據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，在許多電力系統(tǒng)中，氮化鎵（GaN）是替代硅材料的合適候選者。正如Yole在《功率GaN：外延、器件、應(yīng)用及技術(shù)趨勢(shì)-2018版》報(bào)告中所闡述，GaN與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比具有驚人的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。盡管與32.8億美元的硅基功率半導(dǎo)體市場(chǎng)相比，目前功率GaN市場(chǎng)仍然很小，但GaN器件擁有較好的前景。

回顧2018年，多款GaN電源產(chǎn)品發(fā)布，主要涉及計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和快速充電。預(yù)計(jì)2019~2020年期間，將會(huì)有更多GaN產(chǎn)品問(wèn)世，實(shí)現(xiàn)百萬(wàn)美元級(jí)營(yíng)收。此外，我們?cè)谏鲜鰣?bào)告中介紹了有興趣進(jìn)入GaN市場(chǎng)的新公司，包括無(wú)晶圓廠（Fabless）和IDM。對(duì)于一些IDM廠商來(lái)說(shuō)，在其產(chǎn)品組合中加入功率碳化硅（SiC）之后，將很快布局GaN技術(shù)。意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics, ST）是一家將產(chǎn)品組合擴(kuò)展至GaN的典型公司。去年夏天，特斯拉（Tesla）Model 3主逆變器中采用了意法半導(dǎo)體SiC功率模塊。正如《特斯拉Model 3逆變器：意法半導(dǎo)體SiC功率模塊》報(bào)告中介紹，該功率模塊包含兩個(gè)采用創(chuàng)新的芯片貼裝解決方案的碳化硅MOSFET，并通過(guò)銅基板實(shí)現(xiàn)散熱。

碳化硅MOSFET采用意法半導(dǎo)體最新的技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，可降低傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。今年9月，意法半導(dǎo)體展示了其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展，并宣布將建設(shè)一條完全合格的生產(chǎn)線，包括GaN-on-Si異質(zhì)外延。近日，Yole電力電子技術(shù)與市場(chǎng)分析師Ana Villamor（以下簡(jiǎn)稱：AV）有幸與意法半導(dǎo)體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni（以下簡(jiǎn)稱：FDG）會(huì)面，討論意法半導(dǎo)體與CEA-Leti在GaN研發(fā)方面的合作情況，以及未來(lái)幾年功率GaN路線圖。AV：意法半導(dǎo)體最近與CEA-Leti展開(kāi)功率GaN合作，您可以透露更多的合作細(xì)節(jié)嗎？FDG：與CEA-Leti的合作伙伴關(guān)系讓我們?cè)诔ｊP(guān)型GaN HEMT（高電子遷移率晶體管）和GaN二極管設(shè)計(jì)及研發(fā)方面進(jìn)行合作。受益于CEA-Leti的知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）和意法半導(dǎo)體的專業(yè)知識(shí)（Know-how），雙方合作進(jìn)展順利。我們將在位于法國(guó)格勒諾布爾的CEA-Leti中試線上研發(fā)產(chǎn)品，并在技術(shù)成熟后轉(zhuǎn)移至意法半導(dǎo)體的8英寸量產(chǎn)線（也在法國(guó)）。

我們將研發(fā)GaN新產(chǎn)品，以補(bǔ)充意法半導(dǎo)體現(xiàn)有的硅基和SiC功率產(chǎn)品。AV：意法半導(dǎo)體還宣布了與MACOM合作研發(fā)射頻（RF）GaN產(chǎn)品。請(qǐng)問(wèn)這兩項(xiàng)合作之間是否有任何協(xié)同作用？FDG：沒(méi)有，這兩項(xiàng)合作是獨(dú)立。與MACOM的合作旨在研發(fā)專門針對(duì)射頻市場(chǎng)的GaN-on-Silicon產(chǎn)品。我們正在位于意大利卡塔尼亞的意法半導(dǎo)體辦公室開(kāi)展此項(xiàng)研究工作，這將使MACOM更好地進(jìn)入不斷增長(zhǎng)的電信基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，而意法半導(dǎo)體可以使用相同的技術(shù)來(lái)拓展非電信行業(yè)，如ISM（工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療）、航空電子和射頻能源。

