片來襲的當下，中國市場的布局已儼然存儲器群雄兵家必爭之地。

英特爾的“二戰(zhàn)”之路離不開中國市場

“沒有一個人的生活道路是筆直的，沒有岔道的。有些岔道口……走錯一步，可以影響人生的一個時期，也可以影響一生?！边@是路遙作品《人生》的開篇題記，同樣，對于一家企業(yè)來說，在其存在和發(fā)展的過程中，也存在著一些關鍵岔道，有可能意味著企業(yè)有機會上升到一個新的高度，但它也同樣標志著企業(yè)沒落的開端。

回望英特爾的存儲器之路，充滿曲折蜿蜒。早已在1985年，選擇徹底放棄存儲器業(yè)務，轉為專攻芯片領域，使得其成為PC和服務器芯片的霸主。然而，如今面對三星的步步緊逼，更是被后者奪得全球老大位置的巨大壓力下，一直在存儲芯片業(yè)務上“舉棋不定”的英特爾走出了關鍵一步——增強在中國市場的話語權。

中國目前已經(jīng)是全球存儲產(chǎn)業(yè)中最為重要的市場。本月19日，在中國閃存市場峰會上公布的數(shù)據(jù)顯示，2018年全球半導體市場規(guī)模達到1500億美元，其中NAND Flash將超過570億美元，而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%。另據(jù)中國半導體協(xié)會數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2017年全球半導體總營收為4197億美元，相較2016年成長23.8％。其中，存儲器占所有半導體市場營收成長逾三分之二，而中國市場則占到了存儲器市場的50%。

顯然，對于英特爾而言，以存儲器立足中國市場的重要性不言而喻。除了對抗三星外，從市場角度看，存儲業(yè)務更可以將內存整合到處理器中，這樣可以大幅度提升整機的性能，增強Intel的處理器業(yè)務競爭力。

但是，在群雄逐鹿的國內市場里，除了老牌競爭對手，還有一批國產(chǎn)“生力軍”正悄然壯大。

國產(chǎn)存儲器企業(yè)陣隊的成形

如果說，中國市場的重要性，和中國政策的戰(zhàn)略扶持在一定程度上決定了存儲企業(yè)在中國的發(fā)展情況的話，那么對于中國自主存儲芯片企業(yè)而言則是突破口。正如長江存儲CEO楊士寧指出，“選擇3D NAND是企業(yè)需求、外部機遇和市場動力的吻合。這是個技術的問題，更是個經(jīng)濟的問題?！?/p>

在全球存儲器市場需求的不斷驅動下，國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)也奮起直追，即是當下正努力擴大產(chǎn)能的武漢長江存儲、合肥長鑫、福建晉華三股新勢力。

在剛剛舉行的第六屆中國電子信息博覽會上，紫光董事長趙偉國宣布國內首款自主知識產(chǎn)權的32層3D NAND閃存芯片將在2018年年底前實現(xiàn)量產(chǎn)；64層3D NAND芯片將會在2019年進入規(guī)模研發(fā)階段，并同步研發(fā)128層256G存儲芯片。這將有望使中國進入全球存儲芯片第一梯隊。

除了武漢長江存儲的32層3D NAND閃存值得關注，致力于利基型內存的福建晉華早已在2016年7月宣布于福建省晉江市建設12吋廠，投資金額約53億美元，以目前進度來看，其利基型內存的試產(chǎn)延后至2018年第三季度，量產(chǎn)時程也將落在2019年上半年。

反觀專注于移動式內存的合肥長鑫其廠房已于2017年6月封頂完工，并開始移入測試用機臺。進度方面，合肥長鑫則與福建晉華大致相同，量產(chǎn)則暫定在2019年的上半年。此外，合肥長鑫還則直攻三大DRAM廠最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb。

總而言之，以目前三家廠商的進度來看，隨著三大陣營的量產(chǎn)關鍵時間點皆落在2019年上半年，同時自主研發(fā)技術也終將進入量產(chǎn)的“深水區(qū)”。

根據(jù)市場分析指出，隨著中國存儲器產(chǎn)品逐步成熟，預計2020-2021年合肥長鑫則與福建晉華現(xiàn)有工廠將逐步滿載，在最樂觀的預估下，屆時兩家合計約有每月25萬片的投片規(guī)模，可能將開始影響全球DRAM市場的供給。

另一方面，長江存儲計劃設有的三座廠房總產(chǎn)能可能高達每月30萬片，不排除長江存儲完成64層產(chǎn)品開發(fā)后，可能將進行大規(guī)模的投片，進而在未來三到五年對NAND Flash的供給產(chǎn)生重大影響。

另外，值得一提的是，已連續(xù)兩年走高的存儲芯片市場由于供過于求之勢已開始掉頭，DRAM價格儼然已下跌20-30%，業(yè)內人士分析，甚至可能引發(fā)預期性的價格崩跌。然而，不管此下行趨勢如何，對于國內存儲業(yè)者而言，唯有義無反顧前行。