2018年功率GaN產(chǎn)業(yè)鏈全景（來(lái)源：《功率GaN：外延、器件、應(yīng)用及技術(shù)趨勢(shì)-2018版》）

AV：我們知道意法半導(dǎo)體在SiC業(yè)務(wù)方面很活躍，你們?cè)诋a(chǎn)品組合中如何定位SiC和GaN呢？FDG：意法半導(dǎo)體正在投資研發(fā)這兩項(xiàng)突破性技術(shù)。SiC MOSFET基本上是1200V及更高電壓的功率器件的理想選擇，而GaN則不能實(shí)現(xiàn)如此高的電壓。在650V附近，這兩項(xiàng)技術(shù)可能存在一些重疊，但這僅適用于較低的頻率，因?yàn)镚aN技術(shù)在非常高的1MHz開(kāi)關(guān)頻率下表現(xiàn)更好。在600V以下，GaN再次成為明顯的“贏家”，不過(guò)在該范圍內(nèi)，它與硅基技術(shù)展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)，而非SiC。簡(jiǎn)而言之，SiC MOSFET是高壓和高功率應(yīng)用的理想選擇，而GaN更適合低壓和低功率應(yīng)用，但具有高開(kāi)關(guān)頻率。AV：汽車是電力電子市場(chǎng)最重要的驅(qū)動(dòng)因素之一。GaN在汽車市場(chǎng)中的作用是什么？預(yù)計(jì)上市時(shí)間？FDG：預(yù)計(jì)GaN將成為以下兩類應(yīng)用的主流開(kāi)關(guān)：（1）EV（電動(dòng)汽車）車載充電器（OBC）中的PFC（功率因數(shù)校正）；（2）大多數(shù)汽車制造商未來(lái)幾年計(jì)劃推出48V電池的輕度混合動(dòng)力項(xiàng)目。上市時(shí)間取決于技術(shù)成熟的速度，并且我們可以在此基礎(chǔ)上建立對(duì)失效機(jī)制和可靠性問(wèn)題的洞察力，這些失效機(jī)制和可靠性問(wèn)題可能與硅基產(chǎn)品不一致。鑒于汽車行業(yè)的生命周期，預(yù)計(jì)2022年之后的某個(gè)時(shí)間可能會(huì)出現(xiàn)快速增長(zhǎng)。

車載充電器

AV：您對(duì)D類和E類開(kāi)關(guān)模式器件有何見(jiàn)解？他們的目標(biāo)應(yīng)用是什么？FDG：所有功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，包括已經(jīng)由MOSFET、IGBT和SiC晶體管解決的應(yīng)用，都需要E類開(kāi)關(guān)模式器件。在射頻應(yīng)用中，晶體管用于功率放大器，可以使用D類開(kāi)關(guān)模式器件。AV：意法半導(dǎo)體GaN產(chǎn)品（如GaN晶體管和GaN-on-Si二極管）與其它產(chǎn)品有何區(qū)別？FDG：意法半導(dǎo)體擁有豐富的封裝經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識(shí)，特別是在非常高的頻率方面。再加上我們的卓越制造能力，使得意法半導(dǎo)體的GaN產(chǎn)品與其它廠商產(chǎn)品相比，極具競(jìng)爭(zhēng)力。AV：從意法半導(dǎo)體的角度來(lái)看，選擇功率產(chǎn)品封裝的主要因素有哪些？FDG：根據(jù)我們經(jīng)驗(yàn)，散熱性能（例如雙側(cè)冷卻）和低寄生電感是選擇功率產(chǎn)品封裝的兩個(gè)關(guān)鍵因素。

意法半導(dǎo)體SiC功率模塊組裝在散熱器上（來(lái)源：《特斯拉Model 3逆變器：意法半導(dǎo)體SiC功率模塊》）AV：意法半導(dǎo)體GaN產(chǎn)品的研發(fā)狀況如何？FDG：650V產(chǎn)品原型預(yù)計(jì)將在2019年下半年推出。AV：最后請(qǐng)您介紹意法半導(dǎo)體未來(lái)五年的產(chǎn)品路線圖吧。FDG：在650V產(chǎn)品之后，我們計(jì)劃推出100V~200V產(chǎn)品，然后是集成解決方案，包括封裝集成和單片集成。